【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子集成电路，特别涉及一种具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构。
技术介绍
1、随着近年来云计算和人工智能应用的发展，人工智能在语音识别、虚拟助理、机器学习平台等方面的问题上取得了巨大的进步，使得类智能应用的数据呈爆炸式增长。传统冯·诺依曼计算架构中，因为计算和存储间数据交换的吞吐量远低于cpu的工作速率，所以会严重限制数据处理速度和增大内存读取功耗，即“存储墙”和“功耗墙”问题，而且随着处理器性能的不断提升，“存储墙”和“功耗墙”问题愈发突出。
2、基于导电桥型忆阻器(cbram)的计算单元不仅能够实现器件的存储记忆特性，还可以通过基于非冯·诺依曼存的算一体架构，节省从内存单元逐层到计算单元的数据传输开销，并利用基础物理定律和原理完成海量的ai计算，因此成为学术界和产业界研发的热点；虽然部分cbram器件具有工艺过程简单、cmos工艺兼容性强的优势，但仍存在金属细丝形成电压高的劣势，导致实际应用过程中资源消耗大，阻碍了由实验室向产业化发展的过程。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，其特征在于，基于活性电极、固态电解质、惰性电极的三明治结构；还包括：
2.如权利要求1所述的具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，其特征在于，所述双介质层结构由低密度介质层和高密度介质层组成，其中所述低密度介质层临近所述活性电极，所述高密度介质层临近所述惰性电极。
3.如权利要求2所述的具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，其特征在于，所述低密度固态电解质和所述高密度固态电解质通过改变外界环境制备，制备方法包括通过控制温度形成含缺陷介质层以形成低密度固态电解质，或者通过改变原子数配比以形成低密度固态电解质
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【技术特征摘要】
1.一种具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，其特征在于，基于活性电极、固态电解质、惰性电极的三明治结构；还包括：
2.如权利要求1所述的具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，其特征在于，所述双介质层结构由低密度介质层和高密度介质层组成，其中所述低密度介质层临近所述活性电极，所述高密度介质层临近所述惰性电极。
3.如权利要求2所述的具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，其特征在于，所述低密度固态电解质和所述高密度固态电解质通过改变外界环境制备，制备方法包括通过控制温度形成含缺陷介质层以形成低密度固态电解质，或者通过改变原子数配比以形成低密度固态电解质。
4.如权利要求1所述的具有低形成电压的导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏轶聃，刘国柱，魏敬和，赵伟，魏应强，隋志远，刘美杰，周颖，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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