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本发明公开一种具有低形成电压的导电桥型忆阻器结构，属于微电子集成电路领域，包括：双介质层结构、岛状结构和凸出结构，其中所述双介质层结构的固态电解质是由高密度固态电解质和低密度固态电解质构成；所述插层结构的固态电解质中包含活性电极材料；所述凸...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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