本发明涉及图像处理技术领域，尤其涉及一种图像变化检测系统及方法，其中孪生编码支路对输入的双时相图像进行基础和高频的Mamba处理，得到每一时相图像对应的多尺度提取特征；差异提取支路利用小波变换对同尺度提取特征进行差异提取，得到每个尺度的...

本申请属于激光放大技术领域，提供了一种光束主动控制碟片激光放大器，包括：碟片晶体，用于实现激光放大；种子光源，用于提供偏正态待放大种子激光，待放大种子激光在碟片晶体处具有第一直径光斑，且第一直径光斑的大小动态可调；泵浦装置，用于泵浦碟片...

本申请公开一种外差剪切干涉动态角度的测量方法及其装置，属于光学角度测量技术领域。方法包括：提供频率不同且偏振态正交的双频光束，沿准共光路传播至待测物；接收经待测物偏转后的出射光束，保持其准共光路传播；将出射光束分离为两束偏振正交的剪切光...

本申请公开一种时域错峰放大的系统及其方法，属于光学放大技术领域。系统首先通过时域错峰模块将输入的单个激光脉冲序列在时域上分解为两个具有预定时间延迟的子脉冲序列；然后使这些子脉冲序列依次通过同一共用放大模块的同一增益区域进行顺序放大，以降...

本发明属于中波红外光谱成像技术领域，尤其涉及一种基于字典学习和稀疏重建的中波红外计算光谱成像方法。方法包括：S1：从光滑光谱信号数据集中随机选取m条光谱信号输入至字典学习算法进行字典学习，获得初始字典；S2：将气体透过率曲线和黑体辐射光...

本申请属于激光放大技术领域，提供了一种光路四次复用碟片激光多通放大器，包括：碟片晶体，用于实现激光放大；种子光源，用于提供具有第一偏振态的待放大种子激光；第一变换组件，配置为不改变沿第一方向通过第一变换组件激光的偏振态，改变沿相反的第二...

本发明涉及光学成像领域，尤其涉及一种虚拟图像与现实图像融合的光学成像系统，包括图像传感器，用于输出虚拟图像；虚拟成像镜组，用于对虚拟图像进行成像；合束镜，用于对虚拟图像进行反射及对现实图像进行透射，实现虚拟图像与现实图像同尺寸与亮度的融...

本发明涉及光学成像领域，尤其涉及一种可见光与红外光共孔径光学成像系统，包括共孔径成像透镜组，用于同时透射可见光波段与长波红外光波段；分束镜，用于对可见光波段进行反射，以及对长波红外光波段进行透射；红外光成像镜组，设置在分束镜的透射方向上...

本发明涉及一种光学载荷实装数字孪生仿真系统，属于数字孪生技术领域，包括卫星数字虚体、外部接口模块和光学载荷全数字虚拟仿真平台，仿真平台进一步包括超高行频低串扰综合电子模块、机构控制模块、光学相机成像仿真模块和焦面数据处理模块。该系统接收...

本发明公开了一种减小超轻摆镜镜面变形的柔性支撑结构，包括多个连接基板，其作为柔性支撑结构的安装基础，用于与摆镜运动机构连接；柔性孔被配置为应力缓冲的辅助结构；外层柔性槽与内层柔性槽共同作为核心应力缓冲结构；摆镜粘接面，用于与摆镜进行粘接...

本发明属于光电探测技术领域，尤其涉及一种非同轴激光告警方法。包括：S1：利用小目标雷达方程计算真实应用场景下的效应物追踪模块接收到效应物模块反射的效应物信号的激光功率；S2：构建等效缩比方程，计算得出发射模块出射编码激光信号的激光功率；...

本公开涉及基于波前分割的大口径分段镜基准建立方法。所述方法包括：对视镜进行位置校正；对望远镜区域进行分割；以光强均匀分布为目标，对子镜的位置与面型进行修正：利用采用几何相位材料构建的微透镜阵列对光斑进行重新分解，通过孔径光强差分识别边界...

本发明涉及图像重构技术领域，尤其涉及一种基于动态字典学习的光谱超分辨率重构方法。包括：搭建DLTN网络架构，包括特征编码单元、空间下采样单元、多级字典学习与稀疏编码单元、特征解码单元及全局特征融合机制；获取高光谱训练数据集，对输入的低分...

本发明涉及伺服控制技术领域，具体提供一种惯性空间内光电转台角加速度测量方法，用于测量光电转台的角加速度，包括：在光电转台上安装多组加速度计，加速度计的组数与光电转台旋转轴的个数相同，一组加速度计对应测量光电转台的一个旋转轴的角加速度，每...

本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器。包括：衬底、外延叠层以及由外延叠层经刻蚀形成的功能波导区；功能波导区包括脊波导和侧向耦合光栅，脊波导为沿外延叠层厚度方向刻蚀形成的脊型结构，侧向耦合光栅对称分布...

本发明涉及光电子材料技术领域，尤其涉及一种发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法。包括：在衬底上生长镓砷磷（GaAsP）应变补偿势垒层；在应变补偿势垒层上生长GaAs间隔层；在间隔层上采用低温工艺生长高In组分（35~40%）I...

本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法。包括：反应室升温至680~750℃并恒温5~15min，将衬底进行高温脱氧；降温至620~680℃，在衬底表面生长GaAs缓冲层，再依次生长下限制层和下波...

本发明涉及光放大器技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器及其制备方法，堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的衬底、N包层、N型刻蚀停止层、N波导层、有源区、P波导层、P包层以及电极接触层；两个浅沟槽沿第一方向间隔排布，两个浅沟槽之间的堆叠结构作...

本发明涉及光学加工技术领域，尤其涉及一种光学加工标定方法、计算机设备及存储介质，以加工工具的加工点作为TCP进行标定，得到工具TCP位置矩阵；设定预设角度，根据预设角度和工具TCP位置矩阵，得到位移传感器的期望的传感器TCP位置矩阵；根...

本发明属于透射波前测量领域，尤其涉及一种基于相干层析的大口径透射波前测量装置及其测量方法，该测量装置包括宽带光源,用于发出低相干光；分束器，用于将低相干光分为参考光和测量光，参考光入射至参考平面镜经参考平面镜反射回分束器，测量光入射并穿...