信越化学工业株式会社专利技术

信越化学工业株式会社共有3967项专利

  • 粉末堆积体的制造装置及制造方法
    本发明是制造粉末堆积体的制造装置和方法,该装置包括:主喷灯,一边沿着靶棒的长度方向平行移动,一边在靶棒上堆积玻璃微粒子;及侧部喷灯,在主喷灯的移动方向上,位于主喷灯的移动范围的外侧,对靶棒上堆积的粉末堆积体的端部进行烧制;且侧部喷灯具有...
  • 提供了低取代羟丙基纤维素,可以通过湿式造粒法从该低取代羟丙基纤维素得到具有足够粒径的造粒产物,并且可以得到具有优异的成形性和崩解性的片剂。更具体地说,提供了羟丙氧基含量为5至16重量%且水溶物含量小于2重量%的低取代羟丙基纤维素,其中在...
  • 用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备
    本发明涉及用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备。通过以下步骤制备包含透明衬底和在透明衬底上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯:通过使用含有稀有气体和氮气的溅射气体和包括至少两个硅靶的多个靶在衬底上...
  • 研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法
    本发明是一种研磨组合物,其包含二氧化锆作为磨粒,所述研磨组合物的特征在于,pH值是11.0以上且未满12.5;前述二氧化锆中所包含的钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、锰、镍、铜、锌、铅及钴的元素浓度各自未满1ppm。由此,提供一种研磨组合...
  • 非水电解质二次电池用负极活性物质及非水电解质二次电池、以及非水电解质二次电池用负极材料的制造方法
    本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其具有负极活性物质颗粒,所述负极活性物质颗粒含有硅化合物SiOx,其中,0.5≤x≤1.6,并且,所述硅化合物包含锂化合物,所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于,硅化合物的表面的至...
  • 非水电解质二次电池用负极活性物质、非水电解质二次电池用负极及非水电解质二次电池、以及非水电解质二次电池用负极材料的制造方法
    本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其具有负极活性物质颗粒,所述负极活性物质颗粒含有在表面具有碳被膜的硅化合物SiOx,其中,0.5≤x≤1.6,所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于,碳被膜在利用拉曼光谱分析所获得的...
  • 积层复合体、半导体元件承载基板、半导体元件形成晶片、半导体装置及其制造方法
    本发明是一种密封材料积层复合体,其用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面,其特征在于,由支持晶片及未固化树脂层构成;该支持晶片由硅构成,该未固化树脂层由被形成于该支持晶片的一面上...
  • 本发明涉及抗蚀剂材料和图案形成方法。本发明提供在正型抗蚀剂材料和负型抗蚀剂材料中都为高灵敏度且LWR、CDU小的抗蚀剂材料以及使用其的图案形成方法。抗蚀剂材料,其包含基础聚合物和产酸剂,该产酸剂包含由下述式(1‑1)表示的锍盐或者由下述...
  • 光纤母材的制造方法及制造装置
    本发明涉及光纤母材的制造方法及制造装置。提供通过燃烧器火焰的稳定化而使得能以低燃烧器负荷制造优质的大型母材的光纤母材的制造方法。使用多喷嘴燃烧器来实施光纤母材的制造时,当将原料气体喷出口的气体流速设为V1、将密封气体喷出口的气体流速设为...
  • 用于光学装置封装体的窗构件,光学装置封装体,制造方法和光学装置可安装封装体
    一种光学装置封装体,其包括容纳座,容纳在其中的光学装置和在该光学装置的发光方向上被设置于该容纳座之前的窗构件。该窗构件是具有其中至少一个是粗糙表面的前表面和后表面的合成石英玻璃构件。
  • 合成石英玻璃盖和光学器件封装体
    本发明为合成石英玻璃盖和光学器件封装体。提供合成石英玻璃盖,其包括合成石英玻璃与在窗构件的主表面的周围形成的粘结剂。此外,提供光学器件封装体,其包括具有开放上端的盒状容纳座,容纳在容纳座中的光学器件,用粘结剂结合至该容纳座上端的合成石英...
  • 正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯
    本发明为正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯。包括适于在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物和特定结构的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。当通过光刻法加工抗蚀剂组合物时,可以形成具有最小LER的图案。
  • 负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
    本发明涉及负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法。本发明提供了一种包含(A)甜菜碱型的锍化合物和(B)聚合物的负型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物对于在曝光步骤期间控制酸扩散是有效的,且在图案形成期间呈现出非常高的分辨率,并形成具有最小LER的...
  • 本发明涉及有机硅化合物及其制造方法以及固化性组合物,即提供作为高频基板材料的树脂改性剂等有效的有机硅化合物及其制造方法以及包含该有机硅化合物的固化性组合物。有机硅化合物,其特征在于,由平均结构式(i)表示(式中,X表示包含聚苯醚结构的n...
  • 提供了用于生产例如是康氏粉蚧的性信息素成分的2,6‑二甲基‑1,5‑庚二烯‑3‑基乙酸酯(3)和作为所述乙酸酯(3)的中间体的2,6‑二甲基‑1,5‑庚二烯‑3‑醇(2)的工业和经济的方法。更具体地,提供了包括如下步骤的用于生产2,6‑...
  • 光纤用玻璃母材的制造方法
    本发明提供光纤用玻璃母材的制造方法,所述制造方法能够抑制将玻璃微粒沉积体烧结时的表层中裂纹的产生、着色·起泡的发生,从而能够提高制造成品率。在将玻璃微粒沉积体于烧结装置内在使加热源与玻璃微粒沉积体的位置关系相对地变化的同时进行烧结、从而...
  • 热压接用导热性复合片材及其制造方法
    本发明提供热压接用导热性复合片材及其制造方法,该热压接用导热性硅橡胶复合片材即使只在耐热性树脂膜的单面层叠硅橡胶组合物,也将卷曲抑制得非常小,处理性优异,并且即使在同一部位反复进行压接,也非常难以破损,兼具耐久性。热压接用导热性复合片材...
  • 本发明涉及硅酮薄雾抑制剂。本发明的目的在于提供:可以提供硅酮薄雾抑制效果优异、且保存稳定性优异的组合物和固化物的硅酮薄雾抑制剂。本发明提供具有处于100~4000nm范围的体积平均粒径、由选自有机粉末、无机粉末、以及有机·无机复合体粉末...
  • 非水电解质二次电池及其负极及其负极活性物质、及负极活性物质颗粒的制造方法
    本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其具有负极活性物质颗粒,且所述负极活性物质颗粒具有包含锂化合物的硅化合物SiOx,其中,0.5≤x≤1.6,所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于,在硅化合物的至少一部分上形成有碳被...
  • 具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法
    本发明提供一种复合晶片,其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落,且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说是一种复合晶片的制造方法,其至少包括:在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序...