【技术实现步骤摘要】
一种绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝及其制备方法
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝及其制备方法。
技术介绍
随着电子信息技术的飞速发展，电子产品正向小型化、便携化、多功能化的方向进化。电子封装材料和技术使电子器件最终成为有功能的产品。现已研发出多种新型封装材料、技术和工艺。电子封装正在与电子设计和制造一起，共同推动着信息化社会的发展。键合丝是半导体分立器件和集成电路封装业四大必需基础材料(芯片、框架、键合丝、封料)之一，作为芯片与框架之间内引线，实现稳定、可靠的电连接，广泛应用于半导体分立器件(晶体管、二极管、三极管、发光二极管LED等)和集成电路的封装，作为半导体封装的关键材料之一，它的功能是实现半导体芯片与引脚的电连接，起着芯片与外界的电流导入和导出的作用。目前，键合丝类型主要有金、银、铜、铝丝及金银合金、银铜合金丝等，其中使用量的80％以上为贵金属丝材。键合丝总的发展趋势是微量元素复合化、成分合金化、线径细小化和低成本化，通过优化的合金化元素组成提高键合丝强度，使线径更加...
【技术保护点】
1.一种绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝，包括键合丝基体和无机非晶镀层，其特征在于，所述无机非晶镀层由以下重量百分比的组分构成：SiO
【技术特征摘要】
1.一种绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝，包括键合丝基体和无机非晶镀层，其特征在于，所述无机非晶镀层由以下重量百分比的组分构成：SiO240％-60％、Al2O315％-30％、B2O10％-25％和Li2O0.1％-5％。
2.根据权利要求1所述的绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝，其特征在于，所述键合丝直径为10-100μm，所述无机非晶镀层厚度为0.01-0.2μm。
3.根据权利要求1所述的绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝，其特征在于，所述键合丝基体为金基键合丝、银基键合丝、铜基键合丝或铝基键合丝中的一种。
4.根据权利要求3所述的绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝，其特征在于，所述金基键合丝中金的含量为20％-100％，银基键合丝中银的含量为60％-100％，所述铜基键合丝中铜的含量为60％-100％。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的绝缘抗腐蚀无机非晶镀层键合丝的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)熔铸：将金、银、铜或铝...
【专利技术属性】
技术研发人员：林良，刘炳磊，韩连恒，颜廷来，刘华章，刘运平，
申请(专利权)人：烟台一诺电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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