本发明提供一种半导体激光器，包括：N型电极；在N型电极上依次叠置衬底、N型包覆层、有源区、P型包覆层、欧姆接触层与P型电极；P型包覆层、欧姆接触层与P型电极形成激光器的脊型波导。该激光器通过采用四阶碰撞锁模设计，实现稳定的锁模发生率、更...

本发明提供一种半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法，涉及光谱技术领域，该方法包括：采用过渡金属硫族化合物在复合硅衬底上制备多层二维半导体薄片样品；利用光学显微镜在所述复合硅衬底表面找到需要测试的样品，所测试区域构成声子‑光学腔；利...

本发明提供了一种压电驱动柱，可应用于自适应光学技术领域。该压电驱动柱包括：压电柱主体以及端接结构，其中，压电柱主体包括第一压电柱、第二压电柱以及预紧力外壳，第一压电柱与第二压电柱位于预紧力外壳的内部；第一压电柱与第二压电柱通过预紧力外壳...

本公开提供了一种低功耗自适应折叠比事件驱动型模数转换器，涉及集成电路技术领域，用以解决现有技术中模数转换器因系统电路结构复杂导致系统功耗过大的技术问题。该模数转换器包括：可变信号折叠电路，用于根据事件脉冲特定状态对输入信号进行折叠，输出...

本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体技术领域，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上沿第一方向依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和n型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一金属接触层，沿第二方向并列设置于n型铝镓氮层远离蓝宝石...

本公开提供了具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，包括：衬底，用以吸收光子并产生光生电子和光生空穴；透明电极，用于使光线穿透并收集所述光生空穴，其中，所述透明...

本发明提供了一种基于Zernike多项式的压电变形镜解耦控制方法，涉及自适应光学系统控制与校正技术领域。该压电变形镜解耦控制方法包括：将预处理的波前像差数据展开为多个Zernike多项式的线性组合，线性组合用于表征光学系统中的波前误差；...

本公开提供了一种高集成非制冷智能红外视觉组件，涉及红外成像领域。该组件包括光学盖板、异质集成可编程的红外视觉芯片、芯片固定框板和导通板，其中：光学盖板设置有光学镜头开口，用于适配光学镜头；光学盖板和芯片固定框板形成光学暗室；红外视觉芯片...

本公开提供了外腔可调谐激光器调谐机构及其波长校正方法，涉及激光技术领域。一种外腔可调谐激光器调谐机构，包括：衍射光栅，用于对平行光束进行衍射，以产生谐振光束；旋转位移台，用于承载所述衍射光栅以及调节所述衍射光栅的角度；平移位移台，用于承...

本发明提供一种集成激光雷达芯片，涉及集成激光雷达技术领域，该集成激光雷达芯片包括：集成在同一基板上的反射式的半导体放大器、高阶分布式布拉格反射光栅外腔和光束扫描阵列；其中，反射式的半导体放大器作为增益结构，高阶分布式布拉格反射光栅外腔作...

本发明提供一种立方碳化硅栅氧层制备方法，包括：将清洗后的3C‑SiC样品放入氧化炉；通过设置第一升温速率，以使3C‑SiC样品完成预热区处理；将氧化炉内的温度从中间温度升至目标温度的过程中，同时对氧化炉内持续通入载气，以使3C‑SiC样...

本公开提供了一种降低半导体材料背景掺杂的外延生长方法，应用于半导体制造技术领域，该方法包括：将预处理后的衬底托放入生长腔，基于生长腔对衬底托执行高温除气操作；其中，衬底托上装有耐高温薄片；将衬底托上的耐高温薄片替换为衬底；调节生长腔真空...

本公开提供了基于准二维钙钛矿的光子晶体激光器及其制备方法，涉及微纳激光器技术领域。基于准二维钙钛矿的光子晶体激光器，包括：光子晶体层，包括一层介质薄膜，所述介质薄膜具有阵列排布的介质孔或介质柱；增益介质层，位于所述光子晶体层上，所述增益...

本发明公开了一种波导耦合光电探测器，包括：SOI衬底、空心的二氧化硅模板腔、Ge<subgt;1‑x</subgt;Sn<subgt;x</subgt;吸收区和电极；SOI衬底包括依次连接的硅衬底层和埋氧化层，埋...

本公开提供了一种基于半绝缘型碳化硅微通道的高功率VCSEL器件及其制备方法，该器件自上而下包括：高功率VCSEL芯片（1）；焊料层（2），用于连接VCSEL芯片（1）和微通道层（3）；单层微通道层（3），为半绝缘型碳化硅材料，包括通道层...

本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底；外延片结构，生长于衬底的上表面；上台面金属电极，位于外延片结构的上表面的第一端和第二端；下台面金属电极，位于外延片结构两侧预设的裸露区域；钝化层，生长于上台面金...

本发明提供了一种薄膜镜面，可应用于光学薄膜技术领域，包括：基底，第一反射层，位于基底的第一表面上；第二反射层，位于基底的第二表面上；保护层，位于第一反射层远离基底的一侧；以及端接结构，位于基底的第二表面上，且端接结构与基底为一体化结构，...

本发明提供了一种外延片光致发光特性的测试方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：加热外延片至预设温度；利用目标激光光束激励外延片产生光信号；用探测器探测并记录光信号；以及基于光信号，判断外延片的光致发光特性。通过直接测试光致发...

本发明提供一种基于偏振泵浦的激光特性可调的被动调Q激光器，涉及激光技术领域，依次包括泵浦源、第一聚焦耦合透镜、半波片、第二聚焦耦合透镜、腔镜、激光增益介质与耦合输出镜，其中；泵浦源沿第一方向发出的泵浦光为线偏振光，泵浦光经第一聚焦耦合透...

本公开提供一种基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构及其制备方法和应用。该基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构的制备方法包括：提供支撑基底；在支撑基底正面和背面分别淀积SiN薄膜；在支撑基底的背面形成背面掩模结构和对准标记，在支撑基底...