一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法技术

本发明专利技术公开一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法，包括基材本体和连接于基材本体表面的干膜，所述基材本体表面设有一定厚度的致密氧化膜层，所述致密氧化膜层致使基材本体表面形成亲干膜表面。本发明专利技术在基材本体表面形成致密氧化膜层来提高与干膜的粘附力。表面形成致密氧化膜层来提高与干膜的粘附力。表面形成致密氧化膜层来提高与干膜的粘附力。

【技术实现步骤摘要】
一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法。

技术介绍

[0002]精密金属遮罩(FMM，finemetalmask)主要用于OLED蒸镀制程中，RGB三种颜色的蒸镀材料透过精密金属遮罩上的孔洞，准确地将位置形状大小定义在玻璃基板上。其中，金属遮罩在制作过程中，需要在金属遮罩基材上粘附干膜再进行蚀刻。现有技术中，金属表面经过光阻键结剂(PBA)处理，金属表面转化为有机金属层，与干膜形成良好结合力，从而提升干膜与金属基材粘附力。但是，(1)光阻键结剂对于不同金属基材和不同干膜种类，很容易失效；(2)使用有效光阻键结剂后，后段脱膜工艺干膜剥离困难，易造成干膜残留；(3)光阻键结剂易腐蚀invar合金，使成品生锈。故现有技术中的使用光阻键结剂(PBA)来提高金属遮罩基材与干膜之间粘附力的方式存在较大弊端。

技术实现思路

[0003]为解决以上技术问题，本专利技术提供了一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法，在基材本体表面形成致密氧化膜层来提高与干膜的粘附力。
[0004]本专利技术采用以下技术方案：
[0005]一种金属遮罩基材，包括基材本体和连接于基材本体表面的干膜，所述基材本体表面设有一定厚度的致密氧化膜层，所述致密氧化膜层致使基材本体表面形成亲干膜表面。
[0006]作为优选，所述致密氧化膜层包括氧化铁与氧化镍。
[0007]作为优选，所述致密氧化膜层为50nm/>‑
200nm。
[0008]作为优选，所述致密氧化膜层为150nm。
[0009]作为优选，所述基材本体上下两个表面均通过致密氧化膜层连接干膜。
[0010]一种提高干膜与基材粘附力的方法，包括以下步骤：
[0011]S100：对基材本体上下两个表面进行处理使其形成一定厚度的致密氧化膜层，致使基材本体上下两个表面形成亲干膜表面；
[0012]S200：将干膜通过压膜机压于基材本体的表面，基材本体与干膜通过致密氧化膜层连接。
[0013]作为优选，所述S100还包括：基材本体去除油污及杂质后放置洁净间老化，使基材表面自然形成致密氧化膜层。
[0014]作为优选，所述S100还包括：基材本体去除油污及杂质后进行恒温烘烤，加速基材表面形成致密氧化膜层。
[0015]作为优选，所述恒温烘烤温度为150℃，烘烤时间为5min。
[0016]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
[0017]现有技术中的使用光阻键结剂(PBA)来提高金属遮罩基材与干膜之间粘附力的方式存在较大弊端，本专利技术提供了一种金属遮罩基材及提高干膜与基材粘附力的方法，在基材本体表面形成致密氧化膜层，使得基材本体表面形成亲干膜表面，提高与干膜的粘附力。
附图说明
[0018]图1为金属遮罩基材的结构示意图。
[0019]图2为致密氧化膜层厚度与水滴角的对应关系图。
[0020]图3为本专利技术的工艺流程图。
[0021]图4为本专利技术干膜的粘附情况图。
[0022]图5为使用PBA的干膜的粘附情况图。
[0023]图中，基材本体1、干膜2、致密氧化膜层3。
具体实施方式
[0024]为了便于理解本专利技术技术方案，以下结合附图与具体实施例进行详细说明。
[0025]实施例1
[0026]如图1
‑
2所示，一种金属遮罩基材，包括基材本体1和连接于基材本体1表面的干膜2。其中，所述基材本体1为板状结构的invar合金，本实施例中，所述基材本体1上下两个表面均设有干膜2。
[0027]现有技术中的使用光阻键结剂(PBA)来提高金属遮罩基材与干膜之间粘附力的方式存在较大弊端，本专利技术在研究过程中发现致密氧化膜层3与干膜2之间存在较大的粘附力。
[0028]故本实施例中，所述基材本体1表面设有一定厚度的致密氧化膜层3，通过所述致密氧化膜层3致使基材本体1表面形成亲干膜表面，所述亲干膜表面指的是，该表面与干膜2之间的粘附力较大，经过试验发现，致密氧化膜层3与干膜2之间的粘附力比使用光阻键结剂(PBA)的粘附力大，同时，还不存在
技术介绍
中涉及的三个弊端。如图4
‑
5所示，图4为干膜线宽为10um时使用致密氧化膜层3来粘附干膜2的结果，图5为干膜线宽为10um时使用PBA来粘附干膜2的结果，可以清楚的看出，图4的干膜2的粘附为合格的，图5的干膜2存在部分形变或者不平整。
[0029]所述基材本体1上下两个表面均通过致密氧化膜层3连接干膜2。
[0030]由于invar合金包含大量的金属铁和金属镍，故所述致密氧化膜层3包括氧化铁与氧化镍。
[0031]由于不同干膜2对基材本体1表面不同厚度致密氧化膜层3亲和度不同，通过实验证明，所述致密氧化膜层3为50nm
‑
200nm，可以适用于市面上常用的干膜。
[0032]本实施例中，所述干膜2选用杜邦Riston
‑
PM300，基材本体1表面的致密氧化膜层3厚度为150nm。
[0033]由于不同厚度的致密氧化膜层3，其水滴角大小也不一样，故本实施例中，为了方便实验中对致密氧化膜层3进行监控，可以通过测量水滴角大小，来表征氧化膜的厚度。其中，水滴角测量设备为光学接触角测量仪
‑
SDP300。
[0034]本实施例中，致密氧化膜层3是直接生长在基材本体1表面，无需去除，同时，致密
氧化膜层3还能保护成品不生锈。
[0035]一种提高干膜与基材粘附力的方法，包括以下步骤：
[0036]S100：对基材本体1上下两个表面进行处理使其形成一定厚度的致密氧化膜层3，致使基材本体1上下两个表面形成亲干膜表面；
[0037]S200：将干膜2通过压膜机压于基材本体1的表面，基材本体1与干膜2通过致密氧化膜层3连接。
[0038]其中，S100中形成一定厚度的致密氧化膜层3具有两种方式，方式一：基材本体1去除油污及杂质后放置洁净间老化，使基材表面自然形成致密氧化膜层3；方式二：基材本体1去除油污及杂质后进行恒温烘烤，加速基材表面形成致密氧化膜层3。
[0039]方式二中，所述恒温烘烤温度为150℃，烘烤时间为5min。
[0040]以上仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术的保护范围以权利要求所限定的范围为准，本领域技术人员在不脱离本专利技术的精神和范围内做出的若干改进和润饰，也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属遮罩基材，其特征在于，包括基材本体(1)和连接于基材本体(1)表面的干膜(2)，所述基材本体(1)表面设有一定厚度的致密氧化膜层(3)，所述致密氧化膜层(3)致使基材本体(1)表面形成亲干膜表面。2.根据权利要求1所述的一种金属遮罩基材，其特征在于，所述致密氧化膜层(3)包括氧化铁与氧化镍。3.根据权利要求1所述的一种金属遮罩基材，其特征在于，所述致密氧化膜层(3)为50nm
‑
200nm。4.根据权利要求3所述的一种金属遮罩基材，其特征在于，所述致密氧化膜层(3)为150nm。5.根据权利要求1所述的一种金属遮罩基材，其特征在于，所述基材本体(1)上下两个表面均通过致密氧化膜层(3)连接干膜(2)。6.一种提高干膜与基材粘附力的方法，其特征在于，包括以下步骤：S...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，康岳湖，沈洵，徐华伟，夏金晓，
申请(专利权)人：浙江众凌科技有限公司，
类型：发明
国别省市：