面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法技术

技术编号:40675276 阅读:16 留言:0更新日期:2024-03-18 19:13
本发明专利技术公开一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,属于芯片封装领域。制作芯板层,并在所述芯板层的双面分别形成第一介质层和第二介质层;研磨所述芯板层正面的第一介质层,再制备第一布线层;在所述芯板层的正面制作第三介质层以及研磨背面的第二介质层:在背面制备第二布线层,并制备第四介质层;重复上述步骤制备成基板主体;在基板主体上制作超高铜柱并贴装硅桥芯片;在基板主体制作有超高铜柱的一面制备第五介质层,再对第五介质层进行研磨。本发明专利技术可实现硅桥芯片嵌入高密度有机基板的制备,实现有机基板布线密度局域增强,满足高性能芯粒间的高密度互连需求,支撑“后摩尔时代”下集成电路性能持续提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装,特别涉及一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法


技术介绍

1、芯粒集成技术被认为是“后摩尔时代”集成电路性能持续提升的重要解决方案,产业界在芯粒集成方案中推出了不同的技术方案,其中基于硅桥芯片互连的先进封装技术得益于其工艺灵活和成本相对可控的优势,是异构芯粒集成技术的主流方案之一。但是该技术存在如何实现硅桥芯片与封装基板进行更好的融合,如何实现硅桥芯片在基板中的信号引出以及芯片嵌入层如何解决垂直互连等问题,故需要开发一种硅桥芯片内嵌高密度有机基板的结构及制备方法。

2、英特尔提出的emib是一种实现硅桥芯片与基板融合的典型方案,通过在基板内形成空腔结构放置硅桥芯片,与标准封装基板制备工艺相比,该技术对硅桥芯片的装片和绝缘层打孔提出了非常高的精度要求,同时引入基板开腔的工艺,对技术成本和开发难度带来了挑战,故需开发一种工艺更为简单的硅桥芯片内嵌技术,以此进一步降低研发成本和技术难度。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤一包括:

3.如权利要求2所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤二包括:

4.如权利要求3所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤三包括:在所述芯板层的正面压介质薄膜形成第三介质层,所述第三介质层覆盖第一层布线;然后研磨背面的第二介质层,漏出背面的焊盘,为背面布线做准备。

5.如权利要求4所述...

【技术特征摘要】

1.一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤一包括:

3.如权利要求2所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤二包括:

4.如权利要求3所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤三包括:在所述芯板层的正面压介质薄膜形成第三介质层,所述第三介质层覆盖第一层布线;然后研磨背面的第二介质层,漏出背面的焊盘,为背面布线做准备。

5.如权利要求4所述的面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法,其特征在于,所述步骤四包括:在所述芯板层的背面形成第二布线层和第二铜柱;再压介质薄膜形成第四介...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁渊王刚刘书利孟德喜
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所
类型:发明
国别省市:

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