公开了一种智能终端、遥控器及数据同步方法和电器控制系统。通过第一设备发出可连接广播，第二设备根据所述可连接广播与所述第一设备建立通信连接，并通过所述通信连接获取第一设备存储的配置数据和电器状态数据与本地的配置数据以及电器状态数据合并，将...

本发明公开了一种电流驱动电路、方法及应用其的LED装置，该电流驱动电路在智能调光过程中，能兼容可控硅调光器，在PWM调光信号的占空比较小时，通过主动关断输入电流通路，使得可控硅调光器提前断开但又不会重新点火，从而避免了由于PWM调光信号...

公开了一种电流检测电路及功率变换器。采用一个检测管，并通过特定的连接方式，使得流过检测管的电流与流过待测功率管的电流成比例，同时在控制电路中合理设定供电电压并引入辅助电压，以检测功率变换器中的正向电流和负向电流信息。

依据本发明的实施例揭露了一种交流‑直流转换电路和方法以及充电器，所述交流‑直流转换电路包括自适应整流模块，所述自适应整流模块接收不同数值的交流输入电压，根据所述交流输入电压的范围，调整所述自适应整流模块的工作状态，以减小所述自适应整流模...

公开了一种电流控制电路及功率变换器。采用一个检测管，并通过特定的连接方式，使得当流过待测功率管的电流等于流过检测管的电流N倍时，关断待测功率管，以实现电流控制。同时在比较电路中合理设定供电电压并引入辅助电压，以使控制点的电流可以是正值或...

依据本实用新型的实施例揭露了一种半导体器件，包括半导体基体，覆盖半导体基体的上表面的第一金属层，以作为半导体器件的第一电极；覆盖半导体基体的下表面的第二金属层，以作为半导体器件的第二电极；以及位于所述半导体基体中的耗尽结构；所述耗尽结构...

本实用新型提供的引线框架，封装组件以及PCB板，通过将现有技术的大尺寸框架散热焊盘分割成多个小尺寸的框架散热焊盘，且多个小尺寸的框架散热焊盘的总面积小于大尺寸框架散热焊盘的面积，当完成表面贴装技术后，在保证封装散热能力的前提下，减小了工...

本实用新型提供了一种可支撑式封装器件和封装组件，所述封装器件的封装主体除了用于包封所述封装组件的导电主体的包封体外，还具有相对于包封体底表面凸起的支撑体，各个所述支撑体均位于所述包封体的周围，且使得引出电极与支撑体远离所述包封体的一端共...

依据本发明的实施例揭露了一种调光电路和方法，所述调光电路包括电压型调光器、调光控制电路和调光模块，所述电压型调光器用于产生调光电压，所述调光控制电路被配置为利用隔离型变换器根据所述调光电压生成调光基准信号，所述调光模块被配置为根据所述调...

公开了一种功率因数校正电路、控制方法和控制器，通过根据测量的总谐波失真调整调整开关型调节电路的主开关管的导通时间,以在进行功率因数校正的同时最小化总谐波失真，从而不需要针对单独某一类影响总谐波失真指标的因素做专门的补偿设计，简化了整体的...

依据本发明的实施例揭露了一种交流‑直流转换电路和方法，交流‑直流转换电路根据交流输入电压的数值，控制可控硅开关的导通和关断状态，当交流输入电压在第一电压范围时，控制电路控制所述可控硅开关导通，以增大所述直流输出电压；当交流输入电压在第二...

本发明公开了一种用于降低THD的控制方法和系统，该方法包括：获取功率变换器的主功率管一开关周期内的第一导通时间区间的第一平均电感电流和该开关周期内的剩余时间区间的第二平均电感电流；判断第一平均电感电流是否大于第二平均电感电流；若是，则增...

公开了一种控制电路、控制方法及隔离型变换器。通过原边补偿电路根据光耦反馈电路的输出信号生成补偿信号，进而由选择开关根据所述补偿信号选择所述隔离型变换器的工作模式，在所述隔离型变换器工作在重载模式时，通过环路控制电路根据补偿信号控制所述隔...

本发明公开了一种开关电源的模式切换电路及切换方法，通过判断在同步管关断时，其体二极管是否导通来判断负载状态，并在负载跳变时，控制开关电源在第一模式和第二模式之间切换，从而在抑制输出电压过冲的同时保证系统的效率。

本发明公开了一种电路模块及控制方法，通过在可控硅调光器TRIAC开启后，且当可控硅调光器TRIAC的导通相角小于一定相角阈值时，导通泄放电路以产生泄放电流，泄放电流即可用于延长可控硅调光器TRIAC的导通时间，从而避免可控硅调光器TRI...

公开了一种用于网格网络的数据转发方法及存储装置，网格网络多个节点中的至少一个节点作为中继节点，用于将源节点的数据包转发至目标节点，数据转发方法包括将多个节点分层；上层节点向下层节点分配转发信道；源节点将数据包通过中继节点及目标节点的转发...

公开了一种功率因数校正电路、控制方法和控制器，通过根据测量的总谐波失真和各谐波分量的幅值比例调整电流基准信号,以在进行功率因数校正的同时最小化总谐波失真，从而不需要针对单独某一类影响总谐波失真指标的因素做专门的补偿设计，简化了整体的控制...

公开一种沟槽型MOSFET器件制造方法，包括在基层中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；在沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体；在位于沟槽中部的第二绝缘层的上部形成栅极介质层和栅极导体，栅极导体的顶部低于所述外延层的上表面；以及在形成体区之前...

公开了一种控制电路、控制方法和谐振变换器。通过产生跟随软启动过程的持续时间而相应变化的启动控制信号为环路变量，使得环路变量在谐振电流强度处于不同的区间时呈现不同的变化趋势，进而控制所述变换器以使得所述谐振电路启动。由此，根据谐振电路电流...

本发明公开了一种控制电路，本发明实施例的技术方案通过在轻载时将电压补偿信号划分不同的范围，并且根据电压补偿信号对反激式变换器的功率开关的开关频率和导通时间进行分段调节，使得功率级电路连续工作并减小能量的传送，从而有效地降低了输出电压纹波...