一种基于自对准双图案的半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种基于自对准双图案的半导体器件的制造方法，包括：提供一后端制程器件，至少包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的介电层；图案化所述介电层，以去除部分所述介电层并形成凹槽；沉积APF材料层并平坦化，以填充所述凹槽；蚀刻所述APF材料层，以形成沟槽以及位于沟槽之间的条状核心线；在衬底上沉积侧壁材料层，然后蚀刻所述侧壁材料层，以在所述条状核心线的侧壁上形成间隔壁；蚀刻去除所述条状核心线，不再单独执行端切的步骤，以形成平行的条状图案。本发明专利技术所述方法使得在半导体器件的后端制程（BEOL）中不再执行端切步骤即可获得目标图案，使工艺简单、易控。

【技术实现步骤摘要】
一种基于自对准双图案的半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，本专利技术涉及一种基于自对准双图案的半导体器件的制造方法。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于NAND闪存以页为单位读写数据，所以适合于存储连续的数据，如图片、音频或其他文件数据；同时因其成本低、容量大且写入速度快、擦除时间短的优点在移动通讯装置及便携式多媒体装置的存储领域得到广泛的应用。目前，为了提高NAND闪存的容量，需要在制备过程中提高NAND闪存的集成密度。在制备NAND闪存过程中，间隔物图案化技术(Spacerpatterningtechnology，SPT)以及自对准双图案技术(selfaligneddoublepatterning，S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于自对准双图案的半导体器件的制造方法，包括：提供一后端制程器件，至少包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的介电层；图案化所述介电层，以去除部分所述介电层并形成凹槽；沉积APF材料层并平坦化，以填充所述凹槽；蚀刻所述APF材料层，以形成沟槽以及位于沟槽之间的条状核心线；在衬底上沉积侧壁材料层，然后蚀刻所述侧壁材料层，以在所述条状核心线的侧壁上形成间隔壁；蚀刻去除所述条状核心线，不再单独执行端切的步骤，以形成平行的条状图案。

【技术特征摘要】
1.一种基于自对准双图案的半导体器件的制造方法，包括：提供一后端制程器件，至少包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的介电层；图案化所述介电层，以去除部分所述介电层并形成凹槽；沉积APF材料层并平坦化，以填充所述凹槽；蚀刻所述APF材料层，以形成沟槽以及位于沟槽之间的条状核心线；在衬底上沉积侧壁材料层，然后蚀刻所述侧壁材料层，以在所述条状核心线的侧壁上形成间隔壁；蚀刻去除所述条状核心线，以形成平行的条状图案；选用导电材料填充所述平行的条状图案之间的沟槽并进行平坦化，不再执行端切步骤即获得目标图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：以所述平行的条状图案为掩膜蚀刻所述介电层，以将所述条状图案转移到所述介电层中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁材料层为硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁材料层为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张城龙，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31