一种降低套偏精度要求的方法技术

本发明专利技术公开一种降低套偏精度要求的方法，属于半导体制造领域。提供SOI材料片，SOI材料片包括依次堆叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅；制造波导全刻蚀掩模版和非穿透性部分刻蚀掩模版；利用波导全刻蚀掩模版，在SOI材料片上进行波导全刻蚀，定义出条形波导区、过渡区和脊形波导区的外边缘；利用非穿透性部分刻蚀掩模版，在SOI材料片上进行非穿透性部分刻蚀，形成过渡区和脊形波导平板区；非穿透性部分刻蚀后，去除光刻胶。通过该方法制备的结构包含条形波导、过渡区、脊形波导，实现了条形波导与脊形波导的有效连接和耦合；可以有效避免刻蚀的角落出现负载效应，避免刻蚀不充分导致光传输损耗变大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种降低套偏精度要求的方法。

技术介绍

1、硅基光波导是硅基光电子学中重要的无源器件，是光信号的传输通道。硅基光波导主要包括条形波导(strip waveguide)和脊形波导(ridge waveguide)两种类型，它们均由soi材料片(绝缘体上硅)的顶层硅(top si)刻蚀而成，不同点在于：条形波导的截面为soi顶层硅经过一道“波导全刻蚀”工艺形成的矩形，如图1所示；脊形波导的截面为soi顶层硅经过一道“波导全刻蚀”工艺和一道“非穿透性部分刻蚀”工艺形成的“凸”字形，，如图2所示；脊形波导包含厚度不同的两个区域，中间为厚度较大的“脊形区”(ridge)，两侧为厚度较薄的“平板区”(slab)，脊形区是主要的导光区域，平板区则可以进行杂质掺杂，用来连接电极结构。条形波导由一道“波导全刻蚀”工艺实现，停止层为soi片的埋氧层(box)，只需要使用一块掩模版(mask)；脊形波导除了中间的脊形区，还需要在两侧保留一定厚度的硅层作为平板区，因此除了一道“波导全刻蚀”工艺来定义脊形区和平板区的外边缘，还需要一道“非穿透性部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低套偏精度要求的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述非穿透性部分刻蚀掩模版由过渡区补全的矩形与脊形波导平板区组成的“凸”字形除底边外涨0.5-1μm形成、并包括“凸”字形两侧的直角梯形。

3.如权利要求1所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述波导全刻蚀掩模版包括波导非刻蚀区域和波导全刻蚀区域；

4.如权利要求1所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述非穿透性部分刻蚀掩模版包括非穿透性非刻蚀区域和非穿透性部分刻蚀区域；

5.如权利要求3所述的降低套偏精度要求的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种降低套偏精度要求的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述非穿透性部分刻蚀掩模版由过渡区补全的矩形与脊形波导平板区组成的“凸”字形除底边外涨0.5-1μm形成、并包括“凸”字形两侧的直角梯形。

3.如权利要求1所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述波导全刻蚀掩模版包括波导非刻蚀区域和波导全刻蚀区域；

4.如权利要求1所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述非穿透性部分刻蚀掩模版包括非穿透性非刻蚀区域和非穿透性部分刻蚀区域；

5.如权利要求3所述的降低套偏精度要求的方法，其特征在于，所述波导非刻蚀区域中，条形波导区、过渡区和脊形波导区的硅层厚度均为soi材料片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛超洋，曹利超，杨强，谢儒彬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：