温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种降低套偏精度要求的方法，属于半导体制造领域。提供SOI材料片，SOI材料片包括依次堆叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅；制造波导全刻蚀掩模版和非穿透性部分刻蚀掩模版；利用波导全刻蚀掩模版，在SOI材料片上进行波导全刻蚀，定义出条形波导...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。