一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备制造技术

本发明专利技术公开了一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备包括依次通过真空管路连接的第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓；所述第一真空仓顶部形成的移动窗口内移动安装有连接杆，所述连接杆端部安装有样品台，所述第一真空仓还具有：密封组件，所述连接杆在所述移动窗口内移动时，所述密封组件始终能够保持第一真空仓内的压力稳定；移动组件，能够通过所述连接杆控制所述样品台在所述第一真空仓内移动；真空传样杆，设于所述第一真空仓侧部；本发明专利技术可解决传统的镀膜设备仅负责镀膜，无法对半导体表面形成的薄膜进行分析检测，且镀膜设备对样品进行旋转的方式为原位旋转，不能根据蒸发源的位置进行改变，影响半导体基片表面薄膜成型的均匀性。薄膜成型的均匀性。薄膜成型的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备


[0001]本专利技术涉及半导体真空镀膜
，具体涉及一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备。

技术介绍

[0002]蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称渡料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。
[0003]真空镀膜/薄膜沉积是半导体芯片制造工艺中的重要环节，根据镀膜所用渡料的不同，常见的镀膜设备有无机镀膜仪和有机镀膜仪，传统的镀膜设备仅负责镀膜，无法对半导体表面形成的薄膜进行分析检测，功能单一，此外，市场上的镀膜设备对样品进行旋转的方式为原位旋转，不能根据蒸发源的位置进行改变，影响半导体基片表面薄膜成型的均匀性。

技术实现思路

[0004]为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备。
[0005]为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案包括依次通过真空管路连接的第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓；
[0006]其中，所述第二真空仓内设置有高分辨形貌检测装置，所述第三真空仓内设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备，其特征在于，包括依次通过真空管路连接的第一真空仓、第二真空仓和第三真空仓；其中，所述第二真空仓内设置有高分辨形貌检测装置，所述第三真空仓内设置有电学信号检测装置；其中，所述第一真空仓顶部形成移动窗口，所述移动窗口内可移动安装有连接杆，所述连接杆位于所述第一真空仓内的部分安装有样品台，所述第一真空仓底部设有蒸发源组，所述第一真空仓还具有：密封组件，设于所述移动窗口上并延伸至所述第一真空仓外部，所述连接杆在所述移动窗口内移动时，所述密封组件始终能够保持第一真空仓内的压力稳定；移动组件，设置在所述第一真空仓上，能够通过所述连接杆控制所述样品台在所述第一真空仓内移动；真空传样杆，设于所述第一真空仓侧部，用于将所述样品台上的基片通过真空管路可选择的取放在形貌检测装置或电学信号检测装置处。2.根据权利要求1所述的一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备，其特征在于：所述密封组件包括：波纹管，其密封设于所述移动窗口上；固定座，其设置在所述波纹管的顶部，用于将所述波纹管进行密封。3.根据权利要求1所述的一种多功能高效率半导体真空镀膜与检测设备，其特征在于：所述移动组件包括：第一驱动气缸，设于第一真空仓顶部，所述第一驱动气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，张义帅，
申请(专利权)人：英纳科苏州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：