公开了一种半导体器件，包括：具有第一掺杂类型的SOI衬底；位于所述SOI衬底第一区域中的第一二极管；其中，所述第一二极管由所述SOI衬底的第一区域，位于所述SOI衬底的第一区域中的第一本征多晶半导体区和位于所述第一本征多晶半导体区中具有...

本申请公开了一种静电保护器件及其制造方法，该静电保护器件包括：第一掺杂类型的衬底；位于衬底上方的具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的外延层；位于衬底上的第一区域中的且具有第二掺杂类型的第一埋层；位于第一埋层上方的且具有第一掺杂类型的第...

本发明提供的半导体器件在第一状态期间，第三半导体层未被穿通，且第三半导体层的掺杂浓度较低，使得半导体器件具有较低的寄生电容，而在第二状态下，第三半导体层被穿通，使得所述半导体器件为一个三极管，可以作为单片集成的双向瞬态电压抑制器，以泄放...

公开了一种静电保护电路，包括：泄放单元，与信号端相连，泄放单元根据触发信号对信号端进行能量泄放；触发单元，用于提供所述触发信号；其中，所述触发单元包括第一晶体管，所述第一晶体管在其第一端和控制端之间的寄生电容耦合作用下导通以提供启动电流...

本发明提供了一种光学感测系统和电子显示系统，在所述光学感测系统和电子显示系统中，由第一出光面发出的光并未直接穿过光可穿透式显示屏，而是先被传输至光传导装置中，由经光传导装置上的第二出光面发出后再穿过光可穿透式显示屏，那么即便是为了将封装...

本发明公开了一种具有可控硅调光器的LED驱动电路、电路模块及控制方法，通过在可控硅调光器导通后控制LED负载的驱动电流增大，并控制泄放电路的泄放电流对应减小，降低了在可控硅调光器在开启时电流引起的损耗，从而增大了LED驱动电路的效率。

公开了一种用于电源电路的封装结构以及LED照明模组，包括：第一封装体，用以封装功率器件，控制芯片和无源元件；电感元件；连接体，用以将所述电感元件的电极相应的连接至相应的所述功率器件的电极；封装料，用于包封所述第一封装体、所述电感元件和所...

公开了一种具有可控硅调光器的LED驱动电路及其控制方法，通过在LED负载的电流通路上设置补充电流生成电路使得所述LED驱动电路在可控硅调光器的调光角度较小时保证了输入电流满足所述可控硅调光器的导通需求，并降低了LED驱动电路的损耗，提高...

公开了一种状态控制方法、轮胎压力监测装置和系统，本发明实施例的技术方案通过两轴磁传感器在两个测量轴方向上检测的磁场强度的变化量来作为磁场强度变化的判断依据，从而可以不受安装角度的限制，较为精确地获取轮胎的转动状态，并基于此精确的控制轮胎...

公开了一种场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；阱区；体接触区、源区和漏区，位于阱区内，源区位于体接触区与漏区之间，源区与漏区之间形成沟道；栅极导体，位于源区与漏区之间的沟道上；衬底、阱区和体接触区为第一掺杂类型，源区和漏区为第二掺杂类...

本发明提供了一种控制电路、控制方法、选择电路及电源管理集成电路，所述的控制电路在控制选择电路时，通过加速响应电路在需要断开的输入电路还来不及断开时，加速比较信号的翻转速度，以使得两个输入电路快速的进入所需的状态，有效地减小了两个输入端的...

本发明公开了一种泄放电路及LED驱动电路，通过控制泄放电流在可控硅调光器开启时跟随母线电压的振荡波形变化，使得母线电压振荡的衰减速度加快，从而在提供了可控硅调光器开启瞬间的开启电流的同时，减小了可控硅调光器开启时的损耗，提高了LED驱动...

本申请公开了一种光学检测组件。该光学检测组件包括：基板；设置在基板上的发光器件和光电感应器件，发光器件产生的光照射在物体上，光电感应器件将物体的反射光转换成电信号；以及设置在基板上的壳体，壳体由遮光材料组成，包括容纳发光器件的第一腔室，...

本发明提供了一种芯片封装组件及其制造方法，通过在位于芯片承载盘周围的引脚上安装芯片，以使诸如二极管这样的器件在封装组件的内部与其它芯片电连接，提高的芯片的集成度，减小了外围电路的体积。

本发明公开了一种限流电路，应用于包含功率晶体管的功率电路，所述限流电路根据所述功率电路的输出电压，输入电压和n个不同的参考电压产生包含m个区间的基准电压信号，进而产生包含m个区间的限制电流，其中n为大于等于1的正整数，所述n个不同的参考...

本实用新型提供了一种距离感测器、3D感测系统及以及电子设备，所述距离感测器将在测量环境光中的红外光时所产生的第一感测信号除了用于背景计算以产生距离感测信号外，还将表征环境中红外光成分的第一感测信号存储并输出给3D感测系统使用，使得所述3...

公开了一种光学结构，包括：导光板，导光板包括第一端面、反射面、第二端面以及扩散层，使得经由第一端面入射的光在经过反射面反射后从第二端面输出，扩散层用于使导光板内传输的光发生散射；以及传感器，位于导光板的第二端面处，用于接收光。导光板的扩...

本申请公开了一种齐纳二极管及其制造方法，包括：半导体衬底；第一外延层，位于半导体衬底上；阱区，位于第一外延层中；第二外延层，位于阱区上；掺杂区，位于第二外延层中，其中，半导体衬底、第一外延层、阱区分别为第一掺杂类型，掺杂区为第二掺杂类型...

本发明公开了一种电机驱动装置和电机。所述电机驱动装置用于驱动电机启动并运行。本发明根据时序控制信号生成脉宽调制信号以调节三相逆变器的相电流，使得三相逆变器的相电流跟随脉宽调制信号变化，并通过检测不同电压矢量区间内三相逆变器的相电流的由零...

公开了一种LDMOS晶体管及其制造方法，包括：在第一掺杂类型的衬底上形成第一掺杂类型的外延层；在外延层的上表面形成栅极结构；在外延层内形成第一掺杂类型的体区以及第二掺杂类型的漂移区，在体区内形成第二掺杂类型源区；在外延层上表面以及栅极结...