本发明提供一种自动分析装置。利用基于由反应过程数据得到的化学反应的理论数式的近似式，提供可在连续或者独立的检查中自动检查装置异常、试剂劣化、精度管理的指标。本发明的特征为：将自动分析装置测量反应的吸光度与时间的关系得到的反应过程数据通过...

本发明提供一种自动分析装置以及使用光电增倍管的分析系统。光电增倍管在低浓度下受噪声的影响，在高浓度下饱和，为了进行再现性和直线性良好的测定，需要在适当的光量下进行测定。但是，为了在广范围的浓度中应用，无法仅通过调整试剂的浓度或成分来覆盖...

本发明提供一种自动分析装置。在测定完成后手动实施的已测定试样的再次测定时再次使用稀释试样，并且，可管理稀释试样分注后经过时间，可设定保持或者丢弃条件。另外，可以在实施测定之前确认能否测定委托的测定项目和所有试样测定完成为止需要多少时间。...

本发明提供一种自动分析装置。作为自动分析装置的操作部中的存储方 式，提供：记录构成自动分析装置的各设备的动作或自动分析装置的维护的实 施状况、和用于分析检查的消耗品的使用经过的存储部；以及作为确定为了导 出检量线而进行的分析检查的信息，...

本发明的目的在于提供一种与各种传送距离无关，安装不花费时间能够容器完成且廉价的检验物传送系统。本发明通过做成将传送带做成无接头的环状，按照架传送面的长度（架传送面长度）使传送带的环状的形态改变的构造，从而在进行检验物传送系统构筑时，能够...

本发明的目的在于提供一种能消除溶解于在反应槽内循环的流体中的溶解气体的泡沫，能进行稳定的测光的自动分析装置。本发明的自动分析装置在对在反应槽内循环的液体进行温度控制的液体的流道中，设有用于除去溶解于液体内的气体的脱气装置，以及用于确保为...

本发明提供一种自动分析装置。在精度管理中所使用的不确定度的测量中，将包含装置的维护管理的装置的状态、试剂、标准液、控制检体等的多个原因组合，当不确定度超过临床的允许值时，一般的检查技师判定其原因，根据经验值进行判断需要时间和人工。在本发...

本发明提供能够缩短对准所需要的时间，提高作业效率或者能够减少设备的处理作业装置以及处理作业方法。另外，在由多种处理作业组成的显示板模块组装装置或者组装方法中，提高各处理作业的作业效率。对于从相邻的作业装置搬运的显示板基板的处理边，在多个...

本发明提供一种屏蔽效果好的磁场屏蔽装置。在本发明中，在具有开口部的磁场屏蔽装置（例如，带有门的圆筒形磁场屏蔽装置）中，将覆盖开口部的门和主体电连接或磁连接，或者，电连接和磁连接。根据本发明，可以提供一种与过去相比，磁场屏蔽系数高的磁场屏...

如果磁屏蔽装置的圆筒的长度变短，则圆筒轴垂直分量的磁场从圆筒开口部进入的量变大，存在磁屏蔽效果降低的问题。在进行磁测定的两端形成为开放的筒型的第１磁屏蔽装置内，通过配置其两端或接近于测量对象物的１个方向形成为开放的筒型、筒轴方向与上述磁...

对液晶面板（１）的下基板（２）的伸出部（２ａ）粘贴ＡＣＦ（９）的粘贴单元，由供给ＡＣＦ胶带（１３）的供给卷轴（１１）、从该供给卷轴（１１）供给的ＡＣＦ胶带（１３）的移动路径、切断单元（４０）及压接头（４７）构成。该粘贴单元安装在支承部件...

在使用等离子处理晶片的工艺中，不降低生产率而抑制每个晶片加工尺寸的变动且加工重复性良好的晶片。在真空处理室２０内产生等离子体的同时，给配置晶片的下部电极２７施加高频电压，在周期性接通.断开调制下部电极２７上施加的高频电压，而且对处理的每...

是在具有把包含真空处理容器、在该真空处理容器内生成等离子体的等离子体生成装置和所述真空处理室内的等离子体清洗的工艺制法保持一定对工艺加以控制的半导体处理装置的工艺控制方法，以所述半导体处理装置内配置的传感器检测的传感器数据为基础，检测所...

提供一种荷电粒子线应用装置。描绘时动态地检测晶片的电位，通过修正该电位，谋求提高在晶片上描绘的电路图形的位置精度。测定了晶片（１０１，试样）和接地引线（１０７，接触端子）形成的接触电阻后，测定从晶片（１０１，试样）经由接地引线（１０７，...

本发明的目的是，提供在操作板上具有指纹传感器，同时，不损失显示屏上的光标或指示器的移动的操作性的内置指纹传感器的便携式终端装置。为了达到该目的，做成为：在操作板上设置了手指的指纹认证用指纹传感器，根据手指的移动或对指纹传感器的传感器面施...

一种包括晶片平台的晶片处理装置，其中半导体晶片安装在晶片平台上以便处理半导体晶片，其中对于多个晶片平台来说，共用晶片平台的保持机构，因此，晶片平台可以改变为具有不同功能的晶片平台，以便处理半导体晶片。

利用容器内发生的等离子体，蚀刻处理配置于该容器内，而其表面具有多层膜的半导体晶片的半导体制造装置中，在上述处理规定的期间，在显示部显示所得的上述晶片表面来的多种波长光的变化；以及根据显示的多种波长光的变化量，判定上述蚀刻处理的状态。

一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理装置，其特征是具有：蚀刻处理ｌｏｗ－ｋ材料的蚀刻处理室１５１Ａ；在真空中运送蚀刻处理后试料的真空运送室１５３；接收运来试料的接收装置，电压给予装置，和将用电压加速的离子或对加速...

提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板（６）、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜（４ａ，４ｂ）以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜（２ａ、２ｂ）构成。通过分别向导电薄膜（...

提供一种等离子体处理装置及方法：根据装置状态的变化监视加工结果的偏差，同时能够在装置状态变化的情况下，检测出恢复状态，并判断可否进行处理。该装置具有控制部件（１０）和对晶片（２）实施等离子体处理的处理室（１），其中：处理室（１）具有检测...