【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子芯片制造，特别是涉及一种掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法。
技术介绍
1、约瑟夫森结是超导量子芯片中的关键器件之一。超导量子芯片的性能从很大程度上依赖于高品质、高稳定性的约瑟夫森结。约瑟夫森结是由超导体、绝缘体和超导体的叠层结构组成。
2、目前的约瑟夫森结的制造工艺通常是在垂直衬底的方向上制作两层超导体相互交叠的垂直层叠结构来形成约瑟夫森结，交叠区域的面积即为约瑟夫森结的面积，所以约瑟夫森结的面积由超导体的线宽决定。然而，约瑟夫森结属于微纳器件，超导体的线宽非常小，在当前的制造工艺下，超导体的线宽很难精准控制，对约瑟夫森结的面积影响较大，直接导致约瑟夫森结的电阻出现较大误差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法，以解决现有技术中约瑟夫森结的面积受超导体线宽影响较大的问题，能够降低超导体线宽对约瑟夫森结的面积的影响。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩膜，包括上层的第一光刻胶...
【技术保护点】
1.一种掩膜，其特征在于，包括上层的第一光刻胶层和下层的第二光刻胶层，所述第一光刻胶层形成有相互垂直但不连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第二光刻胶层形成有相互垂直且连通的第三沟槽和第四沟槽，所述第一沟槽与所述第三沟槽的延伸方向一致且在所述第三沟槽的开口范围内，所述第二沟槽与所述第四沟槽的延伸方向一致且在所述第四沟槽的开口范围内。
2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第二沟槽和所述第四沟槽均为两条，两条所述第二沟槽分别对应两条所述第四沟槽，且两条所述第二沟槽位于所述第一沟槽同一侧。
3.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一沟槽、...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜，其特征在于，包括上层的第一光刻胶层和下层的第二光刻胶层，所述第一光刻胶层形成有相互垂直但不连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第二光刻胶层形成有相互垂直且连通的第三沟槽和第四沟槽，所述第一沟槽与所述第三沟槽的延伸方向一致且在所述第三沟槽的开口范围内，所述第二沟槽与所述第四沟槽的延伸方向一致且在所述第四沟槽的开口范围内。
2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第二沟槽和所述第四沟槽均为两条，两条所述第二沟槽分别对应两条所述第四沟槽，且两条所述第二沟槽位于所述第一沟槽同一侧。
3.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽和所述第四沟槽的截面形状和开口形状均为矩形。
4.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一沟槽与所述第三沟槽的开口重合，所述第二沟槽与...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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