本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种低功耗高精度高增益的EA跨导放大器电路。包括：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电...

本发明公开一种适用于相变存储的自加载存储结构，属于集成电路领域，包括SRAM单元结构、相变存储结构、相变存储单元编程通路、SRAM单元自加载时序；所述相变存储单元编程通路用于将配置数据通过编程通路存储到所述相变存储结构中的相变存储单元中...

本发明公开一种应用于RS‑485驱动级电流的可调电路结构，属于集成电路I/O端口领域，包括输入端TE、NMOS管N1～N2、PMOS管P1～P2、电容C1～C2、反相器INV1～INV2、或非门NOR1和锁存逻辑器；本发明实现驱动级端口...

本发明公开一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法，属于芯片封装领域。制作芯板层，并在所述芯板层的双面分别形成第一介质层和第二介质层；研磨所述芯板层正面的第一介质层，再制备第一布线层；在所述芯板层的正面制作第三介质层以及研...

本发明公开一种光敏微晶玻璃晶圆的曝光方法，属于集成电路封装领域，包括以下步骤：步骤一，准备光敏微晶玻璃晶圆并对表面进行清洗；步骤二，在光敏微晶玻璃晶圆其中一面制备金属层；步骤三，将光敏微晶玻璃晶圆放置于掩模板下发，进行紫外光曝光作业；步...

本发明公开一种基于硅刻蚀沟槽的低应力晶圆级封装结构制作方法，属于集成电路封装领域，包括如下步骤：在硅晶圆的指定位置刻蚀出沟槽；在硅晶圆表面形成一层缓冲层；对缓冲层进行光刻，暴露出硅晶圆的引出管脚；在缓冲层上制作一层或多层再布线层；制作金...

本发明公开一种宽电压域电平转换电路，属于模拟电路领域，包括电压控制模块、电平转换锁存模块和输出驱动模块。电压控制模块根据输出结构的电源电压是否会使第一反相器的输出信号发生翻转，控制电平转换锁存模块中部分器件的工作状态，形成不同的工作状态...

本发明涉及高速信号处理技术领域，特别涉及一种用于高速信号处理的内外参考时钟自动切换系统。包括：时钟合成单元，用于选择外部输入时钟REFA/REFB，以所选时钟作为一级参考时钟，合成并输出与内部晶振单元时钟频率相匹配的合成时钟；内部晶振单...

本发明公开一种应用于FLASH型FPGA的三级电平转换电路，属于可编程逻辑器件领域。第一级电平转换电路实现将输入至A端口的内核VS‑GS电压域信号转换成VS1‑GS电压域信号，输出给中间过渡级电平转换电路；中间过渡级电平转换电路接收VS...

本发明属于图像分类、目标检测等利用卷积神经网络的计算机视觉任务的模型压缩技术领域，尤其涉及一种融合注意力权值剪枝的网络模型稀疏化方法。包括将单阶段多框预测的多尺度目标检测SSD算法网络转化为包含基于注意力机制的重要性因子可融合块的网络；...

本发明公开一种高散热多通道可返修SIP封装结构，属于先进封装领域，包括电路基板、焊锡球、支撑球、裸芯片、隔离框以及其他器件；焊锡球、支撑球焊接于电路基板的背面；裸芯片、隔离框以及其他器件焊接于电路基板的正面。本发明可根据实际设计需求调整...

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种共阴极接法垂直腔面发射激光器阵列的驱动电路结构。包括：放大器一、放大器二、调制电流源、偏置电流源、电阻一和NPN型三极管一；放大器一的同相输入端和反相输入端为驱动电路的差分输入端；放大器一的输出端...

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种三维堆叠嵌入式微流道主动散热封装结构及方法。包括由下至上依次设置的硅晶圆、再布线层一、树脂塑封体和再布线层二；所述硅晶圆上嵌设有两个异构芯片一，且两个所述异构芯片一之间布设有微流道单元；所述树...

本发明公开一种应用于JESD204C接收端的FEC解码电路，属于集成电路领域，包含选择器、数据重构模块、数据解码模块和数据纠错模块。在电路不使能的条件下，输入数据不需要进行前项反馈纠错，可经由选择器直接输出；电路使能时，数据重构模块将输...

本发明公开一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法，属于半导体领域，适用于抗辐射高压体硅与SOI工艺，实现具有无回滞效应的高压GGNMOS ESD器件。本发明中，第一N型掺杂区作为耐压区域，其掺杂浓度较低，能够提高器件的击穿电...

本发明公开一种面向存算一体芯片的高效编程和校验方法，属于存算一体领域。首先，上电完成后进行整个阵列的快速初始化工作，初始化完成后，阵列所有位置均为0值权重；其次，全阵列初始化完成后对整个阵列的0值权重进行校验；接着，采取逐行逐个编程的方...

本发明涉及模数转换器技术领域，特别涉及一种基于时序误差方向修正的TIADC校准电路。包括：时序误差校准电路，包括误差提取模块和误差补偿模块；时序误差校准方向修正电路，对理论上任意奈奎斯特采样进行实时校准；即采用如下过程：将各sub‑AD...

本发明公开一种降低套偏精度要求的方法，属于半导体制造领域。提供SOI材料片，SOI材料片包括依次堆叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅；制造波导全刻蚀掩模版和非穿透性部分刻蚀掩模版；利用波导全刻蚀掩模版，在SOI材料片上进行波导全刻蚀，定义出条形...

本发明公开一种具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，属于微电子集成电路领域，包括：双介质层结构、岛状结构和凸出结构，其中所述双介质层结构的固态电解质是由高密度固态电解质和低密度固态电解质构成；所述插层结构的固态电解质中包含活性电极材料；所...

本发明公开一种可植入式微系统的晶圆级柔性封装方法，属于集成电路封装和生物医疗领域，方法步骤如下：预制再布线层的制备；功能芯片到临时载板的焊接；功能芯片的底部填充；形成一次聚二甲基硅氧烷胶体层；一次聚二甲基硅氧烷胶体层的固化并脱模；临时载...