【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种银合金丝并涉及其制备方法。
技术介绍
键合丝(Bonding Wires)是半导体封装的关键材料之一,作为芯片与外部电路的主要连接材料,起着芯片与外部电路之间的电流传导作用。现有的键合丝主要有键合金丝、键合铜丝、键合银丝等。键合金丝的耐腐蚀性、传导性高,被广泛用于微电子行业的中高档产品。但是金丝造价昂贵,为降低封装成本,相继推出了各种金丝的替代品。其中键合铜丝已经较为成熟,并且开始应用,但由于其易氧化和硬度较大等问题,只能应用于一些低端产品。银丝虽然弥补了键合铜丝的易氧化特性,但由于银离子易发生迁移,银丝也未能大规模的应用。·我公司曾申请过的专利号为200910017009. 2的专利所公开的一种键合银丝较好地克服了银离子迁移的问题,但使用过程中发现,其还存在易被硫化腐蚀的问题,硫化生成的硫化银是半导体,会导致键合银丝的电阻增加,影响其性能。常规的提高银的抗腐蚀能力的方法主要有两类表面处理法和合金化法,表面处理是指在银表面镀上一层稳定的金属保护膜或在银表面生成致密氧化膜以及阴极钝化等,但这些方法对如此细微的键合丝不适用或很难做到,而且表面处理生成的膜较薄,一旦划伤,露出的银仍会硫化。要彻底阻止银键合丝硫化,需采取合金方式。而对于合金,国内外普遍认为,除了与其他贵金属合金外,没有好的方法可以完全防止硫化物的生成,且至少要求Pd为40%,Au为70%,Pt为60%,而由于键合丝还有焊接等其他方面的要求,所以国外曾经采用的是Ag为30%、Au为70%的金银合金键合丝,但成本降低有限,基本没有推广应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是 ...
【技术保护点】
一种银合金丝,其特征在于,由以下组分制备而成:Au?0.5?10%、Pt?0?1%、Pd?1?6%、Rh?0?1%、Cu?0?1%、Ln?0?500?ppm、Ce?0?200?ppm、Al?0?0.5%、Ti?0.7?3%、Si?0?0.2%、Zn?0?0.3%、Sn?0?1%、Be?0?10?ppm,余量为Ag。
【技术特征摘要】
1.一种银合金丝,其特征在于,由以下组分制备而成Au 0.5-10%、Pt 0-1%、Pd 1-6%、Rh 0-1%、Cu 0-1%、Ln 0-500 ppm、Ce 0-200 ppm、Al 0-0. 5%、Ti 0. 7-3%, Si 0-0. 2%、Zn0-0.3%、Sn 0-1%、Be 0-10 ppm,余量为 Ag。2.如权利要求I所述的银合金丝,其特征在于,由以下组分制备而成Au10%、Pd 6%、Rh 1%、Ln 500 ppm、Ti 3%、Sn 1%、Be 5ppm,余量为 Ag。3.如权利要求I所述的银合金丝,其特征在于,由以下组分制备而成Au7%、Pt l%、Pdl%、Cu l%、Ln 100 ppm、Ce 200 ppm、Al 0. 5%、Ti 1%...
【专利技术属性】
技术研发人员:林良,
申请(专利权)人:烟台一诺电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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