一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备制造技术

本发明专利技术公开了一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备包括依次通过真空管路连接的第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓；所述第一真空仓顶部形成的移动窗口内移动安装有连接杆，所述连接杆端部安装有样品台，所述第一真空仓还具有：密封组件，所述连接杆在所述移动窗口内移动时，所述密封组件始终能够保持第一真空仓内的压力稳定；移动组件，能够通过所述连接杆控制所述样品台在所述第一真空仓内移动；真空传样杆，设于所述第一真空仓侧部；本发明专利技术可解决传统的镀膜设备仅负责镀膜，无法对半导体表面形成的薄膜进行分析检测，且镀膜设备对样品进行旋转的方式为原位旋转，不能根据蒸发源的位置进行改变，影响半导体基片表面薄膜成型的均匀性。薄膜成型的均匀性。薄膜成型的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备


[0001]本专利技术涉及半导体真空镀膜
，具体涉及一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备。

技术介绍

[0002]蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称渡料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。
[0003]真空镀膜/薄膜沉积是半导体芯片制造工艺中的重要环节，根据镀膜所用渡料的不同，常见的镀膜设备有无机镀膜仪和有机镀膜仪，传统的镀膜设备仅负责镀膜，无法对半导体表面形成的薄膜进行分析检测，功能单一，此外，市场上的镀膜设备对样品进行旋转的方式为原位旋转，不能根据蒸发源的位置进行改变，影响半导体基片表面薄膜成型的均匀性。

技术实现思路

[0004]为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备。
[0005]为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案包括依次通过真空管路连接的第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓；
[0006]其中，所述第二真空仓内设置有高分辨形貌检测装置，所述第三真空仓内设置有电学信号检测装置；
[0007]其中，所述第一真空仓顶部形成移动窗口，所述移动窗口内可移动安装有连接杆，所述连接杆位于所述第一真空仓内的部分安装有样品台，所述第一真空仓底部设有蒸发源组，所述第一真空仓还具有：
[0008]密封组件，设于所述移动窗口上并延伸至所述第一真空仓外部，所述连接杆在所述移动窗口内移动时，所述密封组件始终能够保持第一真空仓内的压力稳定；
[0009]移动组件，设置在所述第一真空仓上，能够通过所述连接杆控制所述样品台在所述第一真空仓内移动；
[0010]真空传样杆，设于所述第一真空仓侧部，用于将所述样品台上的样品通过真空管路可选择的取放在形貌检测装置或电学信号检测装置处。
[0011]本申请通过设置第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓通过真空管路连接，可实现薄膜在基片表面成型后，将基片通过真空传样杆运送到第二真空仓和第三真空仓内进行检测时，始终处于真空状态，避免外交对基片表面薄膜的污染而导致检测结果的不准确，具备实用性；同时，在蒸镀原材料时，通过控制移动组件工作，即可实现样品台的三维位置的调整，进一步提高基片表面薄膜成型的均匀性。
[0012]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述密封组件包括：
[0013]波纹管，其密封设于所述移动窗口上；
[0014]固定座，其设置在所述波纹管的顶部，用于将所述波纹管进行密封。
[0015]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述移动组件包括：
[0016]第一驱动气缸，设于第一真空仓顶部，所述第一驱动气缸的伸出轴端可选择的与所述密封组件连接。
[0017]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述移动组件还包括：
[0018]第二驱动气缸，设于所述真空仓上，所述第二驱动气缸用于驱动所述第一驱动气缸和密封组件同步垂直移动。
[0019]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述固定座顶面安装有驱动电机，所述驱动电机用于驱动所述连接杆转动设置。
[0020]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述真空管路上设置有温控组件，所述温控组件用于控制基片的快速升温或降温。
[0021]本申请通过设置温控组件，以根据实验需求不同，对基片表面薄膜进行快速降温或升温，实现高效温控，满足待检测样品的温度多样性，同时能够确保基片能在各个设备之间高效衔接，具备实用性。
[0022]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述真空管路上设有真空闸板阀。通过该种设置，可使第一真空仓与第二真空仓之间、第二真空仓和第三真空仓之间能够相互分隔，以此减少第一真空仓内的蒸汽通过真空管路进入第二真空仓和第三真空仓的可能，提高薄膜检测所得数据的准确性。
[0023]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述第一真空仓内设置有传感器组件，所述传感器组件能够对样品的低分辨形貌以及第一真空仓内的压强、温度进行检测。
[0024]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述蒸发源组位于所述传感器组件的外侧。
[0025]在上述半导体真空镀膜与检测设备的优选技术方案中，所述波纹管内安装有弹性不锈钢丝。
[0026]本专利技术的有益效果是，在半导体基片蒸镀时，通过控制移动组件工作，即可实现样品台的三维位置的调整，提高基片表面薄膜成型的均匀性，薄膜在基片表面成型后，通过真空传样杆将基片运送到第二真空仓和第三真空仓内进行检测时，整个仓体始终处于真空状态，避免外交对基片表面薄膜的污染而导致检测结果的不准确，具备实用性，且通过设置温控组件，以根据实验需求不同，对基片表面薄膜进行快速降温或升温，实现高效温控，满足待检测样品的温度多样性，同时能够确保基片能在各个设备之间高效衔接，具备实用性。
附图说明
[0027]图1为本专利技术的主视图；
[0028]图2为本专利技术的剖视图；
[0029]图3为传感器组件与蒸发源组的示意图；
[0030]图中：第一真空仓1、第二真空仓2、第三真空仓3、真空管路4、有机蒸发源51、无机蒸发源52、传感器组件6、真空传样杆7、移动窗口8、连接杆9、样品台11、波纹管12、固定座13、第一驱动气缸14、第二驱动气缸15、驱动电机16、温控组件17。
具体实施方式
[0031]下面参照附图来描述本专利技术的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本专利技术的技术原理，并非旨在限制本专利技术的保护范围。
[0032]需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]此外，还需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0034]如图1至3所示，本专利技术的一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备包括通过真空管路4依次连接的第一真空仓1、第二真空仓2和第三真空仓3，第二真空仓2内安装有高分辨率形貌检测装置，高分辨率形貌检测装置能够实现对半导体基片上形成薄膜的高分辨形貌检测，第三真空仓3内设置有电学信号检测装置，电学信号检测装置能够检测产品的电学性能，电学信号检测装置为探针台。需要说明的是，第一真空仓1、第二真空仓2和第三真空仓3均密封设有开关仓门(附图未示出)和真空泵(附图未示出)，三个真空泵分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备，其特征在于，包括依次通过真空管路连接的第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓；其中，所述第二真空仓内设置有高分辨形貌检测装置，所述第三真空仓内设置有电学信号检测装置；其中，所述第一真空仓顶部形成移动窗口，所述移动窗口内可移动安装有连接杆，所述连接杆位于所述第一真空仓内的部分安装有样品台，所述第一真空仓底部设有蒸发源组，所述第一真空仓还具有：密封组件，设于所述移动窗口上并延伸至所述第一真空仓外部，所述连接杆在所述移动窗口内移动时，所述密封组件始终能够保持第一真空仓内的压力稳定；移动组件，设置在所述第一真空仓上，能够通过所述连接杆控制所述样品台在所述第一真空仓内移动；真空传样杆，设于所述第一真空仓侧部，用于将所述样品台上的基片通过真空管路可选择的取放在形貌检测装置或电学信号检测装置处。2.根据权利要求1所述的一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备，其特征在于：所述密封组件包括：波纹管，其密封设于所述移动窗口上；固定座，其设置在所述波纹管的顶部，用于将所述波纹管进行密封。3.根据权利要求1所述的一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备，其特征在于：所述移动组件包括：第一驱动气缸，设于第一真空仓顶部，所述第一驱动气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，张义帅，
申请(专利权)人：英纳科苏州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：