一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构及应用制造技术

本发明专利技术公开了一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构及应用，涉及半导体芯片封装技术领域，该结构包括塑封体和引线框架，引线框架位于塑封体的内部；引线框架包括内置基岛和多个导通焊盘；还包括外置散热片，外置散热片的一侧外露，外置散热片的另一侧与内置基岛紧贴，且内置基岛与外置散热片之间形成用于抵接霍尔盘的连接部；内置基岛和外置散热片均开设有用于容纳霍尔盘的管芯的贯穿凹槽，将塑封体和引线框架设置为以上结构，在满足结构强度和工艺要求条件下，在最大程度上增强了散热能力并降低导通内阻，同时，通过设计增强了原边电流在管芯霍尔盘处产生的磁增益，为前端电路设计提供了很高的引领作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片封装，更具体地说，它涉及一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结构及应用。

技术介绍

1、霍尔电流传感器芯片主要应用于汽车、工业等行业，在逆变器、变送器、伺服电机等核心元件里起到重要作用。微型化、高集成化、智能化将是霍尔电流传感器芯片技术层面的主要趋势，对此新型的封装设计以及封装结构在
起到重要作用。

2、根据芯片的封装方式进行分类，主要为芯片级封装、晶圆级封装和系统级封装三大类别；对于霍尔电流传感器芯片的封装方式主要为芯片级封装，原因是封装结构中的引线框架结构在霍尔效应中起到重要作用，在设计理念中可以理解其为原边通电流的一根导线，引线框架通过电流时在管芯霍尔盘的位置产生磁场，经内部电路处理输出电压信号，实现原边电流检测。

3、在上述背景下，设计具有低阻抗，高磁增益的引线框架结构，并满足市场端应用需求的封装结构，在霍尔电流传感器芯片的发展路线上举足轻重。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结构及应用，以解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构，其特征在于，包括塑封体和引线框架，所述引线框架位于所述塑封体的内部；所述引线框架包括内置基岛和多个导通焊盘，所述塑封体将所述内置基岛包裹在内；

2.根据权利要求1所述的一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构，其特征在于，所述外置散热片外露一侧的外壁与所述塑封体的外壁齐平。

3.根据权利要求1所述的一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构，其特征在于，所述外置散热片和所述内置基岛的贯穿凹槽的端口伸出所述塑封体并形成多个外接端口，且多个所述外接端口均位于所述塑封体的同侧。

4.根据权利要求3所述的一种霍...

【技术特征摘要】

1.一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结构，其特征在于，包括塑封体和引线框架，所述引线框架位于所述塑封体的内部；所述引线框架包括内置基岛和多个导通焊盘，所述塑封体将所述内置基岛包裹在内；

2.根据权利要求1所述的一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结构，其特征在于，所述外置散热片外露一侧的外壁与所述塑封体的外壁齐平。

3.根据权利要求1所述的一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结构，其特征在于，所述外置散热片和所述内置基岛的贯穿凹槽的端口伸出所述塑封体并形成多个外接端口，且多个所述外接端口均位于所述塑封体的同侧。

4.根据权利要求3所述的一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结构，其特征在于，多个所述导通焊盘嵌设在所述塑封体的外壁，并位于除塑封体设置外接端口的一侧的其他各个侧面。

5.根据权利要求1所述的一种霍尔电流传感器芯片的新型qfn封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹开，陈忠志，赵斌，刘学，张楚，栗伟斌，刘力，
申请(专利权)人：成都芯进电子有限公司，
类型：发明
国别省市：