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矽力杰半导体技术杭州有限公司专利技术
矽力杰半导体技术杭州有限公司共有887项专利
半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法技术
本发明提供了一种半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法,其中,所述半导体结构的隔离部件可以阻挡大部分的所述第一区域的第一载流子流到所述第二区域中,以及阻挡大部分第二区域中的第二载流子流到所述第一区域中,因此所述第一区域和第二区域中可...
半导体结构和驱动芯片制造技术
本发明提供了一种半导体结构和驱动芯片,在所述的半导体结构中,由于隔离区域中除了设置所述第一隔离环和第二环,以分别吸收所述第一载流子和第二载流子,还设置了用于阻挡所述第一载流子和第二载流子的横向流动,以增加所述第一载流子和第二载流子在所述...
功率转换电路、逆变电路、光伏发电系统及其控制方法技术方案
公开了一种功率转换电路、逆变电路、光伏发电系统及其控制方法,所述方法根据快速关断信号控制功率转换电路的输出端和逆变电路的输入端之间的连接线路上的第一电流,并通过检测所述第一电流控制与光伏面板阵列连接的所述功率转换电路的状态以使得所述连接...
一种半导体晶片制造技术
本发明提供了一种半导体晶片,在所述半导体晶片中,由于隔离结构沿所述半导体衬底宽度方向的宽度小于第二区域的宽度,使得所述第二区域中除隔离结构所占区域之外的剩余区域的用于制作功率器件,这样在所述第一区域、第二区域和第三区域这三个区域的面积和...
芯片封装组件及其制造方法技术
本发明公开了一种芯片封装组件,包括:芯片;至少两个电极焊盘,位于所述芯片的有源面上;至少包括第一钝化层的不导电结构,图案化的所述不导电结构覆盖所述芯片的有源面,并选择性的部分裸露所述电极焊盘;至少两个电互连结构,与所述电极焊盘电连接;以...
光感测装置和电子设备制造方法及图纸
本发明提供了一种光感测装置和电子设备,在本发明提供的光感测装置中,当发光元件的光被壳体遮挡得越多时,位于所述第二透光区域下方的这一部分感光区的面积会相应的变得越大,以补偿感光元件的感测值,使得其不会因为发光元件发出的光被壳体遮挡而比实际...
泄放电路和应用其的LED驱动电路制造技术
本申请公开了一种泄放电路和应用其的驱动电路。本发明实施例的技术方案通过在调光器导通时刻控制泄放电路产生泄放电流,使得调光器能够快速导通,当控制电路中的驱动电流足够维持调光器导通时,泄放电路停止产生泄放电流,使得泄放电流维持一定的时间,减...
短路保护电路及应用其的开关变换器制造技术
本申请公开了一种短路保护电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案通过输出电压检测电路检测输出电压恢复至大于参考信号时,产生有效状态的第一控制信号并维持预定时间,在所述预定时间内,基准信号产生电路将软启基准信号从当前值拉低至零,...
一种封装组件制造技术
本发明提供了一种封装组件,在所述封装组件中,与封装组件中的第一高压侧驱动电路的端子耦合的任意两个第一高压封装端子之间设置有与封装组件中的第二高压侧驱动电路的端子耦合的至少一个第二高压封装端子,且使得与不同所述高压侧驱动电路的端子耦合的两...
交流-直流功率变换器制造技术
本发明公开了一种交流‑直流功率变换器,其两级功率级电路只需一个功率开关和控制电路即可实现能量的转换,此外,利用前级功率电路为储能电容充电,并在直流输入电压大于储能电容上的电压时,直流输入的至少部分能量直接通过后级功率电路的一次功率转换传...
硅麦克风及其制造方法技术
本发明提供的硅麦克风结构和制造硅麦克风的方法,所述硅麦克风结构包括一振膜体和一背板体;所述振膜体包括位于其第一表面的振动膜和从所述振膜体的第二表面延伸至所述振动膜的中间区域处的腔体,所述振膜体的第一表面与所述振膜体的第二表面相对;所述背...
D类功率放大器及其补偿方法和数字信号处理装置制造方法及图纸
公开了一种D类功率放大器及其补偿方法和数字信号处理装置,通过在将音频信号转化为PWM信号前,使得数字补偿滤波器补偿所述D功率放大器的低通滤波器的传递函数与期望的低通滤波器的传递函数之间的差别,由此,可以补偿所述低通滤波器引起的增益衰减和...
多输入单输出的直流变换器制造技术
公开了一种多输入单输出的直流变换器。可以将输入模块中的开关管用一个双向开关管替代,既能防止各输入源之间直接短接,又可以减小系统的损耗,提高了系统的效率。且本实用新型提出的多输入单输出的直流变换器可以根据不同的环境以及应用需要分别对每个输...
横向扩散金属氧化物半导体结构制造技术
本实用新型提供了一种横向扩散金属氧化物半导体结构,其中,将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体,以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体,且使得所述第一导体和第二导体空间隔离,所述第一导体和第二导体可...
横向扩散金属氧化物半导体器件制造技术
本实用新型提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件,在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中,将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体,以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体,且使得所述第一导体和第二导体空...
LDMOS晶体管制造技术
本实用新型公开了一种LDMOS晶体管,包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层,其中,所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度,当所述漏氧化层的个数大于1时,从所述漏端到所述沟道方向所述漏氧化层的厚度递减;...
调光控制电路、方法及应用其的LED驱动电路技术
本发明公开了一种调光控制电路及方法,通过在PWM调光信号为高电平时,允许功率晶体管工作;在PWM调光信号为低电平时,延时一段延时时间禁止功率晶体管工作,且可以通过设置延时时间的长短,使得在深度调光应用中电路在降频时,不至于降至音频,从而...
交流-直流功率变换器制造技术
本发明公开了一种交流‑直流功率变换器,其两级功率级电路只需一个功率开关和控制电路即可实现能量的传输过程,此外,通过利用前级功率电路为储能电容充电,且直流输入的至少部分能量直接通过后级功率电路的一次功率转换传输至负载,以此来提高效率;另外...
多路输出功率变换器及其控制方法技术
本发明公开了一种多路输出功率变换器及其控制方法,通过在电荷泵启动前,产生一系列短脉冲以在DC‑DC变换器和电荷泵开始工作之前,通过DC‑DC变换器对电荷泵中的泵升电容进行预充电,在此阶段,DC‑DC变换器和电荷泵的输出电压仍然接近地,并...
LED驱动器和LED照明装置制造方法及图纸
公开了一种LED驱动器和LED照明装置。在电子镇流器输出端口级联整流桥和整流滤波电路输出直流电流驱动LED负载。通过将功率开关周期性地将整流滤波电路的输入端短路,可以控制流入LED负载的平均电流,实现恒流控制。由此,可以不使用电感元件即...
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