半导体装置制造方法及图纸
半导体装置。本发明专利技术提供ESD耐量高的半导体装置。第一过孔（16）用于使焊盘（22）与ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极电连接。在焊盘（22）下方，仅在矩形环状的中间层金属膜（17）的一边和与该一边相对的另一边设置有该第一过孔（16）。即，用于与漏极电连接的所有第一过孔（16）大致存在于焊盘（22）的正下方。由此，对焊盘（22）施加的ESD的浪涌电流容易均匀地流向全部漏极。这样，ESD保护电路的NMOS晶体管的各个沟道容易统一地进行动作，半导体装置的ESD耐量变高。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】半导体装置。本专利技术提供ESD耐量高的半导体装置。第一过孔（16）用于使焊盘（22）与ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极电连接。在焊盘（22）下方，仅在矩形环状的中间层金属膜（17）的一边和与该一边相对的另一边设置有该第一过孔（16）。即，用于与漏极电连接的所有第一过孔（16）大致存在于焊盘（22）的正下方。由此，对焊盘（22）施加的ESD的浪涌电流容易均匀地流向全部漏极。这样，ESD保护电路的NMOS晶体管的各个沟道容易统一地进行动作，半导体装置的ESD耐量变高。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及在焊盘下方具有NMOS晶体管的半导体装置。
技术介绍
被称为IC或者半导体芯片的半导体装置为了与其它元件或其它半导体装置电连接，具有作为外部连接用电极的焊盘。在该焊盘附近通常设置有保护半导体装置的内部电路免受ESD (静电放电)影响的ESD保护电路。在ESD保护电路中大多使用多指型的NMOS晶体管。此时，该NMOS晶体管的栅电极、源极、背栅与接地端子连接，漏极与焊盘连接。这里，在采用多指型的NMOS晶体管的ESD保护电路中，通过尝试各种方法，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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