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半导体装置。本发明提供ESD耐量高的半导体装置。第一过孔（16）用于使焊盘（22）与ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极电连接。在焊盘（22）下方，仅在矩形环状的中间层金属膜（17）的一边和与该一边相对的另一边设置有该第一过孔（16）。即，...
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