The invention relates to an anticorrosive material and a pattern forming method. The invention provides a high sensitivity and LWR and CDU resist material in positive resist material and negative resist material, and a pattern forming method using it. Resist material, comprising a base polymer and acid producing agent, the acid producing agent contains the following formula (1 1) sulfonium salt or said by the following formula (1 2) said the iodonium salt.
【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂材料和图案形成方法
本专利技术涉及抗蚀剂材料和使用其的图案形成方法，该抗蚀剂材料包含产酸剂，该产酸剂包含含有碘代苯氧基或碘代苯基烷氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐。
技术介绍
随着LSI的高集成化和高速度化，图案尺寸的微细化在急速地发展。特别地，闪存市场的扩大和存储容量的增大化推动着微细化。作为最先进的微细化技术，已进行采用ArF光刻的65nm节点的器件的批量生产，采用下一代的ArF浸液光刻的45nm节点的批量生产准备在进行中。作为下一代的32nm节点，将与水相比折射率高的液体与高折射率透镜、高折射率抗蚀剂材料组合的采用超高NA透镜的浸液光刻、波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻、ArF光刻的双重曝光(双重图案化光刻)等是候补，进行了研究。随着微细化发展而接近光的衍射极限，光的对比度降低。由于光的对比度的降低，在正型抗蚀剂膜中，产生孔图案、沟槽图案的分辨率、焦点裕度的降低。随着图案的微细化，线图案的边缘粗糙度(LWR)和孔图案的尺寸均一性(CDU)被视为问题。指出了基础聚合物、产酸剂的不均匀、凝聚的影响、酸扩散的影响。进而，存在随着抗蚀剂膜的薄膜化而LWR变...
【技术保护点】
抗蚀剂材料，其包含基础聚合物和产酸剂，该产酸剂包含由下述式(1‑1)表示的锍盐或由下述式(1‑2)表示的碘鎓盐，
【技术特征摘要】
2016.08.08 JP 2016-1555161.抗蚀剂材料，其包含基础聚合物和产酸剂，该产酸剂包含由下述式(1-1)表示的锍盐或由下述式(1-2)表示的碘鎓盐，式中，R1各自独立地为羟基、直链状、分支状或环状的碳数1～20的烷基或烷氧基、直链状、分支状或环状的碳数2～20的酰基或酰氧基、氟原子、氯原子、溴原子、氨基、或者烷氧基羰基取代的氨基；R2各自独立地为单键、或者碳数1～4的亚烷基；R3在p为1时为单键或碳数1～20的2价的连接基，在p为2或3时为碳数1～20的3价或4价的连接基，该连接基可含有氧原子、硫原子或氮原子；Rf1～Rf4各自独立地为氢原子、氟原子或三氟甲基，但至少1个为氟原子或三氟甲基；另外，Rf1与Rf2可结合而形成羰基；R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为直链状、分支状或环状的碳数1～12的烷基、直链状、分支状或环状的碳数2～12的烯基、碳数6～20的芳基、或者碳数7～12的芳烷基或芳氧基烷基，这些基团的氢原子的一部分或全部可被羟基、羧基、卤素原子、氰基、氧代基、酰胺基、硝基、磺内酯基、砜基或含有锍盐的基团取代，在这些基团的碳-碳键间可介有醚基、酯基、羰基、碳酸酯基或磺酸酯基；另外，R4与R5可相互结合而与它们结合的硫原子一起形成环；m为1～5的整数，n为0～3的整数，p为1～3的整数。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，其中，还包含有机溶剂。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂材料，其中，上述基础聚合物含有由下述式(a1)表示的重复单元或由下述式(a2)表示的重复单元，式中，RA各自独立地为氢原子或者甲基；X1为单键、亚苯基或亚萘基、或者含有酯基或内酯环的碳数1～12的连接基；X2为单键或者酯基；R11和R12为酸不稳定基团；R13为氟原子、三氟甲基、氰基、直链状、分支状或环状的、碳数1～6的烷基或烷氧基、或者直链状、分支状或环状的、碳数2～7的酰基、酰氧基或烷氧基羰基；R14为单键、或者直链状或分支状的碳数1～6的亚烷基，其碳原子的一部分可被醚基或者酯基替换；r为1或者2；q为0～4的整数。4.根据权利要求3所述的抗蚀剂材料，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：畠山润，大桥正树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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