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一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构及应用制造技术
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文档序号:40516954
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本发明公开了一种霍尔电流传感器芯片的新型QFN封装结构及应用,涉及半导体芯片封装技术领域,该结构包括塑封体和引线框架,引线框架位于塑封体的内部;引线框架包括内置基岛和多个导通焊盘;还包括外置散热片,外置散热片的一侧外露,外置散热片的另一侧与...
该专利属于成都芯进电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都芯进电子有限公司授权不得商用。
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