一种导电高分子材料的电子注入方法技术

一种导电高分子材料的电子注入方法，其使用电荷产生层充当电子注入层的作用。其中，电荷产生层包括过渡金属氧化物层、薄金属层和n型掺杂电子传输层。过渡金属氧化物层由MoO3、V2O5或WO3等构成；薄金属层由Al或Ag等构成；n型掺杂电子传输层由n型掺杂剂和电子传输材料按比例掺杂而成。本发明专利技术利用电荷产生层的结构，在导电高分子材料和电荷产生层的连接处，导电高分子材料的电子空穴对分离成电子，电子进入过渡金属氧化物层的导带，并通过薄金属层和n型掺杂电子传输层，逐步注入到有机电子传输材料的最低未占轨道中。本发明专利技术的电子注入方法更加有效的实现了导电高分子材料的电子注入，并且其电子注入的效果也得到了极大的提高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，其使用电荷产生层充当电子注入层的作用。其中，电荷产生层包括过渡金属氧化物层、薄金属层和n型掺杂电子传输层。过渡金属氧化物层由MoO3、V2O5或WO3等构成；薄金属层由Al或Ag等构成；n型掺杂电子传输层由n型掺杂剂和电子传输材料按比例掺杂而成。本专利技术利用电荷产生层的结构，在导电高分子材料和电荷产生层的连接处，导电高分子材料的电子空穴对分离成电子，电子进入过渡金属氧化物层的导带，并通过薄金属层和n型掺杂电子传输层，逐步注入到有机电子传输材料的最低未占轨道中。本专利技术的电子注入方法更加有效的实现了导电高分子材料的电子注入，并且其电子注入的效果也得到了极大的提高。【专利说明】
本专利技术涉及有机半导体电子材料领域的，尤其涉及一种利用电荷产生层实现导电高分子材料电子注入的方法。
技术介绍
聚噻吩类高分子材料聚(3，4- 二氧乙基噻吩)_聚苯乙烯磺酸(PED0T:PSS)是一种具有众多优点的高分子导电材料。自上世纪七十年代，导电高分子材料被发现以来，受到了越来越多的关注。导电高分子材料的特性不断的改进，被使用到越来越多的领域。在众多的导电高分子材料中，PEDOT:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电高分子材料的电子注入方法，其特征在于，所述方法使用电荷产生层从导电高分子材料向有机电子传输材料进行电子注入；所述电荷产生层包括过渡金属氧化物层、薄金属层和n型掺杂电子传输层；所述过渡金属氧化物层位于所述电荷产生层的底层并与所述导电高分子材料相连；所述n型掺杂电子传输层位于所述电荷产生层的顶层并与所述有机电子传输材料连接；所述薄金属层位于所述过渡金属氧化物层和所述n型掺杂电子传输层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳世宏，许鑫，朱大龙，王东平，谭特，谢应涛，石强，蔡述澄，方汉铿，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31