该电抗器设置有：线圈(2)；磁芯(3)，线圈设置在磁芯上；以及壳体，其容纳由线圈(2)和磁芯(3)构成的组合体(10)。壳体设置有：底板部(40)，其由金属材料构成；侧壁部，其附接到底板部(40)上并包围组合体(10)的外周。用于固定线...

本发明涉及一种适用于进行双向光学通信的光传输线路的多芯光纤和双向光学通信方法。该多芯光纤具有位于共同的包层中的多个芯部。在多个芯部中的任意芯部中，光信号沿第一方向传输；在位于与所述任意芯部最紧邻的位置的所有芯部中，光信号沿第二方向传输，...

本发明的目的是使能以点对多点通信实现下行链路。提供了一种无线电通信系统(1)，该无线电通信系统(1)经由无线电通信装置(2)将信息提供给移动终端(3)，该无线电通信装置(2)执行与移动终端(3)的无线电通信。移动终端(3)能够接收通过能...

MOSFET(1)设置有：衬底(10)，其包括碳化硅、在其一个主表面(10A)侧开口、具有被形成在其中的具有侧壁表面(19A)的沟槽(19)；栅极绝缘膜(21)，其被形成为与侧壁表面(19A)的顶部接触；以及栅电极(23)，其被形成为与...

将钛酸钠用作钠电池用负极活性物质以提高钠电池的循环性能。例如，所述负极活性物质优选为具有如下组成式(1)或(2)的钛酸钠。Na2+XTi3O7  (0≤X≤0.9)  组成式(1)Na4+XTi5O12  (0≤X≤1.0)  组成式(...

一种制造半导体器件的方法，包括：制备由碳化硅制成的且具有形成的n型区域(14、17)的衬底，使该衬底包括一个主表面(10A)的步骤；在包括主表面的区域中形成p型区域(15、16)的步骤；通过在不小于1250℃的温度下加热其中形成有p型区...

MOSFET(1)设置有：第一沟槽(16)，其向主表面(10a)侧打开；衬底(10)，其包括碳化硅，在其主表面(10A)侧打开，其中形成有比第一沟槽(16)浅的第二沟槽(17)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；以及源电极(50)，其...

用于制造半导体器件的本方法包括：制备衬底(10)的步骤；形成栅极绝缘膜(20)的步骤；形成栅电极(30)的步骤；形成包围栅电极(30)的层间绝缘膜(40)的步骤；形成穿过层间绝缘膜(40)并且暴露衬底(10)的主表面(10A)的接触孔的...

一种液体过滤装置，其具有：过滤膜单元；清洗单元，其从供给被过滤液这一侧，对该过滤膜单元的过滤面进行清洗；以及压力检测单元，其检测由过滤膜单元进行过滤前后的压力差，过滤膜单元具有两层过滤膜。另外，将该液体过滤装置作为海水的过滤装置使用，形...

一种制备MOSFET(1)的方法，包括：制备碳化硅衬底(10)的步骤；形成与衬底(10)进行欧姆接触的漏电极(51)的步骤；以及形成与漏电极(51)的顶部接触的背表面焊盘电极(80)的步骤。在漏电极(51)形成步骤中，形成包括含有Ti和...

本发明包括具有第一导电类型的第一、第三和第四区域(10、14、以及15)，以及具有第二导电类型的第二区域(13)。第二区域(13)设置有暴露第一区域(10)的多个通孔。第三区域(14)包括接触部分(14M)、连接部分(14W)、以及填充...

本发明的实施例的晶体管保护电路10是一种用于保护电压驱动晶体管20的晶体管保护电路，该电压驱动晶体管20是通过由驱动电路将电源40的高电位侧电压或低电位侧电压施加至该晶体管的栅极端子而受开关控制。该晶体管保护电路10具有电源控制器12，...

本发明提供一种由含有两种以上金属元素的待处理材料安全且低成本地获得高纯度的特定金属的方法。本发明的熔融盐电解金属制造方法的特征在于包括以下步骤：使包含于待处理材料中的两种以上金属元素溶解在熔融盐中的步骤；以及通过在溶解了上述金属元素的熔...

本发明提供了一种具有高容量并能够实现高输出的电极材料、以及使用所述电极材料的电池、非水电解质电池和电容器。所述电极材料包含担载于片状铝多孔体上的活性材料，该电极材料的特征在于：所述铝多孔体具有这样的骨架结构，该骨架结构的内部具有空隙并且...

一种超导电缆（1000）设置有超导导体层，和将超导导体层冷却到超导状态的冷却剂（130c）的流动路径。该电缆（1000）包括：芯（110），其设置有所述超导导体层和绝缘层；冷却剂管（130），形成冷却剂流动路径并且与所述芯（110）平行...

一种MOSFET(1)设置有：衬底(10)，该衬底设置有沟槽(20)，该沟槽(20)具有相对于{0001}面具有50°至65°的偏离角的壁表面(20A)；氧化物膜(30)；和栅电极(40)。该衬底(10)包括源极区(14)、体区(13)...

碳化硅层（50）包括具有第一导电类型的第一区（51）、提供在第一区上并具有第二导电类型的第二区（52），以及设置在第二区（52）上并具有第一导电类型的第三区（53）。具有内表面的沟槽（TR）形成在碳化硅层（50）中。沟槽（TR）穿过第二...

提供了一种熔融盐电池设备，该设备能够很容易加热熔融盐电池，减少启动时的启动待机持续时间，并且能够减少用于加热熔融盐电池所需要的能量。还提供了一种用于熔融盐电池设备的控制方法。熔融盐电池设备(1)设置有多个熔融盐电池单元(3)和能够在室温...

本发明提供一种耐热阻燃树脂组合物，其是通过将无机填料和/或阻燃剂共混入无规聚丙烯和氟橡胶组合物的混合物中、并进一步用电离辐射照射该混合物从而使所述氟橡胶组合物和所述无规聚丙烯交联而制成的树脂组合物，其中所述氟橡胶组合物包含四氟乙烯-α-...

一种制造半导体器件的方法具有以下步骤。制备具有第一导电类型的碳化硅层(122)的衬底(10)。在碳化硅层(122)上形成掩膜层(1)。通过从掩膜层(1)上方进行离子注入而在碳化硅层(122)中形成第二导电类型的阱区(123)。在形成掩膜...