静电卡盘以及等离子体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种静电卡盘，包括用于承载被加工工件的卡盘和基座，在所述卡盘和基座之间设置有隔热组件，所述隔热组件包括上环板、下环板和膨胀隔热环，其中，所述上环板和所述下环板为闭合的环形结构件，并且二者相对设置；所述膨胀隔热环为闭合的环形薄壁结构件，其设置在所述上环板和下环板之间，并且所述膨胀隔热环的两个端部分别与所述上环板和所述下环板密封固定。上述静电卡盘不仅具有良好的隔热效果，而且加热均匀，从而提高了等离子体加工设备的加热效率和加热均匀性。此外，上述静电卡盘便于加工和更换，从而降低了静电卡盘的使用成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种静电卡盘，包括用于承载被加工工件的卡盘和基座，在所述卡盘和基座之间设置有隔热组件，所述隔热组件包括上环板、下环板和膨胀隔热环，其中，所述上环板和所述下环板为闭合的环形结构件，并且二者相对设置；所述膨胀隔热环为闭合的环形薄壁结构件，其设置在所述上环板和下环板之间，并且所述膨胀隔热环的两个端部分别与所述上环板和所述下环板密封固定。上述静电卡盘不仅具有良好的隔热效果，而且加热均匀，从而提高了等离子体加工设备的加热效率和加热均匀性。此外，上述静电卡盘便于加工和更换，从而降低了静电卡盘的使用成本。【专利说明】静电卡盘以及等离子体加工设备
本专利技术涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种静电卡盘以及等离子体加工设备。
技术介绍
在制造集成电路(IC)和微机电系统(MEMS)的工艺过程中，特别是在实施等离子刻蚀(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等的工艺过程中，常使用静电卡盘来固定、支撑及加热晶片等被加工工件，为晶片提供直流偏压并且控制晶片表面的温度。图1为典型的静电卡盘的结构示意图。如图1所示，静电卡盘包括由上至下依次叠置的绝缘层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电卡盘，包括用于承载被加工工件的卡盘和基座，所述卡盘包括卡盘本体、设置在所述卡盘本体内的静电电极和加热单元，所述静电电极与直流电源连接，用以采用静电引力的方式将被加工工件固定在所述卡盘上；所述加热单元用于加热所述被加工工件；所述基座设置在所述卡盘的下方，用以支撑和固定所述卡盘；其特征在于，在所述卡盘和基座之间设置有隔热组件，所述隔热组件包括上环板、下环板和膨胀隔热环，其中，所述上环板和所述下环板为闭合的环形结构件，并且二者相对设置；所述膨胀隔热环为闭合的环形薄壁结构件，其设置在所述上环板和下环板之间，使得所述膨胀隔热环能够根据受热程度发生变形，从而部分或全部地抵消卡盘和基座之间由于温度差...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彭宇霖，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11