【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电探测器，更具体地，涉及具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器。
技术介绍
1、光电探测器是现代光电子学中不可或缺的一部分，被广泛应用于通讯、成像、传感和光谱分析等领域。随着纳米技术和新材料科学的进步，特别是二维材料（如石墨烯、过渡金属二硫化物等）的发展，这些新型材料因其独特的光学和电学特性而成为了构建高性能光电探测器的理想选择。
2、目前光电探测探测器中，自供电结构主要有两种类型：p-n结和肖特基结。为了进一步优化探测器的性能，设计者通常会引入新型层间结构，用于减少探测器在没有光照时产生的暗电流，以提高探测器的灵敏度和选择性。
3、然而，尽管这种新型的光电探测器在光电性能上具有优势，但其制造过程仍然面临挑战。传统的制造方法更是需要复杂的材料外延生长技术和半导体工艺流程，这不仅成本高昂，而且过程繁琐。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供了具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器及其制备方法。
2、本公开一方面提供了具有氧化石墨烯势垒层的自驱...
【技术保护点】
1.具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，其特征在于，势垒层，设置在所述衬底和所述透明电极之间，包括：
3.根据权利要求1或2所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，所述势垒层的厚度为5nm-10nm，所述透明电极的厚度为50nm-130nm，所述SiNx绝缘层的厚度为200nm。
4.根据权利要求1或2所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，所述光吸收区窗口的长×宽为50mm×50mm。
5.根据权利要求1所述的具有氧化石...
【技术特征摘要】
1.具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，其特征在于，势垒层，设置在所述衬底和所述透明电极之间，包括：
3.根据权利要求1或2所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，所述势垒层的厚度为5nm-10nm，所述透明电极的厚度为50nm-130nm，所述sinx绝缘层的厚度为200nm。
4.根据权利要求1或2所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，所述光吸收区窗口的长×宽为50mm×50mm。
5.根据权利要求1所述的具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，所述衬底为n型掺杂砷化镓衬底，掺杂浓度为5×1017cm-3-5×...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐云，吴秉超，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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