一种高散热多通道可返修SIP封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种高散热多通道可返修SIP封装结构，属于先进封装领域，包括电路基板、焊锡球、支撑球、裸芯片、隔离框以及其他器件；焊锡球、支撑球焊接于电路基板的背面；裸芯片、隔离框以及其他器件焊接于电路基板的正面。本发明专利技术可根据实际设计需求调整隔离框的分腔结构来满足多通道、多芯片间的电磁屏蔽需求；降低了基板的热阻，提升了产品散热性能；采用金属无氧铜作为隔离框与散热盖板，无氧铜与电路基板热膨胀系数较为匹配，同时无氧铜导热率较高，提高了封装产品的散热性能。若器件封装后有性能问题，可利用激光拆除散热盖板进行排故修复，可统计封装问题提升封装良率，缩短产品开发周期并降低产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及先进封装，特别涉及一种高散热多通道可返修sip封装结构。

技术介绍

1、sip先进封装与其他封装形式相比，具有系统设计灵活性高，上市时间快、主板结构相对简单、开发成本低、可靠性高等优势。

2、随着半导体行业对系统高度集成、小尺寸、低成本等方面的要求，系统级封装sip受到了越来越多的关注。据统计，采用sip技术的产品，相比传统模组在面积上减小45％，rf性能也提高了0.5-1.5db。由于多芯片的存在，芯片间的隔离直接影响了封装器件整体性能，与此同时增加封装器件的整体热耗，故而sip封装隔离及散热问题更为关键。

3、封装器件的主要热源为芯片工作时本身的热耗，随着裸芯片功能复杂度的提高，性能指标的提升，布线密度的增加，单个裸芯片的功耗越来越大。

4、由于单个芯片的热耗高，布局紧凑，热流密度大幅增加，导致温升加大，降低了整个封装器件的性能和可靠性，因此散热问题尤为重要。

5、另外芯片、阻容器件在封装前即使进行了相应的筛选，后续仍存在一定的失效率，从而导致整个sip封装器件的失效，这也是一个急需解决的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高散热多通道可返修SIP封装结构，其特征在于，包括电路基板、焊锡球、支撑球、裸芯片、隔离框以及其他器件；

2.如权利要求1所述的高散热多通道可返修SIP封装结构，其特征在于，所述裸芯片的焊盘处制作有凸点，所述裸芯片通过再流倒装焊技术将所述凸点与所述电路基板焊接互连。

3.如权利要求1所述的高散热多通道可返修SIP封装结构，其特征在于，所述在裸芯片和所述电路基板之间填充有加固胶。

4.如权利要求1所述的高散热多通道可返修SIP封装结构，其特征在于，所述隔离框的顶部安装有散热盖板，并通过激光方式进行熔封。

5.如权利要求4所述的高散热多...

【技术特征摘要】

1.一种高散热多通道可返修sip封装结构，其特征在于，包括电路基板、焊锡球、支撑球、裸芯片、隔离框以及其他器件；

2.如权利要求1所述的高散热多通道可返修sip封装结构，其特征在于，所述裸芯片的焊盘处制作有凸点，所述裸芯片通过再流倒装焊技术将所述凸点与所述电路基板焊接互连。

3.如权利要求1所述的高散热多通道可返修sip封装结构，其特征在于，所述在裸芯片和所述电路基板之间填充有加固胶。

4.如权利要求1所述的高散热多通道可返修sip封装结构，其特征在于，所述隔离框的顶部安装有散热盖板，并通过激光方式进行熔封。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞民良，邵海洲，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：