本发明提供自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件。自立式衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序（ａ）～（ｃ）。（ａ）在衬底上配置无机粒子的工序、（ｂ）生长半导体层的工序、（ｃ）...

本发明提供一种有机金属化合物供给容器，在容器上部配设载气导入管的前端部，在底部配设载气导出管的前端部，且在该容器内填充载体担载有机金属化合物而构成，该载体担载有机金属化合物是在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆常温下固体的有机金属化...

本发明的含氟化合物为以右述通式（Ⅰ）表示的化合物，式Ⅰ中，Ａｒ↑［１］及Ａｒ↑［２］分别独立地表示碳原子数为１０以上的芳烃基或碳原子数为４以上的杂环基，Ｒ↑［１］表示氢原子或１价的取代基，Ｒ↑［２］及Ｒ↑［３］分别独立地表示１价的取代基...

本发明目的是提供可以高效地获得具有优异的电荷输送性，同时对溶剂的溶解性优异的稠环化合物的稠环化合物的制备方法。本发明的稠环化合物的制备方法是在胺和金属络合物催化剂的存在下，使上述通式（１ａ）表示的化合物和下述通式（１ｂ）表示的化合物反应...

本发明公开了一种具有良好电流滞后特征的氮化镓基的场效应晶体管，其中可以减少正向栅泄漏。在具有栅绝缘膜（１０８）的氮化镓－基场效应晶体管（１００）中，构成栅绝缘膜（１０８）的材料的一部分或全部是相对介电常数为９－２２的介电材料，并且与栅绝...

本发明的课题在于，提供一种稠环化合物，所述稠环化合物能够发挥充分的电荷传输性，同时对于溶剂具有优良的溶解性。本发明的稠环化合物以下述通式（１）表示，式（１）中，Ｒ↑［１１］及Ｒ↑［１２］分别独立地表示氢原子、碳原子数１～２０的烷基、烷氧...

本发明提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含（ａ１）、（ｂ１）及（ｃ１），即：（ａ１）Ｎ电极；（ｂ１）半导体多层膜；（ｃ１）透明导电性氧化物Ｐ电极，在此，半导体多层膜依次包含Ｎ型半导体层、发光层、Ｐ...

一种具有式（１）表示的结构的金属络合物。（Ｘ↓［１］及Ｘ↓［２］分别独立地表示碳原子或氮原子，Ｘ↓［１］１＊Ｃ及Ｘ↓［２］２＊Ｎ表示的键为单键或双键，Ｍ表示过渡金属原子，并且，由含有Ｃ－－－－Ｘ↓［１］－Ｘ↓［２］表示的结构的面和含有Ｘ...

本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布Ｉ（θ、ф）不依存于ф方向，而是具有大体由Ｉ（θ、ф）＝Ｉ（θ）表示的配光分布，Ｉ（θ、ф）表示（θ、ф）方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角...

本发明提供色调的稳定性优越，同时，还能够调节色调，且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备，所述发光二极管从具有ｐｎ结的半导体材料及该半导...

本发明提供一种含有共轭系高分子主链和选自以下的（ａ）、（ｂ）及（ｃ）中的１种以上的侧链的高分子化合物。（ａ）为具有电子输送性的侧链，该侧链的ＬＵＭＯ能量的值与该共轭系高分子主链的ＬＵＭＯ能量的值互不相同，其差的绝对值在０．３ｅＶ以下。（...

本发明提供基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光元件。基板的微细加工方法在从具有单粒子层的基板除去单粒子层后，利用蚀刻，以载置过构成单粒子层的各个粒子的基板的位置为中心，形成具有比粒子的直径小的内径的孔。基板的制造方法依次包括如下的工...

公开了一种低成本制造高纯度硅的新方法。特别是公开了一种低成本制造适用作太阳能电池原料的高纯度硅的新方法。具体而言，公开了一种制造硅的方法，其中二氧化硅在电解容器中进行熔盐电解，所述的方法顺序包括下面的步骤，步骤（１）其中通过使用含硅合金...

一种沿聚合物主链长度具有多个区域并包含两个或两个以上下述区域的有机聚合物，其中有供输送负电荷载流子的、并具有由第一ＬＵＭＯ能级与第一ＨＯＭＯ能级确定的第一区域，供输送正电荷载流子的、并具有由第二ＬＵＭＯ能级与第二ＨＯＭＯ能级确定的第二区...

本发明提供了一种化学放大型正光刻胶组合物，其包含：（Ａ）一种树脂和（Ｂ）一种酸生成剂，所述的树脂包含（ｉ）５至５０摩尔％的式（Ⅰ）的结构单元、（ｉｉ）５至５０摩尔％的式（Ⅱ）的结构单元，和（ｉｉｉ）５至５０摩尔％的至少一种选自由式（Ⅲ）...

一种半导体器件，是使用了３－５族化合物半导体单晶的半导体器件，在该器件中，具备经掺杂的３－５族化合物半导体单晶外延层、在该３－５族化合物半导体单晶外延层上形成的Ｓｉ层、和在该Ｓｉ层上作为欧姆电极而形成的金属电极。

一种３～５族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式Ｉｎ↓［ｕ］Ｇａ↓［ｖ］Ａｌ↓［ｗ］Ｎ（式中０≤ｕ≤１、０≤ｖ≤１、０≤ｗ≤１，ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）表示的缓冲层和用通式Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ａｌ↓［ｚ］Ｎ（式中０≤ｘ≤...

本发明提供一种三甲基镓以及一种制造该三甲基镓的方法。该三甲基镓具有小于０．１ｐｐｍ的总有机硅化合物含量；且该方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取所含有的有机硅化合物；藉由气相色谱－质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于...

本发明提供一种３－５族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个以下的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ａｌ↓［ｚ］Ｎ表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的２个阻挡层构成的量子阱结构，其中，...

提供一种固体摄像装置和固体摄像元件收纳用壳体，所述固体摄像元件收纳用壳体具有与底板一体形成的肋，可抑制壳体成形时产生的翘曲、并可减少由安装时的热产生的变形。该固体摄像装置的动作可靠性较高，即使使用温度变化，也可减少读取不良等情况。