等离子体处理装置及静电吸盘的制造方法制造方法及图纸

提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板（６）、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜（４ａ，４ｂ）以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜（２ａ、２ｂ）构成。通过分别向导电薄膜（４ａ、４ｂ）施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片（７）的面形成为静电双极形式。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体处理装置。本专利技术还涉及具有在其晶片吸附面上配置有静电双极电极的静电吸盘的等离子体装置的制造方法。
技术介绍
利用钝化铝膜作为静电吸盘的吸附膜的现有的等离子体处理装置采用以下结构以铝作为静电吸盘的基体材料，通过在其表面进行阳极氧化来形成作为吸附膜的钝化铝膜。(例如，参照特开平5-160076)以钝化铝作为吸附膜的静电吸盘，例如与陶瓷烧结体作为吸附膜的静电吸盘比较，具有构造简单、价格低廉、制造时间短等优点。但是相反的，以钝化铝膜作为吸附膜的现有的静电吸盘也存在着2个严重问题。其一是由于设计的自由度低，容易形成单极型的静电吸盘，而形成双极型的静电吸盘则比较困难。另一个问题是经常会发生钝化铝膜的电子或机械完整性降低的情况。关于前一个问题，由于在等离子体中使用单极型静电吸盘的情况下，等离子体作为导体作用而产生吸附力，所以在等离子体处理中因某种原因而造成等离子体消失的情况下，吸附力也随之消失，就无法吸附晶片了。但是，为了促进静电吸盘和晶片之间的热传导，很多时候都在晶片和静电吸盘的微小间隙中充填氦等气体。在这种晶片背面有气压负荷的状态下，吸附力一消失，晶片就被气压推动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具有在真空处理室内产生等离子体的等离子体产生装置和将作为被处理材料的晶片装载在其上面的静电吸盘，其特征在于：　　　　上述静电吸盘的吸附上述晶片的面由将铝进行阳极氧化而生成的钝化铝膜构成，并且吸附上述晶片的面为静电双极的形式。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，具有在真空处理室内产生等离子体的等离子体产生装置和将作为被处理材料的晶片装载在其上面的静电吸盘，其特征在于上述静电吸盘的吸附上述晶片的面由将铝进行阳极氧化而生成的钝化铝膜构成，并且吸附上述晶片的面为静电双极的形式。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于上述静电吸盘的结构是，在绝缘体基本材料上形成导电体层，其上又形成铝层，并将该铝层阳极氧化。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于上述静电吸盘的结构是，在由陶瓷构成的绝缘体基本材料上形成导电体层，其上又形成铝层，并将该铝层阳极氧化。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：有働竜二郎，荒井雅嗣，角谷匡规，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：JP[日本]