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住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5346项专利
光收发器制造技术
一个实施方式所涉及的光收发器具有:框体,其在内侧具有内表面;第1印刷基板,其安装有通过消耗电力而发热的CDR;第2印刷基板,其配置在内表面及第1印刷基板之间;保护部件,其设置为与内表面平行地将CDR的周围包围;导热性凝胶,其与CDR、保...
光纤、着色光纤及光传输系统技术方案
提供了一种光纤,该光纤的有效面积可以容易地增大并且弯曲损耗特性可以容易地提高。该光纤包括:玻璃纤维,其包括芯部和包层;第一树脂被覆层,其与玻璃纤维相接触并且围绕玻璃纤维;第二树脂被覆层,其围绕第一树脂被覆层,并且第二树脂被覆层的杨氏模量...
带操作部的线缆制造技术
提供一种带操作部的线缆,该带操作部的线缆的纤芯电线不易断线。带操作部的线缆(1)在包含多根纤芯电线的线缆(2)的中途具有操作部(3),其中,多根纤芯电线被捆束而形成电线束,电线束分为两组而被包覆树脂包覆,线缆(2)具有:在操作部(3)的...
光连接部件及光耦合构造制造技术
本发明公开一种光连接部件,其能够沿第1方向与至少1个光波导部件对接而连接。该光连接部件具备:保持构件,其具有前端面、后端面、基准面、至少一对第1引导孔、以及至少一对第2引导孔,该前端面与第1方向交叉,该后端面在第1方向上位于前端面的相反...
多晶金刚石体、切削工具、耐磨工具、磨削工具以及用于制造多晶金刚石体的方法技术
本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中,所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或...
偏置电路制造技术
本发明包括:第一电源(3),被配置成输出第一栅极偏置电压将功率放大器(2)转到导通状态所需的电压;第二电源(4),被配置成输出第二栅极偏置电压将功率放大器(2)转到截止状态所需的电压;转换开关(5),连接在第一电源(3)和功率放大器(2...
碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法技术
假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷,其中偏离角为θ°,碳化硅层的厚度为Wμm,在与通过将偏离方向投影到第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm,并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为...
碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法技术
假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷,并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷,其中偏离角为θ°,在垂直于第二主面的方向上碳化硅层的厚度为Wμm,通过将平行于偏离方向的方向投影到所述第二主面上而获得的方向上的一个...
控制装置、程序更新方法和计算机程序制造方法及图纸
提供一种控制装置,控制车载控制设备的控制程序的更新,该车载控制设备控制安装在车辆上的装置。该控制装置包括:存储器,用于存储用于更新控制程序的程序;确定单元,确定存储器中存储的用于更新的程序的优先权;控制单元,根据确定的优先级,按照优先级...
多芯电缆制造技术
本发明的目的是提供一种多芯电缆用芯电线和采用该芯电线的多芯电缆,该芯电线在低温下具有优异的耐曲挠性。该多芯电缆用芯电线包括:具有多根缠绕在一起的绞合线的导体;以及覆盖该导体的外周的绝缘层。在该导体的横截面中,多根绞合线之间的空隙区域所占...
放大设备制造技术
一种放大设备,包括:放大器,其放大具有预定频率带中的基本频率的信号;输入谐波处理电路,其连接到放大器的输入侧,并在信号的谐波频率处执行输入侧阻抗匹配;以及,输出谐波处理电路,其连接到放大器的输出侧,并在信号的谐波频率处执行输出侧阻抗匹配...
能量存储系统以及能够稳定利用可变电力的系统技术方案
该能量存储系统设置有:发热装置,其利用电力产生热量;以及蓄热装置,其存储由发热装置产生的热量。该发热装置设置有:电动机,其被连接到电力系统,并且通过从该电力系统接收的多余电力来旋转;以及发热器,其具有由电动机旋转的旋转单元以及通过电磁感...
氧化还原液流电池用电极和氧化还原液流电池制造技术
一种氧化还原液流电池用电极,其包含含有碳的基材的聚集体。当将所述基材的横截面中的以所述基材的重心为中心并且具有所述基材的等面积当量圆直径的95%的直径的圆定义为基准圆时,所述基材包含从所述基材表面向内部延伸并且沿着其延伸方向的路径部分地...
控制设备、程序更新方法和计算机程序技术
提供一种配置为控制车载控制装置的控制程序的更新的控制设备,所述车载控制装置控制安装在装配有多个电源的车辆中的目标装置,其中所述控制设备装配有:检测单元,用于检测向目标装置供应电力的多个电源的状态;和确定单元,用于当所述检测单元检测到的所...
沸石膜和分离膜制造技术
一种沸石膜,其为在无机氧化物多孔基材上形成的MFI型沸石膜,其中,在所述沸石膜的通过以CuKα射线作为射线源的X射线衍射测定得到的衍射图谱中,在以衍射角7.3°~8.4°处显示的、晶格面归属于011和/或101面的衍射峰的强度为基准时,...
双极板、单元框架、单元组和氧化还原液流电池制造技术
被布置在氧化还原液流电池的正极电极和负极电极之间的该双极板包括位于双极板的面向正极电极和负极电极中的至少一个的表面上的多个沟部和脊部,电解液流动通过多个沟部,该脊部位于相邻的沟部之间。在构成所述沟部的沟部内表面的至少一部分中,由算数平均...
光纤和光纤母材的制造方法技术
本发明提供一种具有中心轴的光纤,所述光纤包括芯和包层,所述芯沿所述中心轴延伸并且含有碱金属元素,所述包层的折射率低于所述芯的折射率,其中,将相对于所述中心轴的径向距离定义为r,将在径向距离r处通过光纤传播的光的能量定义为P(r),在rP...
光纤保持部件、光连接器及光耦合构造制造技术
本发明公开一种光纤保持部件,其配置在对多个光纤进行保持的插芯内,该多个光纤各自在从中心轴线上偏移的区域具有至少一个纤芯,该多个光纤在与中心轴线交叉的第1方向上排列。该光纤保持部件具备:保持部,其对从各光纤的前端去除了规定长度的树脂包覆的...
分离膜的制造方法技术
一种分离膜的制造方法,其为在无机氧化物多孔基材上形成了沸石膜的分离膜的制造方法,其中,所述基材的沸石形成部分的主要成分为非晶质SiO2,所述分离膜的制造方法包含:在所述基材的表面形成沸石的晶种以及含有结构导向剂的碱性成分的第一工序、和在...
半导体器件及其形成方法技术
本发明披露了一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法。高电子迁移率晶体管(HEMT)类型的半导体器件具有位于半导体层上的双层SiN膜,其中第一SiN膜通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术形成,而第二SiN膜通过等离子体辅助CVD(p‑...
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