烟台一诺电子材料有限公司专利技术

烟台一诺电子材料有限公司共有57项专利

  • 一种铜钯合金复合键合材料,以重量计,包括以下原料:钯10~20份、铜10~30份、硅粉11~15份、碳纤维增强体11~15份、钛7~10份、铝7~10份、钢纤维10~20份、钴1~4份、银1~4份、混合型稀土2~6份;本发明的有益效果是...
  • 本发明公开了一种键合丝熔断电流检测装置,包括L形底座、固定板和活动板,底座的竖面上设有两个水平的导柱,导柱穿过活动板,活动板与底座竖面通过限位弹簧连接,固定板和活动板的顶面均两组耳板,每组耳板均与楔形压刀的尾部轴连接,压刀楔面和顶面由压...
  • 本发明公开了一种稀土铜合金键合丝,以铜作为基底材料,添加有以下成分:51‑1000ppm的稀土元素和1‑800ppm的Pd,所述稀土元素为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、Ho、Y中的一种或多种的组合。与镀钯防...
  • 本发明公开了一种绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝,包括键合丝基体和无机非晶镀层,无机非晶镀层由以下重量百分比的组分构成:SiO
  • 一种铜银合金键合丝及其制备方法
    本发明是一种铜银合金键合丝,作为主合金的银含量0.1~5wt%,作为微量合金的稀土元素含量≤15ppm,余量为作为基底材料的铜。键合丝基底材料为高纯铜,强度高,导电、导热性能好;合金主成分为银,硬度低,抗氧化性好,降低了铜丝的氧化速率;...
  • 本实用新型是一种键合丝覆膜及固化专用装置,包括循环槽以及安装于循环槽之内用于装盛液体绝缘覆膜材料的水平浸渍镀膜槽,循环槽的上边沿低于水平浸渍镀膜槽的上边沿;还包括位于水平浸渍镀膜槽上方的循环滴液装置,循环槽通过循环泵和循环管与所述循环滴...
  • 本实用新型提供了一种基于片状石墨电极的加热装置,主要包括电源正极(6)、电源负极(7)、石墨螺杆(2)、石墨螺母(3)、石墨连接杆(4)以及具有沟槽和孔的石墨电极片(1)。石墨电极片(1)有两片,平行放置于被加热体的两侧,分别通过石墨螺...
  • 本实用新型是一种拉丝模具清洗支架,它包括模具放置台,上端固定于模具放置台底侧的支架和下端固定于模具放置台一侧的手柄;模具放置台具有模具容置孔。对模具实施清洗时,将待清洗模具放置在支架上,避免了手与水直接接触,从而避免了手对纯水和模具的污染。
  • 本实用新型提供了一种可定位双主动轮牵引装置,主要包括电机(1)、联轴器(2)和齿轮箱(3),还包括牵引轮组一(4)和牵引轮组二(5)。牵引轮组一(4)由上轮一、下轮一和调节装置一组成,牵引轮组二(5)由上轮二、下轮二和调节装置二组成。由...
  • 本实用新型公布了一种集成电路封装用网状铝带(1),用于将芯片(2)与框架(3)进行键合封装。所述集成电路封装用网状铝带(1)的宽度为0.5mm-10mm,厚度为0.01mm-1mm,所述集成电路封装用网状铝带(1)具有网孔,网孔为均匀分...
  • 本实用新型是一种循环水箱,在总箱体内设有位于总箱体回水端的回水箱和位于总箱体出水端的出水箱,回水箱中安装有回水管,出水箱中安装有出水管;还包括设置在回水箱和出水箱之间的沉淀箱;所述沉淀箱的进水端高于它的出水端。沉淀水箱带有自沉淀功能,循...
  • 本实用新型是一种深孔抛光装置,它包括抛光杆,抛光杆的一端开设有狭缝或者两端分别开设有狭缝;深孔抛光装置还包括砂纸,砂纸的背面复合有一层双面胶层;所述复合有双面胶层的砂纸一端位于所述狭缝中,复合有双面胶层的砂纸在抛光杆上缠绕并依靠双面胶层...
  • 本实用新型是一种键合丝放线装置,包括底座,下端固定于底座上的放线轴以及连接于放线轴上的放线夹具,放线夹具的连接环上的连接孔通过定位顶丝套在放线轴上;放线夹具上设置有纵向轨道和安装在纵向轨道上的横向滑块夹具本体上安装有移动顶丝,移动顶丝的...
  • 本实用新型是一种带惰性气体搅拌功能的石墨坩埚,包括石墨坩埚的本体及开设在本体上并作为熔炼容器的熔炼内筒,在所述本体上分别开设有六条通道;其中第一通道的外端为惰性气体接入端,其它通道的外端分别安装有石墨塞;第一通道内端与第二通道内端相通,...
  • 本发明涉及一种银合金丝及其制备方法,由以下组分制备而成:Au0.5-10%、Pt0-1%、Pd1-6%、Rh0-1%、Cu0-1%、Ln0-500ppm、Ce0-200ppm、Al0-0.5%、Ti0.7-3%、Si0-0.2%、Zn0...
  • 本发明是一种柔性键合铜丝及其制备方法,由以下组分组成:Ce0.001%-0.005%,Pd 0.003%-0.005%,Pt 0.005%-0.009%,余量为Cu。通过采取多元掺杂合金,加入其他成分,降低铜的硬度,特别是成球硬度,减少...
  • 本发明是一种键合银丝及其制备方法,由以下组分组成:Cu 0.30%-0.80%,Ce 0.20%-0.50%,Pd 0.05%-0.09%,余量为Ag。本发明在高纯银材料的基础上,采取多元掺杂合金,加入其他成分,减少金属化合物的形成,同...