研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法技术
Grinding compositions and their manufacturing methods and grinding methods
The invention relates to a polishing composition comprising two zirconia as abrasive particles, wherein the abrasive composition, pH value is more than 11 and less than 12.5; the two contains zirconium sodium, potassium, calcium, magnesium, aluminum, titanium, chromium, iron, manganese, nickel and copper and zinc, lead and cobalt elements concentrations under 1ppm. Thereby, a grinding composition is provided, which can obtain a semiconductor substrate with good productivity. The semiconductor substrate has high flatness inside the periphery and high evenness in the periphery, and less pollution caused by metal impurities.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨组合物及其制造方法、以及研磨方法
本专利技术涉及一种研磨组合物及研磨组合物的制造方法。又，本专利技术还涉及一种使用研磨组合物来实行的研磨方法。
技术介绍
伴随半导体集成电路的制造技术的提高，要求半导体元件的高集成化以及高速运作，半导体元件中的微细电路的制造步骤中所要求的半导体基板表面的平坦性变得更为严格。因此，化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)成为了半导体元件的制造步骤中不可或缺的技术。作为CMP的原理，例如，在保持单晶硅基板等半导体基板的状态下，一边将其按压至已贴合在平台(surfaceplate)上的研磨垫上，一边将包含磨粒和试剂等的研磨组合物供给至研磨垫上，且使半导体基板与研磨垫作相对运动。像这样来实行，则利用由试剂所促进的化学反应、与由磨粒所促进的机械研磨效果，能够切削基板表面的凹凸，而将表面平坦化。又，为了降低成本，要求提升半导体元件的生产性，而变得重视基板端面附近的平坦性，使得能够在半导体基板的尽可能大的区域内制作元件，于是在半导体基板的广大区域中实现高平坦性成为了要解决的问题。现有技术文献专利文献专利文...
【技术保护点】
一种研磨组合物，其包含二氧化锆作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，pH值是11.0以上且未满12.5；所述二氧化锆中所包含的钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、锰、镍、铜、锌、铅及钴的元素浓度各自未满1ppm。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.08 JP 2015-1157391.一种研磨组合物，其包含二氧化锆作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，pH值是11.0以上且未满12.5；所述二氧化锆中所包含的钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、锰、镍、铜、锌、铅及钴的元素浓度各自未满1ppm。2.如权利要求1所述的研磨组合物，其中，所述二氧化锆的含量是所述研磨组合物整体的0.1～10质量％。3.如权利要求1或2所述的研磨组合物，其中，进一步包含非离子型表面活性剂、或阴离子型表面活性剂、或是这二种表面活性剂来作为水溶性高分子。4.如权利要求3所述的研磨组合物，其中，作为所述非离子型表面活性剂，含有聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚乙二醇、聚氧乙烯烷基醚、以及聚醚中的一种以上。5.如权利要求3所述的研磨组合物，其中，作为所述阴离子型表面活性剂，含有聚丙烯酸或其盐、聚磺酸或其盐、以及聚羧酸或其盐中的一种以上。6.如权利要求3至5中任一项所述的研磨组合物，其中，所述水溶性...
【专利技术属性】
技术研发人员：野岛义弘，高桥光人，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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