一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法技术

本发明专利技术公开一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法，晶面（111）、晶面（200）、晶面（220）和晶面（311）的衍射峰强度分别定义为I（111）、I（200）、I（220）和I（311）；A=Ｉ(200)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；B=Ｉ(220)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；C=Ｉ(311)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；D=Ｉ(111)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；其中，A>40%，0%<B－A<5%，C<15%，D<5%，80%≤A+B≤90%，减小晶面（200）与晶面（220）的强度百分比差值，晶粒取向各向异性减小，以提高其蚀刻均匀性及光泽度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法。

技术介绍

[0002]OLED是一种通过使用有机材料来驱动的显示装置，不需要单独的光源，并且有机材料本身可以用作光源并可以以低功耗来驱动。另外，OLED作为可以表现出无限的对比度、具有比LCD快约1000倍的响应速度、并且可以以优异的视角代替LCD的显示装置，因此受到关注。
[0003]特别地，在OLED的发射层中包括的有机材料可以通过被称为精细金属掩模(FMM)的沉积掩模而沉积在基板上，并且所沉积的有机材料可以形成与在沉积掩模上形成的图案相对应的图案以用作像素。具体地，沉积掩模包括在与像素图案相对应的位置处形成的通孔，并且例如红色、绿色、蓝色的有机材料可以通过通孔沉积在基板上。因此，可以在基板上形成像素图案。
[0004]当形成像素图案的沉积掩模的通孔的尺寸不均匀时，在待沉积的目标基板上形成的有机材料的均匀性可能会一起降低，因此，待沉积的目标基板的像素图案也可能不均匀地形成。
[0005]申请号为2019800698226名为合金板和包括合金板的沉积掩模的专利技术专利公开了：[等式1]A＝I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}；I(220)的衍射强度比由下面的等式2定义，[等式2]B＝I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}，其中A的值为0.5至0.6，B的值为0.3至0.5，并且A可以大于B，以减小金属板的表面凹坑并且通过控制表面凹坑的深度来提高通过金属板制造的沉积掩模的效率。
[0006]但是其晶面（200）与晶面（220）衍射峰晶面强度百分比差值大，晶粒取向各向异性强，蚀刻均匀性恶化，其中，蚀刻均匀性恶化在FMM外观表现为大开口岛状大小不一。
[0007]申请号2021115801233名为用于OLED像素沉积的沉积掩模的专利技术专利公开了晶面（200）衍射峰晶面强度百分比大，容易使蚀刻表面形成沟壑，导致表面光泽度下降，引起FMM产品CD开口尺寸的均匀性变差。

技术实现思路

[0008]为解决以上技术问题，本专利技术提供了一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法，减小晶面（200）与晶面（220）的强度百分比差值，晶粒取向各向异性减小，以提高其蚀刻均匀性及光泽度。
[0009]本专利技术采用以下技术方案：一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版，晶面（111）、晶面（200）、晶面（220）和晶面（311）的衍射峰强度分别定义为I（111）、I（200）、I（220）和I（311）；A=Ｉ(200)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；
B=Ｉ(220)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；C=Ｉ(311)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；D=Ｉ(111)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；其中，A>40%，0%<B－A<5%，C<15%，D<5%，80%≤A+B≤90%，减小晶面（200）与晶面（220）的强度百分比差值，晶粒取向各向异性减小，以提高其蚀刻均匀性及光泽度。
[0010]作为优选，0%<B－A<3%，进一步缩小了晶面（200）与晶面（220）的强度百分比差值，以提高其蚀刻均匀性及光泽度。
[0011]作为优选，所述金属掩膜版Invar合金制成。
[0012]作为优选，所述Invar合金的再结晶组织晶粒度>9级。
[0013]作为优选，所述Invar合金终轧晶粒组织纵横比>5。
[0014]一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版的加工方法，包括若干次轧制过程，终轧前一个轧程变形量≥75%，终轧轧程变形量≥70%，得到的金属掩膜版中，A>40%，0%<B－A<5%，C<15%，D<5%，80%≤A+B≤90%；其中，晶面（111）、晶面（200）、晶面（220）和晶面（311）的衍射峰强度分别定义为I（111）、I（200）、I（220）和I（311）；A=Ｉ(200)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；B=Ｉ(220)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；C=Ｉ(311)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；D=Ｉ(111)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝，通过对最后两次轧制的轧程变形量进行控制，以减小晶面（200）与晶面（220）的强度百分比差值，晶粒取向各向异性减小，以提高其蚀刻均匀性及光泽度。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：由于晶面（220）衍射峰晶面强度百分比的增加，Invar蚀刻速率减少小，容易引起FMM产品大开口蒸镀角增大，当蒸镀角越大，Shadow越大；晶面（200）衍射峰晶面强度百分比的增加，容易使蚀刻表面形成沟壑，导致表面光泽度下降，引起FMM产品CD开口尺寸的均匀性变差；故本专利技术提供了一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版及加工方法，减小晶面（200）与晶面（220）的强度百分比差值，晶粒取向各向异性减小，以提高其蚀刻均匀性及光泽度。
附图说明
[0016]图1为大开口异常区岛状SEM图。
[0017]图2为大开口正常区岛状SEM图。
[0018]图3为蒸镀角结构示意图。
[0019]图4为实施例１蚀刻后表面光学显微镜拍摄图。
[0020]图5为比较例３蚀刻后表面光学显微镜拍摄图。
[0021]图6为各个晶面的示意图。
具体实施方式
[0022]为了便于理解本专利技术技术方案，以下结合附图与具体实施例进行详细说明。
[0023]实施例1如图1
‑
图5所示，一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版，该金属掩膜版为Invar合
金，具体的，为一种包含铁和镍的合金，金属掩膜版为面心立方(FCC)结构的晶体结构形成。
[0024]在FCC结构的情况下，每个表面可以具有不同的原子密度。即，金属掩膜版对于每个晶面可以具有不同的原子密度。具体地，任何一个晶面的原子密度可以大于或小于另一晶面的原子密度。
[0025]因此，当蚀刻金属掩膜版时，根据每个晶面的方向而蚀刻速率可以不同。由于蚀刻速率根据晶面方向的差异，当对金属掩膜版进行表面处理时，金属掩膜版的表面可能被不均匀地蚀刻。
[0026]因此，在金属掩膜版的表面处理之后，可能在金属掩膜版的表面上产生多个凹槽，该凹槽为大开口岛状结构。
[0027]为了解决上述问题，根据实施例的金属掩膜版可以通过控制金属掩膜版的多个晶面的比率来减少由于不均匀蚀刻导致的凹坑等。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版，其特征在于，晶面（111）、晶面（200）、晶面（220）和晶面（311）的衍射峰强度分别定义为I（111）、I（200）、I（220）和I（311）；A=Ｉ(200)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；B=Ｉ(220)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；C=Ｉ(311)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；D=Ｉ(111)／｛Ｉ(111)+Ｉ(200)+Ｉ(220)+Ｉ(311)｝；其中，A>40%，0%<B－A<5%，C<15%，D<5%，80%≤A+B≤90%。2.根据权利要求1所述的一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版，其特征在于，0%<B－A<3%。3.根据权利要求1所述的一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版，其特征在于，所述金属掩膜版Invar合金制成。4.根据权利要求3所述的一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾羽，闫西安，徐华伟，沈洵，夏金晓，
申请(专利权)人：浙江众凌科技有限公司，
类型：发明
国别省市：