一ＮＴＣ热敏电阻被形成有一平面ＮＴＣ热敏电阻元件、一对电源端子以及一包裹热敏电阻元件和端子的外壳。平面ＮＴＣ热敏电阻元件具有形成在相对侧表面上的电极，每一电极与一个电源端子接触。平面ＮＴＣ热敏电阻元件的至少一个主表面与外壳的内壁面面接触...

一种用于ＰＴＣ热敏电阻的陶瓷，所述电阻的室温电阻率为５Ω.ｃｍ或更小，静态可承受电压为６０Ｖ／ｍｍ或更大，电阻温度系数为９％／℃，并具有小的电阻分散性。所述陶瓷含３０－９７摩尔％ＢａＴｉＯ↓［３］，１－５０摩尔％ＰｂＴｉＯ↓［３］，１－...

一种半导体陶瓷，它包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分，以氧化钐作为主要组分中的半导体形成剂，该陶瓷的晶粒平均直径为７－１２μｍ。所述半导体陶瓷在室温下的电阻率不大于３．５Ω.ｃｍ，耐电压不低于５０Ｖ／ｍｍ，电阻温度系数α↓［...

本发明提供了一种单片半导体陶瓷电子元件，它包含交替设置的钛酸钡基半导体陶瓷层和内部电极、电气连接到内部电极层的外部电极。半导体陶瓷层包含陶瓷微粒，其平均微粒尺寸大约１μｍ或更小，每一层陶瓷微粒沿垂直于半导体层方向上的平均数量为大约１０或...

一种高压用电阻及其电阻值调整方法，由基片１上的电阻膜３的非形成部开始覆盖含有电阻值调整部３ａ的电阻膜３，通过激光调整直线状去除电阻膜３，形成４个调整槽７。各调整槽７形成相同的长度。该调整方法能够在短时间高精度进行电阻值调整，能够在电阻值...

一种由半导体陶瓷制成的单片电子元件，该元件包括交替堆叠的半导体陶瓷层与内部电极层组成的煅烧叠层以及形成于煅烧叠层上的外部电极，其中每层半导体陶瓷层包括半导体化煅烧钛酸钡，其包含下列物质：氧化硼；从钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素中选择的至少...

一种能可靠防止树脂向端子上升、且能共用装配用夹具的电子元件。端子１０是平板状的金属制端子，由与基片背面接触的支承部１１、从支承部１１向上方基本垂直延伸的端子部１２及从支承部１１的局部向下方基本垂直延伸的基片插入部１３构成，在端子部１２的...

本发明提供了一种小型的和低电阻的叠层的半导体陶瓷器件，除了提供半导体陶瓷层和内部电极之间的欧姆接触外，它还提供有正的电阻－温度特性，并具有宽大的电阻变化范围，以及高的击穿电压。钛酸钡半导体陶瓷粉末的平均微粒直径不大于１．０ｕｍ，烧结该粉...

本发明揭示一种芯片型电子元件，包括：由整体地烧结多个陶瓷片形成的陶瓷烧结体，在陶瓷烧结体的内部形成的包括第１电极、第２电极和第３电极的内部电极，在陶瓷烧结体的两端部形成的外部电极，每个第１电极的一端电气连接到一外部电极上，通过相应的一个...

一种可变电阻器，在设于基板上呈圆弧状的阻抗体上以阻抗体中心为支点并接触被支持的可自由转动的滑动触头的悬臂。滑动触头被冲压成具有法兰盘和在中央部形成的约皿状的凸起部的驱动平面，以及具有接触点部的环状悬臂相连的形状，同时在连接部处折叠１８０...

一种可变电阻器，包含滑动触头，具有用于与工具接合的接合部的转子，且被容纳在壳体的凹部中，在其下方具有带有电阻器的电阻器基板，可与滑动触头滑动接触，并固定到转子的下方，在壳体的凹部的内周边表面和转干的外周边表面之间具有进行密封的Ｏ形环。转...

一种可变电阻器包含一个基片、通过镶嵌造型形成在基片中的金属端子和在基片上滑动的电阻器上的滑动触头，其中滑动触头通过弯曲形成在第一金属端中的眼孔而被可旋转固定。金属端子的外部连接部分从基片的底部沿基片的边将被向上弯曲的延伸。将被嵌入到基片...

本发明涉及一种高压可变电阻器２１。目的是得到套用咬接型高压可变电阻器的绝缘性外壳的低成本联接器型高压可变电阻器。该电阻器具备绝缘性外壳２２、容纳于外壳２２的２个可变电阻器２３、２４、聚焦用及屏幕用输出部２５、２６。绝缘性外壳２２与咬接型...

一种电子元件的制造方法，在与引线框架相连结状态的端子上装配基板后，将引线框架安装在组装模具上，同时将壳体安装在组装模具上，以便对基板与底部开口部相对。然后使组装模具从与壳体相反方向动作，使引线框架和端子的连结部切断，使基板嵌合在壳体的底...

一种可变电阻器，能可靠地密封转子和基板之间的间隙，而不用将基板模压入壳体，并能以低成本生产。电阻器包括：顶部和底面开口的空心矩形棱柱形壳体；基板被装配入壳体的下开口，在其顶面上形成收集电极和弧形电阻器；可转动地被装配入壳体的上开口的转子...

本发明的目的是在对金属端子的外部连接部分执行弯曲操作时，避免弯曲应力扩展到电阻器的导电部分上，并且提供能够使金属端子与电阻器之间的电连接稳定的低型面可变电阻器。该可变电阻器包括：镶嵌模制在板块中的金属端子，在电阻器上滑动的滑块。通过铆接...

本发明揭示一种单片半导体陶瓷电子元件，包括钛酸钡系列半导体陶瓷层和内部电极层，并将它们交替地进行叠层，形成外部电极并使其连接到内部电极层上，每个半导体陶瓷层的厚度Ｓ对于每个内部电极层的厚度Ｉ的比Ｓ／Ｉ在１０到５０的范围。内部电极层由镍系...

本发明揭示一种半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件。包含钛酸钡（ＢａＴｉＯ＃－［３］）并具有正电阻温度系数的这种半导体陶瓷材料耐压能力高。在这种半导体陶瓷材料中，在第１温度范围和第２温度范围之间的边界上的边界温度是１８０℃或者高于居里温度...

正特性热敏电阻器件包括包含一对相对的电极的正特性热敏电阻元件，每个电极都受到来自相应的一个弹簧接触构件有弹性地施加的压力，从而把该热敏电阻元件固定在器件中预先确定的位置上。当热敏电阻器件偶然地被破坏时，该元件破裂成碎块，其中一些碎块和弹...

本发明揭示一种电子器件，其中正特性热敏电阻元件由相互相对并沿正特性热敏电阻元件对角线设置的第１和第２弹性接触件及相互相对并沿正特性热敏电阻元件另一对角线设置的第１和第２定位突起夹持加以支持。第１弹性接触件位于比第２定位突起更趋于正特性热...