本发明属于研磨板生产设备技术领域，尤其涉及一种掩膜版生产设备，包括：工作箱，驱动电机，分别间隔于工作箱一端壁的两侧，输出端均贯穿至工作箱内；丝锥杆，分别一端与驱动电机的输出端连接，另一端分别与工作箱背离驱动电机一侧的内壁转动连接；吸附装...

本发明属于掩膜版生产技术领域，尤其涉及一种用于掩膜版生产用的喷压设备，包括：两个支撑架，间隔设置于地面上；传输带，设置于两个支撑架之间；安装架，安装于两个支撑架上且位于传输带的上方；厚度检测装置，固定端安装于安装架底端，输出端朝向于传输...

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种精密金属掩膜版生产用柔性滚轮，包括：滚轮支撑架；滚轮轴，固定安装于滚轮支撑架上；环槽，开设于滚轮轴外侧壁上；弹性衬套，套设于滚轮轴外侧，弹性衬套与环槽之间形成可膨胀的环形容纳腔；进气装置，位于滚轮支...

本发明属于湿法蚀刻技术领域，特别涉及一种用于湿法蚀刻补偿蚀刻装置，包括：溢流盒；集液槽，位于溢流盒下方；进液管道，位于溢流盒与集液槽之间用于向溢流盒输送药液；其中，进液管道的出液端贯穿溢流盒外一侧壁伸入溢流盒内部，溢流盒上端开设有用于供...

本发明属于掩膜版技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其生产工艺，包括：板体；若干进气槽组，设置于板体的顶端，且若干进气槽组沿着板体的长度方向间隔设置，所述进气槽组包括若干沿着板体宽度方向间隔设置的进气槽；以及若干蒸镀孔，分别设置于板体的底端并...

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种精密金属遮罩工艺提高蚀刻因子的方法，包括如下步骤：步骤一

本发明公开一种箔材无损残余应力磁测方法及磁测系统，包括以下步骤：S100：在不同的提离高度下，测试不同的励磁电流下磁感应电压值V

本实用新型公开一种适用于金属掩膜版的缓冲单元和加工装置，包括：机架；第一从动辊，设置于机架一端；第二从动辊，设置于机架另一端；驱动辊，滑动设置于机架上，且位于第一从动辊和第二从动辊之间；金属掩膜版依次绕过第一从动辊、驱动辊、第二从动辊设...

本发明公开一种金属掩膜版光罩组件及金属掩膜版基材的曝光方法，包括：光罩，具有第一平面和第二平面，所述第一平面具有切角，所述切角宽度D1小于光罩厚度T的一半；夹爪治具，贴合于光罩上下端面，包括治具本体和设置于治具本体一侧且贴合切角设置的贴...

本发明公开一种金属掩膜版基材曝光组件及方法，包括两片光罩，所述两片光罩之间设置基材，所述基材的两侧、两片光罩之间设置有若干均匀排列的间距调节件，所述间距调节件的厚度略大于基材厚度；相邻的间距调节件之间形成空气释放通道，提高光罩真空吸附时...

本发明公开一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版，包括S500：在初步蚀刻完的金属掩膜版基材的第一主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第一凹陷区，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第二凹陷区；S600：第一主表面全面固化抗蚀剂，第二主表面制作出第...

本发明公开一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法，包括基材本体和连接于基材本体表面的干膜，所述基材本体表面设有一定厚度的致密氧化膜层，所述致密氧化膜层致使基材本体表面形成亲干膜表面。本发明在基材本体表面形成致密氧化膜层来提高与干膜...

本发明公开一种金属掩膜版原材及加工工艺，以质量％计，Si％<0.01，Al％<0.01，Mg％<0.001，O％<0.001，0.2<Mn％<0.4，3...

本实用新型公开一种薄材翻转组件，包括：机架；翻转板，转动配合于机架上，包括：翻转板本体；安装槽，位于翻转板本体两侧；移动片，滑动配合于安装槽内，表面与翻转板本体齐平且设有若干吸附孔；空气控制组件，设置于机架，通过气管连接于移动片的吸附孔...

本发明公开一种基于表面平坦度的蒸镀基材蚀刻装置及蚀刻方法，包括卷出机构、运输机构、张力补偿机构、张力检测机构、蚀刻机构；所述卷出机构表面缠绕有蒸镀基材，所述运输机构位于放卷装置材料输出的一侧，包括若干个用于输送基材的运输辊轴，张力补偿机...

本发明公开一种适用于金属掩模板的涂布装置及涂布方法，涂布装置包括：放卷机构，缠绕有金属掩模板基材；输送机构，位于放卷装置一侧，包括两个反向转动、用于输送金属掩模板基材的转动辊；张力测量机构，位于输送机构一侧，用于测量金属掩模板基材左右两...

本发明公开一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法，晶面（111）、晶面（200）、晶面（220）和晶面（311）的衍射峰强度分别定义为I（111）、I（200）、I（220）和I（311）；A=Ｉ(200)／｛Ｉ(111)+Ｉ(...

本发明公开一种高强度金属遮罩，包括：金属板材，所述金属板材表面设有若干贯通孔，通过若干贯通孔在金属板材上形成若干遮罩块结构，所述遮罩块结构包括第一遮部，所述第一遮部的厚度T3与金属板材的厚度H1的比值小于等于1/5，本发明在不改变遮罩块...

本发明公开一种金属遮罩，包括：主要图形区；边部图形区，位于主要图形区侧边，其上下两个表面均设有若干用于压延工序中减小应力释放所造成的长度差异的凹型槽，通过边部图形区上下两个表面的凹型槽来减小压延工序中释放所造成的长度差异，防止金属遮罩边...

本实用新型提供了一种用于湿制程的全覆盖双室喷药设备，包括相衔接的第一喷药室和第二喷药室，第一喷药室和第二喷药室的中部均开设相连通的工件输送通道，第一喷药室和第二喷药室的上部设置用于朝下喷药的喷洒机构，下部设置用于朝上喷药的喷洒机构，喷洒...