【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的目的在于提供一种MOS型半导体装置以及半导体装置的制造方法，其能够通过自校准形成p型阱区与n+型源区，并且无需提高栅极阈值电压就能够拥有栅极绝缘膜较厚的高栅极耐量。本专利技术的一种MOS型半导体装置，其具备MOS结构，而所述MOS结构具有：p-区（5），其围绕n+型源区（4）的四周，且其净掺杂浓度低于p型阱区（3）表面的p型杂质浓度；栅电极（7），其隔着栅极绝缘膜（6）设置在夹于n+型源区（4）与n-层（2）表层之间的p型阱区（3）的表面。据此，本专利技术能够提供一种MOS型半导体装置，其无需提高栅极阈值电压就能够增加栅极绝缘膜（6）的厚度，并且能够提高栅极绝缘膜（6）的可靠性、降低栅极电容。【专利说明】
本专利技术涉及一种MOS (金属-氧化层-半导体)型半导体装置以及半导体装置的制造方法，所述MOS型半导体装置包括绝缘栅型场效应晶体管(M0SFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。
技术介绍
关于以往普通MOS型半导体装置的一种即功率MOSFET的表面MOS结构进行说明。图4是示出以往MOSFET的表面MOS结构的核心部分的截...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：立道秀平，西村武义，新村康，井上正范，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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