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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所专利技术
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所共有10234项专利
大口径高精度超光滑非球面制备方法技术
大口径高精度超光滑非球面制备方法,其特征在于步骤如下:在溅射功率及工作气体压强一定的条件下,首先对靶材的沉积速率进行定标,再根据球面和非球面的差异量,利用沉积速率确定出转盘公转机构的速度,通过控制球面基底上各点经过溅射靶材的公转速度,从...
低压反应离子镀方法制备碳锗合金膜技术
低压反应离子镀方法制备碳锗合金(Ge↓[x]C↓[1-x])膜,将工件置真空室上方,蒸发方式为电子束蒸发,其特征在于: a、选择双面抛光的锗片作为基底; b、将氩气作为工作气体引入离子源,气体在离子源内电离形成等离子体; ...
离子/等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金膜技术
离子/等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金膜,将工件放置在真空室内工件架上,向真空室内通入气体,蒸发方式为电子束蒸发或热蒸发,其特征在于选择双面抛光的锗片作为基底;将含碳气体或含碳气体与氩气的混合气引入离子/等离子体源,离子/等离子源在10...
氧化锌掺杂的二氧化硅薄膜材料的制备方法技术
本发明属于光电子材料技术领域,是一种氧化锌掺杂的二氧化硅薄膜材料的制备方法。先将氧化锌粉末放入加工好的模具当中,利用压片机或者油压机把氧化锌粉末加工成原柱形,经过900~1200℃高温焙烧2~4小时,使之成为陶瓷靶。然后把氧化锌陶瓷靶,...
一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法技术
本发明涉及用低压MOCVD设备制备磁性薄膜的方法。首先放入清洗好的半绝缘衬底,在机械泵和低压控制器作用下将生长室压力控制在2.0×10↑[3]Pa-10↑[4]Pa,依次在生长室内通入由高纯氢气携带的反应源,生长温度为250℃-350℃...
一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法技术
本发明属于半导体光电材料技术领域,涉及一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法,利用磁控溅射(RF magnetron sputtering)设备外延生长方法,获得高质量的MgZnO半导体三元合金薄膜;在合成的过程中可通过改变MgZnO...
一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法技术
本发明属于半导体光电材料技术领域,涉及一种电子束蒸发生长Mg↓[x]Zn↓[1-x]O薄膜的方法,利用电子束蒸发设备使烧结多晶MgO和ZnO粉末形成的复合靶经电子束加热蒸发,沉积于基片上,形成Mg↓[x]Zn↓[1-x]O半导体合金薄膜...
一种用于冠脉支架高真空热处理的装置制造方法及图纸
一种用于冠脉支架高真空热处理的装置,属于医疗器械技术领域中涉及的一种用于冠脉支架高真空热处理的装置,要解决的技术问题是:一种用于冠脉支架高真空热处理的装置,技术方案包括:第一真空机组、真空橡胶管、第二真空机组、左右端冒、石英管、管式热处...
制备纳米SiC增强铝基复合材料的方法技术
本发明属于金属材料技术领域,是一种制备纳米SiC增强铝基复合材料的方法。以碳化硅和铝为原料,在手套箱Ar气保护下配料成为混合料。混合料中SiC的含量按体积百分比计为5%-30%。用高能振动磨将混合料球磨20-30小时后,在压片机和加热系...
制备单一立方相结构的MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法技术
本发明涉及制备Mg↓[x]Zn↓[1-x]O半导体合金体材料的方法,特别是一种制备单一立方相结构的Mg↓[x]Zn↓[1-x]O半导体合金体材料的方法。将按摩尔比为MgO:0.32~0.61,ZnO:0.68~0.39的MgO和ZnO粉...
从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法技术
本发明属于液相外延制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电子材料领域,涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加入浮游剂去除废镓中的铝杂质;利用高温高真空去除废镓中的Zn、As、Te等蒸气压高的杂质。用本发明回收高纯金属镓的...
一种近紫外荧光粉的制备方法技术
本发明属于发光材料技术领域,是一种近紫外荧光粉的制备方法。本发明的反应物为Eu↓[2]O↓[3]、CaCl↓[2]、(NH↓[4])↓[2]SO↓[4]和HCl,将Eu↓[2]O↓[3]溶于盐酸,CaCl↓[2]、(NH↓[4])↓[2...
一种近紫外荧光粉的制备方法技术
本发明属于发光材料技术领域,是一种近紫外荧光粉的制备方法。本发明的反应物为Eu↓[2]O↓[3]、CaCl↓[2]、SrCl↓[2]、(NH↓[4])↓[2]SO↓[4]和HCl,将Eu↓[2]O↓[3]溶于盐酸,CaCl↓[2]、Sr...
一种用于红外光检测的铝酸盐发光材料制造技术
一种用于红外光检测的铝酸盐发光材料,属发光及显示技术领域。该材料包括:(a)含Al的化合物基质并加入碱土金属化合物至少一种;(b)含稀土Sm、Eu、Dy及Ge的化合物激活剂;(c)含稀土或Mn、Bi或Ti的至少一种化合物和助熔剂硼酸盐。...
将发光二极管产生的兰光转换组合成白色发光的荧光材料制造技术
本发明属于发光与显示技术领域,涉及一种能将发光二极管产生的蓝光转换组合成白色发光的荧光材料。它由基质为硫化物,组合物基质采用的激活剂、共激活剂组成,上述材料按一定比例加入并混匀,在高温下烧结,并在烧结中具有硫或硫氢的气氛保护;将烧结后的...
一种用于白色发光二极管的有机材料制造技术
本发明属于发光与显示技术领域,涉及一种用于将兰色发光二极管的发光转换组合成白色发光的有机材料。由有机荧光染料、无机发光材料、载体、稀释剂混合组成,有机荧光染料光谱在400-500nm,无机发光材料光谱在400-480nm,在激发光作用时...
稀土有机电致发光窄带蓝光发射材料制造技术
稀土有机电致发光窄带蓝光发射材料,属于稀土配合物有机电致发光技术领域。本发明是以Tm为中心离子的一楼窄带蓝光配合物材料,其通式为(1)TmM↓[3]N,(2)TmT↓[3]A,(3)TmM↓[3],以及TmM↓[3]N↓[2],其中M、...
稀土有机电致发光的新型白光发射材料制造技术
一类稀土有机电致发光的白光发射材料属于稀土配合物电致发光技术领域。利用这类三价金属镝的有机配合物制成结构简单的双层器件,有机层两侧分别是镀在玻璃表面的透明铟锡氧化物薄膜(ITO阳极)和低功函高稳定性镁银合金薄膜(Mg:Ag阴极)。在直流...
发光二极管用波长变换白光发光材料制造技术
一种发光二极管用波长变换白光发射材料,属于发光与显示技术领域,它由两部分发光材料混合而成,第一部分是以通式Y↓[3-X]MaAl↓[5-a]O↓[12]∶Re↓[x-b].nb表示的钇铝石榴石结构发光材料,第二部分是SrS,CaS为主的...
白色电致发光材料制造技术
本发明是一种用于白光显示的电致发光材料,主要由无机荧光材料和蓝色或蓝绿色发光(EL)材料组合而成。利用蓝色或蓝绿色EL材料的电致发光与无机荧光材料的光致发光转换按比例混合,形成白色电致发光。蓝色或蓝绿色EL材料包含有激活剂和共激活剂。本...
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