一种超细线距电子封装用稀土铜合金键合丝及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种稀土铜合金键合丝，以铜作为基底材料，添加有以下成分：51‑1000ppm的稀土元素和1‑800ppm的Pd，所述稀土元素为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、Ho、Y中的一种或多种的组合。与镀钯防氧化相比，本发明专利技术稀土铜合金键合丝在使用过程中烧球更均匀，不会因内外层金属间结晶温度不同导致歪球现象，且硬度低，降低了键合过程中对芯片的损伤，使用性能更稳定，适用范围更广泛；本发明专利技术稀土铜合金键合丝强度高，能够很好地适应窄间距、低长弧、耐高温和超细高强的键合趋势要求。

【技术实现步骤摘要】
一种超细线距电子封装用稀土铜合金键合丝及其制备方法
本专利技术涉及集成电路微电子封装，尤其涉及一种超细线距电子封装用稀土铜合金键合丝及其制备方法。
技术介绍
随着国内集成电路的不断发展，各种先进封装技术也在不断发展来满足其工艺和材料的要求，键合丝作为封装技术的四大主要材料之一，也在不断发展来适用封装向多引线化、高集成度和小型化的发展要求。键合铜丝与传统键合金丝相比，具有不可比拟的成本优势，而且具有优良的高导电导热率和机械性能。在封装电路中，键合引线充当着芯片与引线框架的连接作用，键合引线的电阻在封装设计时也是需重要考虑的一个方面。电阻率与熔断电流一般成反比关系，键合纯铜丝的常温电阻率(1.8μΩ/cm)比金丝(2.3μΩ/cm)的要小，当键合丝的电阻率小一些，即熔断电流大一点，产生的压降也要小一些，在承受相同电流时，截面积小，这样在微细间距封装中就可以采用更细的焊线，或者可以把芯片的键合区面积设计得更小，这样就可以增大芯片表面的有源区的有效面积，从而提高了功率器件的电流容量和性能，且铜钱的抗拉强度和延伸率也可做到比金丝高，故键合铜丝可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀土铜合金键合丝，以铜作为基底材料，其特征在于，还添加有以下成分：51-1000ppm的稀土元素和1-800ppm的Pd。/n

【技术特征摘要】
1.一种稀土铜合金键合丝，以铜作为基底材料，其特征在于，还添加有以下成分：51-1000ppm的稀土元素和1-800ppm的Pd。


2.根据权利要求1所述的稀土铜合金键合丝，其特征在于，所述稀土元素为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、Ho、Y中的一种或多种的组合。


3.一种如权利要求1或2所述的稀土铜合金键合丝的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)合金：选择99.999％以上的高纯铜原料，与稀土元素混合，经过预合金和母合金，制备合金锭；
2)拉铸：将步骤1)所得合金锭经过真空连续拉铸工艺，拉铸成合金棒；

【专利技术属性】
技术研发人员：韩连恒，王岩，刘炳磊，林良，曲少娜，
申请(专利权)人：烟台一诺电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37