一种制备定向多晶硅的方法，首先在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为２．０～３．０ｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火３～５小时，其特征是形成一薄层镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］小晶核；用能量密度为２７０～３６０ｍＪ／ｃｍ...

本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备低温无催化剂针状ＺｎＯ纳米线的方法。首先对衬底进行处理。将Ｚｎ源放于石英舟内，衬底垂直放于Ｚｎ源上方３－５毫米，然后将石英舟置于石英管中间，并将其作为一个整体置于封闭加热系统中。对管式炉进行加热，...

本发明涉及一种绿色人造金刚石的制备方法。是以石墨为原料、以ＦｅＮｉ或ＮｉＭｎＣｏ合金作触媒，石墨与合金触媒的质量配比为：石墨∶ＦｅＮｉ或ＮｉＭｎＣｏ＝１∶０．３～１，其特点是在石墨中添加有Ｍｇ↓［３］Ｎ↓［２］添加剂，石墨与Ｍｇ↓［３］...

本发明涉及一种制备绿色金刚石的方法。是以石墨为原料、以ＦｅＮｉ或ＮｉＭｎＣｏ合金作触媒，石墨与合金触媒的质量配比为：石墨∶ＦｅＮｉ或ＮｉＭｎＣｏ＝１∶０．３～１，特点是在石墨中添加有Ｌｉ↓［３］Ｎ添加剂，石墨与Ｌｉ↓［３］Ｎ的质量配比为...

本发明涉及一种制备ＺｎＭｇＯ合金薄膜的方法，以金属Ｚｎ作为Ｚｎ源，以金属Ｍｇ作为Ｍｇ源，在通入氧气的等离子体辅助分子束外延设备中通过加热Ｚｎ源、Ｍｇ源，在蓝宝石衬底上沉积生长获得ＺｎＭｇＯ合金薄膜，固定Ｚｎ源和Ｍｇ源的温度，通过改变参与...

本实用新型属于纳微米加工工艺技术领域，涉及一种对精密电铸仪电控系统的改进。本实用新型达到了对精密电铸的工作条件要求极高的标准，如电铸脉冲、电铸温度、电铸时间、电铸电流、阴极移动等。Ａ路，Ｂ路两部分电控可单独工作也可同时工作且可分别输出三...

本发明涉及一种碳纳米结构的液相合成方法，特别是涉及网状碳纳米结构。首先将阳极、阴极放入有机溶液中；再加入适当催化剂；并在阳极、阴极上通以高压和直流电流并经过一定时间的电解后，在阴极上形成纳米碳网。本发明的优点是采用在阳极、阴极上通以几百...

本发明涉及一种圆筒面鉴别率板镀铬装置，该装置包括电机，传动系统，转动轴，钼舟；电机的转轴通过传动系统与转动轴连接；圆筒形玻璃毛坯与转动轴固定连接，并与转动轴同轴；钼舟置于圆筒形玻璃毛坯的下方。本发明采用使圆筒形玻璃毛坯绕其轴线旋转，同时...

本实用新型是在真空镀膜系统中用电阻加热式蒸发舟的电极，特别是涉及一种对于需要多次加料的电阻蒸发舟支持电极的改进。包括：电极柱、法兰、螺钉、电极连板、电极夹板、蒸发舟、轴、导线、转动电极连板和固定电极连板。它的转动电极可避免由于固定式电极...

本实用新型真空镀膜领域中使用的加热蒸发舟，属于真空镀膜领域中应用的加热器具。它是针对克服化合物蒸发材料在蒸发前、后的化学元素配比发生变化而改制的。该加热蒸发舟是由薄的耐高温金属片制成的、带有通气孔的加热片，加热片的中间部分均匀分布小孔，...

本实用新型涉及一种对真空镀膜系统中真空室观察窗的改进。包括基板１０、观察孔１１、转轮１２、转动轮１３、弹簧１４、磁铁１５和观察孔１６，本实用新型解决原有的观察窗在蒸发不透光的材料时，开始能看清真空室内蒸发物的情况，逐渐就模糊，往往没有等...

本实用新型属于电致发光技术领域，是一种附加有电场辅助装置的有机蒸发镀膜装置。本实用新型是在普通的真空有机镀膜机上，放入两个金属电极板，金属电极板在衬底基片的下方，并同其垂直。蒸发源在金属电极板的下方，蒸发物在向衬底基片迁移过程中，通过两...

本实用新型是一种附加有离子源的真空有机蒸发镀膜装置，本实用新型是在普通的真空镀膜机上，另外加装一个考夫曼离子源。所加的考夫曼离子源是在衬底基片的下面，同蒸发源等高的位置上，发出的离子束射向衬底基片，用导线和管道同外部的电源和气体源相连。...

本发明提供一种在低压化学气相淀积尾气处理系统中使用的可防止自身返油的水汽隔离油过滤器，采用进气空间多层隔离板附加挡油板及光滑表面金属丝的结构。正常工作时，气体可以自由通过，如果系统故障或误操作使出气端压力高于进气端，在返油过程中，油滴遇...

本发明涉及对溅射镀膜方法的改进。按镀膜材料选择交流电源，将交流电源与两组靶连接，使两组靶处于正负电位交替变化的状态；镀膜材料分别放置在两组靶上，根据的需要调节每个靶的功率调节器，靶上的镀膜材料在真空气体放电的环境下发生溅射，被溅射的镀膜...

本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层的生长方法。用电子回旋共振微波等离子体技术，适合于单晶Ｓｉ衬底片，在一定微波功率条件下，通过调整［Ｎ↓［２］］／［Ａｒ］气体流速比，气压和生长时间控制薄膜厚度，在低温下生长超薄Ｓ...

本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层。在Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜中掺入适量的ＳｉＯ↓［２］，再利用磁控溅射技术，通过调节射频功率、气压和Ｎ↓［２］／Ｏ↓［２］的气体流速比，在低温条件下制备出无应力ａ－ＳｉＯ↓［ｘ...

本发明涉及制备金刚石薄膜的方法，在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积；对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固；例如：制备金刚石场发射冷阴极，将电子发射区域有效地控制在所选择区域，集中密集发...

本发明属于光电技术，是一种透明导电薄膜，本发明是用掺有硼、铝、铟的一种或一种以上的Ｚｎ↓［２］ＳｎＯ↓［４］或Ｚｎ－ＳｎＯ↓［３］作为透明导电薄膜材料，用喷涂法、溅射镀膜法或热蒸发法、离子镀，制备氧化物透明导电薄膜，薄膜中分子式可以写成...

本发明适用于半导体激光器列阵组装的薄膜焊料。首先清洗并烘干玻璃片；把玻璃片均匀地涂上载体，然后烘烤，再涂上载体，再烘烤；热蒸发形成薄膜焊料，把带有薄膜焊料的玻璃片放在化学试剂中浸泡并从玻璃片上脱落，据需要对薄膜焊料进行清洗；对薄膜焊料的...