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住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5346项专利
光纤、光传输系统和光纤制造方法技术方案
本发明提供了一种适合用在光传输网络中的廉价的低损耗光纤。该光纤包括芯部、光学包层和护套。所述芯部的相对折射率差为0.2%至0.32%,并且折射率体积为9%·μm2至18%·μm2。所述护套的相对折射率差为0.03%至0.20%。构成所述...
多芯光纤互连结构和用于制造多芯光纤互连结构的方法技术
多芯光纤互连结构包括具有倾斜端面的第一多芯光纤和具有倾斜端面的第二多芯光纤。在倾斜端面彼此相对的状态下,第一多芯光纤的每一个纤芯以一一对应的关系与第二多芯光纤的相应一个纤芯光学耦合。调节倾斜端面之间的相互朝向的条件,以便将处于一一对应关...
制造碳化硅半导体器件的方法技术
在制造碳化硅半导体器件的方法中,通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻,所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理,使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。
光纤拉丝炉制造技术
本发明提供一种光纤拉丝炉,其使用具有与玻璃母材的加热熔融的下端部对应的缩径部的炉芯管实现光纤拉丝,能够提高玻璃母材的加热效率,实现省电化。拉丝炉(10)在炉框体(16)内具有:炉芯管(13);加热装置(14),其对该炉芯管进行加热;以及...
电抗器制造技术
提供了一种其中简化了铁心和线圈之间的树脂的适当装填以及在生产过程中便于搬运线圈的电抗器。该电抗器包括:线圈(10),其具有一对线圈元件(10A和10B),各线圈元件由螺旋缠绕的导线制成,并且各线圈元件以并列状态彼此耦接;内部铁心部分(2...
具有拉拔片的插拔式光收发器制造技术
本发明公开一种插拔式光收发器。光收发器设置有与光收发器的主体组装在一起的拉片。拉片包括一对臂部和手柄。臂部的端部均设置有安置在主体中形成的引导件中的支腿。滑动拉片,以使光收发器脱离框架,支腿在引导件中滑动,以向外推动臂部的端部。手柄的端...
组装发射器光学子组件的方法技术
本发明公开一种组装发射器光学组件的方法,该光学组件安装有两个透镜,其中一个透镜会聚从激光二极管发射的光束,另一个透镜将前一个透镜所会聚的光束准直。该方法的特征在于,首先将第一透镜定位在将来自激光二极管的光束准直的位置,然后将第一透镜移动...
光缆制造技术
光缆具有:光纤带芯线,其包含有光纤,该光纤具有纤芯及包围纤芯的包层;外皮,其包围光纤带芯线;以及编织体,其含有彼此进行编织的编织线而构成,配置在外皮的内侧。在该光缆中,构成编织体的编织线被压入外皮中,外皮与编织体一体化。
多芯线缆制造技术
提供一种能够得到良好的电气特性的多芯线缆。多芯线缆(10)具有:多根细径同轴电线(11);按压卷绕部(41),其卷绕在上述多根细径同轴电线(11)的周围,由导电性树脂带构成;以及屏蔽层(42),其隔着按压卷绕部(41)覆盖在多根细径同轴...
多层可热恢复物品制造技术
本发明提供一种可热恢复物品,其热收缩时的填充特性良好而提高与要被处理的基材的胶粘性,并且其中可以减少在挤出成型期间的胶粘剂层的厚度变化。多层可热恢复物品包含由胶粘剂组合物构成的胶粘剂层和布置在所述胶粘剂层外周的外层,所述胶粘剂组合物包含...
非水电解质电池的制造方法和非水电解质电池技术
本发明提供了一种制造非水电解质电池的方法,其中即使将分别制造的两个电极体互相接合时,这两个电极体之间的接合界面处也不会形成高电阻层。准备了正极体(1),其具有:为粉末成形体的正极活性材料层(12);以及通过气相法形成的无定形的正极侧固体...
超导电缆的临界电流测量方法技术
一种同轴超导电缆,包括具有以同轴方式布置的多个超导层(12A、12B、12C)的缆芯。当位于缆芯的外圆周侧的超导层(12C)用作测量对象时,用与出行路线相对应的超导层(12C)和与返回路线相对应的另一超导层产生电流施加环形路线。DC电流...
半导体器件及其制造方法技术
碳化硅衬底(30)包括:具有彼此相反的第一表面(S1)和第二表面(S2)的n型漂移层(32);被设置在n型漂移层(32)的第一表面(S1)中的p型体区(33);被设置在p型体区(33)上的n型发射极区(34),该n型发射极区(34)与n...
用于制造碳化硅半导体器件的方法技术
漂移层(32)被形成在单晶衬底(20)上。漂移层(32)具有面向单晶衬底(20)的第一表面(S1)和与第一表面(S1)相反的第二表面(S2),由碳化硅制成,具有第一导电类型。由碳化硅制成并具有第二导电类型的集电极层(30)形成在漂移层(...
氮化物半导体发光元件制造技术
本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件,具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在{20-21}面上的半导体激光器中,在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时,该二维空穴气引起p侧的...
半导体器件及其制造方法技术
MOSFET(1)设置有:衬底(10),其由碳化硅制成并且在其上形成第一沟槽(17),该第一沟槽(17)朝向衬底(10)的主表面(10A)开口;栅极绝缘膜(20);以及栅电极(30)。衬底(10)包括:n型源极区(15),其进一步包括衬...
制造碳化硅半导体器件的方法技术
一种制造碳化硅半导体器件(100)的方法,包括以下步骤。制备具有第一主表面(1)以及第二主表面(2)的碳化硅衬底(80)。在第一主表面(1)上形成电极(112)。碳化硅衬底(80)具有六方晶体结构。第一主表面(1)相对于{0001}面具...
氧化还原液流电池隔膜制造技术
本发明的氧化还原液流电池用隔膜包括多孔膜(10),其平均流量孔径为100nm以下、厚度为500μm以下,并且空气流速为0.1ml/s·cm2以上。在将该氧化还原液流电池用隔膜用于V-V氧化还原液流电池的情况下,多孔膜(10)的平均流量孔...
木质材料的分类方法及判定方法技术
以高精度且高效率对木质材料进行分类的方法以及对木质材料进行判定。使用通过主成分分析而获得的第一第2主成分负荷,分别对包含在母集合中的多个反射频谱信息的分数进行计算,并基于该分数分类出第1集合。然后,使用通过对没有包含在第1集合的反射频谱...
熔融盐电池的运行方法技术
本发明提供一种熔融盐电池的运行方法,所述熔融盐电池在正极中具有钠化合物(NaCrO2)、在负极中具有锡(Sn)并具有熔融盐作为电解液。尽管该熔融盐电池的运行温度范围起初是57℃~190℃,但在将所述熔融盐电池的内部温度(电极和熔融盐的温...
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