温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法。掩膜包括上层的第一光刻胶层和下层的第二光刻胶层，第一光刻胶层形成有相互垂直但不连通的第一沟槽和第二沟槽，第二光刻胶层形成有相互垂直且连通的第三沟槽和第四沟槽，第一沟槽与第三沟槽的...
该专利属于本源量子计算科技（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过本源量子计算科技（合肥）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。