一种低辐射玻璃的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种低辐射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤：A、交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2介质层；B、直流电源溅射铬平面靶，在TiO2介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO2介质层上磁控溅射AZO平整层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、直流电源溅射，在Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、交流中频电源溅射锡靶，在(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO2保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步SnO2保护层上磁控溅射C层。本发明专利技术的目的提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的低辐射玻璃的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了,其特征在于包括以下步骤：A、交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2介质层；B、直流电源溅射铬平面靶，在TiO2介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO2介质层上磁控溅射AZO平整层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、直流电源溅射，在Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、交流中频电源溅射锡靶，在(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO2保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步SnO2保护层上磁控溅射C层。本专利技术的目的提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的低辐射玻璃的制作方法。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。现有的低辐射玻璃其强度不够很容易遭受损坏，影响正常的使用，不能满足使用者的需求，故此，现有的低辐射玻璃有待于进步完善。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的低辐射玻璃的制作方法。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案:，其特征在于包括以下步骤:A、采用氩气作为 反应气体，交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2介质层；B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中TiO2介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的TiO2介质层上磁控溅射AZO平整层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO平整层上磁控派射Ag功能层；E、采用氮气作为反应气体，渗少量氧气，直流电源溅射，在步骤D中的Ag功能层上磁控派射(NiCr) xOy层；F、采用氧气作为反应气体,交流中频电源派射锡祀,在步骤E中的(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO2保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步骤F中的SnO2保护层上磁控溅射C层。如上所述的，其特征在于步骤A中所述TiO2介质层的厚度为10~30nm，溅射功率为30~90KW。如上所述的，其特征在于步骤B中CrNx阻挡层的厚度为0.5~2nm，氩气与氮气的体积流量比为1:2。如上所述的，其特征在于步骤C所述AZO平整层的厚度为5~20nm。如上所述的，其特征在于步骤E中所述Ag功能层的厚度为7~IOnnio如上所述的，其特征在于所述(NiCiOxOy层的厚度为0.5 ~5nm。如上所述的，其特征在于所述SnO2保护层的厚度为20 ~50nm。如上所述的，其特征在于所述C层的厚度为10~20nmo综上所述，本专利技术的有益效果:本专利技术工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。本专利技术中(NiCr)xOy能提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。本专利技术中C层代替PE保护膜或隔离粉，防止镀膜玻璃在处理过程中被划伤；此膜层在钢化过程中会被完全燃烧，从而不影响镀膜玻璃的光学性能。本专利技术产品特点:透过率达83%，辐射率小于0.08，膜层不易被划伤。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本专利技术做进一步描述:实施例1本专利技术，包括以下步骤:A、采用氩气作为反应气体，交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2介质层；所述氩气的气体流量lOOOsccm，所述TiO2介质层的厚度为10nm，溅射功率为30KW ；B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中TiO2介质层上磁控派射CrNx阻挡层；所述CrNx阻挡层的厚度为0.5nm, IS气与氮气的体积流量比为1:2，即氩气与氮气的体积流量比为500SCCm:lOOOsccm ；CrNx阻挡层有效防止Ag层被氧化；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的TiO2介质层上磁控溅射AZO平整层；ΑΖ0平整层的厚度为5nm，AZO平整层为Ag层作铺垫，降低辐射率；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO平整层上磁控派射Ag功能层；所述Ag功能层的厚度为7nm ；E、采用氮气作为反应气体，渗少量氧气，直流电源溅射，在步骤D中的Ag功能层上磁控派射(NiCr) xOy层；所述(NiCr) xOy层的厚度为0.5nm ； (NiCr) xOy层能有效提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性；F、采用氧气作为反应气体,交流中频电源派射锡祀,在步骤E中的(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO2保护层；所述SnO2保护 层的厚度为20nm ；Sn02保护层耐腐蚀性好；G、直流电流溅射石墨靶，在步骤F中的SnO2保护层上磁控溅射C层，所述C层的厚度为10nm。此层不是LOW-E玻璃的功能层，是用来代替镀完LOW-E膜后的PE保护膜或隔离粉，防止镀膜玻璃在处理过程中被划伤；此膜层在钢化过程中会被完全燃烧，从而不影响镀膜玻璃的光学性能。本专利技术产品透过率达83%，辐射率小于0.08，膜层不易被划伤。实施例2本专利技术，包括以下步骤:A、采用氩气作为反应气体，交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2介质层；所述氩气的气体流量lOOOsccm，所述TiO2介质层的厚度为30nm，溅射功率为90KW ；B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A中TiO2介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；所述CrNx阻挡层的厚度为2nm，氩气与氮气的体积流量比为1:2，即氩气与氮气的体积流量比为500SCCm:lOOOsccm ；CrNx阻挡层有效防止Ag层被氧化；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的TiO2介质层上磁控溅射AZO平整层；AZ0平整层的厚度为20nm，AZO平整层为Ag层作铺垫，降低辐射率；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO平整层上磁控派射Ag功能层；所述Ag功能层的厚度为IOnm ；E、采用氮气作为反应气体，渗少量氧气，直流电源溅射，在步骤D中的Ag功能层上磁控派射(NiCr) xOy层；所述(NiCr) xOy层的厚度为5nm ； (NiCr) xOy层能有效提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性；F、采用氧气作为反应气体,交流中频电源派射锡祀,在步骤E中的(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO2保护层；所述SnO2保护层的厚度为50nm ；Sn02保护层耐腐蚀性好；G、直流电流溅射石墨靶，在步骤F中的SnO2保护层上磁控溅射C层，所述C层的厚度为20nm。此层不是LOW-E玻璃的功能层，是用来代替镀完LOW-E膜后的PE保护膜或隔离粉，防止镀膜玻璃在处理过程中被划伤；此膜层在钢化过程中会被完全燃烧，从而不影响镀膜玻璃的光学性能。`本专利技术产品透过率达83%，辐射率小于0.08，膜层不易被划伤。实施例3本专利技术，包括以下步骤:A、采用氩气作为反应气体，交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2介质层；所述氩气的气体流量lOOOsccm，所述TiO2介质层的厚度为20n本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏佳坤，
申请(专利权)人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：