在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm

一种制造铜线材的方法，该方法获得了由铜或铜合金制成的铜线材，所述方法包括：准备上引铸造材料的准备步骤，其中通过进行上引铸造，使得由铸造模具向上牵引的铸杆的线径为8mm以上，并且铸杆的上引周期与线径之比为0.5以下，从而获得上引铸造材料；...

本发明涉及一种光学模块和光学设备，所述光学模块能够以预置角度将半导体光学器件与光子器件耦合。光学模块设置有外壳，所述外壳安装半导体光学器件。外壳设置有：底部，所述底部具有底开口；顶部，所述顶部面对底部；和至少一个侧壁，所述至少一个侧壁将...

本发明披露了一种透镜组件和光通信组件，透镜组件用于使光学元件与光纤光耦合。透镜组件包括准直透镜表面、发射表面、反射表面和支撑件。准直透镜表面将入射光转换为准直光。发射表面发射准直光。将准直光朝向发射表面反射的反射表面位于准直透镜表面与发...

本发明提供了一种用于制造多芯光纤(MCF)的方法，在该MCF中，芯的位置相对于MCF的外部形状的变化小。该方法包括：一体化步骤，其中加热共用包层管和芯棒，从而使管与芯棒一体化，以形成包括多个芯和共用包层并且具有非圆形截面形状的芯‑包层复...

本公开提供了一种使用低成本且具有高精度的大型光纤母材的光纤制造方法。该光纤制造方法至少包括：定位步骤，其中将芯棒定位在含有碳作为主要成分的中空碳管内；烟炱母材制备步骤，其中通过用含有SiO2作为主要成分的石英粉填充碳管和芯棒之间的间隙从...

本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶...

一种制造多芯光纤的方法，包括形成环形封端孔的步骤，该环形封端孔从玻璃棒的第一端朝向第二端轴向延伸；加热环形封端孔的底部并软化被环形封端孔包围的中心棒的步骤；将中心棒朝向第一端侧拔出，由环形封端孔形成柱状封端孔，并将玻璃棒作为包层材料的步...

本方法具有：电缆制造步骤，制造电力电缆，该电力电缆具有导体以及设置为覆盖导体的外周的绝缘层；薄片形成步骤，通过在电力电缆的轴向上的一部分中以预定厚度以向内螺旋的方式切割绝缘层来形成用于检查的薄片；以及检查步骤，通过测量用于检查的薄片的预...

提供了一种控制装置，该控制装置控制车内控制装置的控制程序的更新，该车内控制装置控制安装在车辆上的主题装置，该控制装置包括：存储器，其存储用于更新控制程序的程序；和控制单元，其根据对存储在所述存储器中的多个更新程序设置的更新顺序来更新多个...

本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶...

本发明涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述碳化硅具有六方晶体结构。本发明还涉及一种碳化硅基板，其包含碳化...

提供了一种安装在车辆上的车外通信装置，包括：接收单元，被配置为从位于所述车辆外部的外部装置接收数据；位置获取单元，被配置为基于由所述接收单元接收到的数据，创建指示所述数据的传输源的位置的传输源位置信息；对应信息获取单元，被配置为获取指示...

根据本公开的超导线圈设置有：基板，所述基板具有第一表面和第二表面；超导层，所述超导层具有第三表面和第四表面；稳定化层；以及保护层。所述第二表面与所述第一表面相反。所述第四表面与所述第三表面相反。所述超导层设置在所述基板上，使得所述第三表...

提供了一种包括双极板和框架本体的单元框架，该单元框架还包括：连接到入口狭缝并在单元框架的宽度方向上延伸的引入侧流动控制沟；连接到出口狭缝并在宽度方向上延伸的排放侧流动控制沟；和使引入侧流动控制沟部和排放侧流动控制沟部相互连通的扩散沟单元...

根据本公开的一个实施例的超导线材设置有：基板，所述基板具有第一表面和第二表面；超导层，所述超导层具有第三表面和第四表面；以及覆层。第二表面与第一表面相反。第四表面与第三表面相反。超导层被布置在基板上，使得第三表面面向第二表面。覆层被布置...

一种镁合金构件，其包含含有由与美国材料与试验协会标准的AZ91合金相当的镁合金构成的板状部分的合金基材。所述合金基材具有表面，所述表面的一部分为表面粗糙度Ra小于0.3μm的镜面加工部。

提供一种安装在车辆上的车载通信系统，其包括：网关，其能够执行伴随通信协议转换的中继处理；以及一个或多个交换装置，其执行不伴随通信协议转换的中继处理。所述网关或所述交换装置管理安装在所述车辆上的目标装置的数据更新。所述网关从设置在所述车辆...

一种作为III‑V族化合物半导体基板的磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm

一种包含树脂组合物的中空挤出成型体，所述树脂组合物包含：由乙烯‑丙烯酸乙酯共聚物或乙烯‑丙烯酸乙酯共聚物和线性低密度聚乙烯组成的基体树脂、溴化阻燃剂、三氧化二锑和平均粒径为0.5μm至3.0μm的氢氧化镁。在所述中空挤出成型体中，乙烯‑...