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住友化学株式会社专利技术
住友化学株式会社共有6560项专利
芳族聚合物制造技术
本发明公开了一种芳族聚合物,其含有一种以上的由右式(1)表示的重复单元。(在该式中,Ar↑[1]表示含有稠环结构的亚芳基或者含有π-共轭体系的二价杂环化合物基,并且包含由右式(2)表示的基团。该基团连接具有sp↑[2]杂化轨道的碳原子,...
芳族接枝聚合物制造技术
一种芳族接枝聚合物,其包含一种以上的由右式(1)表示的重复单元。(在式中,Ar↑[1]表示带有由下式(2)表示的侧链的π-共轭环状化合物的二价残基,并且所述侧链与包含在由Ar↑[1]表示的π-共轭环状化合物的二价残基的环结构中并且具有s...
白光有机电致发光器件制造技术
本发明公开的是一种具有优异的器件特性如效率的白光聚合物有机电致发光器件。具体公开的是一种含有聚合物材料作为电子传输材料或发光材料的白光有机电致发光器件,其中层压至少两个发射不同颜色的光的发光层,并且发光层中的至少一个是交联的发光层。所述...
共轭高分子化合物以及使用该共轭高分子化合物的高分子发光元件制造技术
本发明提供了一种适合用作发光材料或电荷输送材料的、电子注入性优良的高分子化合物,其含有下述式(a)所示的结构作为部分结构。(式中,A环和B环分别独立地表示芳香族环或者非芳香族环,A环和B环的至少一个是芳香族环。另外,C环表示芳香族环。Z...
固体摄像元件收纳用壳体、其制造方法以及固体摄像装置制造方法及图纸
本发明提供一种固体摄像元件收纳用壳体、及其制造方法、和具备该壳体的固体摄像装置,该固体摄像元件收纳用壳体是一种树脂制中空壳体,由大致矩形的树脂制底板及大致立设于其周缘的树脂制侧壁一体形成,并且插入设置有金属制引线端子和固定设置固体摄像元...
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法技术
本发明涉及Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(Ⅰ-1)~(Ⅰ-6):(Ⅰ-1)在衬底基板上配置无机粒子;(Ⅰ-2)以无机粒子为蚀刻掩模,干法蚀刻衬底基板,在衬底基板上形成凸部;(Ⅰ-3...
氮化镓单晶基板及其制造方法技术
本发明涉及一种具有降低了位错密度的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法,其特征在于,在制造具有作为由通式In↓[x]Ga↓[y]Al↓[z]N(式中x+y+z=1,0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1)表示的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单...
半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件技术
本发明提供一种第3-5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12),并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后,在通过选择性生长形成第3-5族氮化物半导体结晶层(14)之后,将第...
无线标签及其制造方法技术
提供一种含芳香族聚醚砜薄膜和天线电路的无线标签。该无线标签优选在芳香族聚醚砜薄膜上使用导电糊形成天线电路,然后热处理的方法进行制造。根据本发明可以得到热处理中没有问题,天线电路和绝缘底膜间的密着性充分高的无线标签。
多孔电极、包含该多孔电极的设备及其制备方法技术
本发明公开的多孔电极包括具有通孔的多孔薄膜(A)和选自导体和半导体的导电材料,多孔薄膜(A)具有0.02-3μm的平均孔径d1和40-90%的孔隙率,导电材料填充到多孔薄膜(A)的通孔中。也公开了含有多孔电极作为组件的染料敏化型太阳能电...
具有氧碳基的聚合物及其用途制造技术
本发明提供一种具有通式(1)表示的氧碳基的聚合物,本发明的具有氧碳基的聚合物,作为使用氢气等气体燃料、甲醇和二甲醚等液体燃料的固体聚合物型燃料电池的质子传导膜用材料即聚合物电解质是有用的。
正极活性物质粉末制造技术
本发明提供一种正极活性物质粉末,其是包括能够掺杂.脱掺杂锂离子的粒状的材料(A)以及在该材料的表面上以粒子或者层状载置的附着物(B)(在此,该材料(A)与该附着物(B)不相同)的粒状正极活性粉末,其特征在于[粒径1μm以下的粒子的体积之...
正极用粉末和正极合剂制造技术
本发明的正极用粉末含有正极活物质粉末和石墨粉末,其中,所述正极活物质粉末含有一次颗粒和一次颗粒的聚集颗粒,该正极活物质粉末中的一次颗粒和一次颗粒的聚集颗粒中,90%以上数目的颗粒的粒径为0.01μm~5μm;所述石墨粉末是含有石墨颗粒的...
正极活物质粉末制造技术
本发明的正极活物质粉末包含一次颗粒和一次颗粒的聚集颗粒,该粉末中的一次颗粒和一次颗粒的聚集颗粒的体积基准平均粒径为0.1μm~3μm,[粒径为5μm以上的颗粒的体积之和]/[全部颗粒的体积之和]的百分率为10%以下,粉末的BET比表面积...
高分子电解质膜的制造方法、高分子电解质膜以及直接甲醇型燃料电池技术
本发明的高分子电解质膜的制造方法具有通过选自加热处理、活性能量线照射处理和放电处理中的改性处理对用多价阳离子盐取代的高分子电解质膜进行改性的工序,优选进行用酸对改性后的高分子电解质膜进行处理的工序。通过该方法,可以获得能以高水平实现甲醇...
含稠环的高分子电解质及其用途制造技术
本发明的高分子电解质以1~30重量%的重量分率具有下述通式(1)表示的结构单元。上述高分子电解质具有高离子传导率,并且耐水性优异。式中,A环、B环分别独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环或可以具有取代基的杂环,X↑[1]、X↑[2]分别...
高分子层叠膜、其制造方法及其用途技术
本发明涉及由含有超强酸基的芳香族高分子电解质所形成的膜(Ⅰ)和选自全氟烷基磺酸高分电解质及非超强酸高分子电解质组中的1种所形成的膜(Ⅱ)而形成的层叠膜;以及由全氟烷基磺酸高分子电解质所形成的膜(Ⅲ)和非超强酸高分子电解质所形成的膜(Ⅳ)...
嵌段共聚物及其应用制造技术
一种嵌段共聚物,其特征在于所述嵌段共聚物具有至少一种含酸基的嵌段和至少一种基本不含酸基的嵌段,所有嵌段的至少一种嵌段中的重复单元的一个端基为氧和/或硫,并且至少一种基本不含酸基的嵌段的重复单元包含卤原子。
高分子电解质膜的连续制造方法及其制造装置制造方法及图纸
本发明提供一种高分子电解质膜的制造方法和其制造装置,是在多孔性基材的至少一个面上涂敷高分子电解质溶液,对已被涂敷的多孔性基材施加下式(A)0.01≤F≤10的范围的张力F(kg/cm),层叠该已被涂敷的多孔性基材和支撑材料而成。由此,可...
芳族聚醚型离子传导超高分子量聚合物、其中间体,以及它们的制备方法技术
提供了具有改进的机械强度的芳族聚醚型离子传导聚合物隔膜。离子交换能力为0.1meq/g或更高,并具有包含其中引入了酸基的芳族聚醚型超高分子量聚合物的结构的芳族聚醚型离子传导超高分子量聚合物,所述芳族聚醚型超高分子量聚合物具有至少一个选自...
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