【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开一种即使没有用于固化高分子的添加剂,也在加热时引起自交联反应的酚系自交联高分子及包含其的抗蚀剂下层膜组合物。所述酚系自交联高分子选自由本说明书的以下述化学式1表示的高分子、以下述化学式2表示的高分子和以下述化学式3表示的高分子组成的组。【专利说明】酚系自交联高分子及包含其的抗蚀剂下层膜组合物
本专利技术涉及一种酚系自交联高分子,更具体地说,涉及即使没有用于固化高分子的添加剂,也在加热时引起自交联反应的酚系自交联高分子及包含其的抗蚀剂下层膜组合物。
技术介绍
随着半导体设备的小型化及集成化引起的图案的大小变小,为了防止光致抗蚀剂图案的坍塌现象,使光致抗蚀剂膜及图案的厚度逐渐变薄。但是,由于使用变薄的光致抗蚀剂图案来蚀刻(etch)被蚀刻层是困难的,所以在光致抗蚀剂与被蚀刻层之间导入耐蚀刻性强的无机物或有机物膜质,将该膜质称为下层膜,所谓下层膜工艺是在使用光致抗蚀剂图案来蚀刻下层膜并图案化后,使用下层膜的图案来蚀刻被蚀刻层的工艺。上述下层膜工艺中使用的下层膜的材质是氮化娃、氮氧化娃、多晶娃、氮化钛、无定形碳(amorphouscarbon)等,通常,由化学气相沉积(chemical vapor deposition:CVD)法制备。虽然根据上述化学气相沉积法生成的下层膜在蚀刻选择性以及耐蚀刻性方面具有的良好物性,但是存在颗粒问题、初期投资费用问题等几个问题。作为用于解决该问题的方法,可以使用如下的方法:使用可旋涂的旋涂碳(spin-on-carbon)下层膜组合物来代替上述沉积式下层膜,形成旋涂碳下层膜。上述旋涂下层膜(旋涂碳 ...
【技术保护点】
一种酚系自交联高分子,其选自由以下述化学式1表示的高分子、以下述化学式2表示的高分子和以下述化学式3表示的高分子组成的组,[化学式1][化学式2][化学式3]所述化学式1至3中,R1、R2、R4、R5、R8及R9各自独立地为氢原子或者包含或不包含杂原子的碳数1至20的直链型、支链型、单环型或多环型的饱和或不饱和烃基;R3、R7及R10各自独立地为包含或不包含杂原子的碳数1至30的直链型、支链型、单环型或多环型的饱和或不饱和烃基;R6是碳数1至40的直链型、支链型、单环型或多环型的饱和或不饱和烃基;m是1或者2,在m为2的情况下,各m重复单元可以直接连接,或者可以通过碳数1至40的直链型、支链型、单环型或多环型的饱和或不饱和烃基连接;n是0至100的整数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:金贞植,金宰贤,李载禹,
申请(专利权)人:株式会社东进世美肯,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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