本发明公开了一种电流驱动电路、方法及应用其的LED装置，该电流驱动电路在智能调光过程中，能兼容可控硅调光器，在PWM调光信号的占空比较小时，通过主动关断输入电流通路，使得可控硅调光器提前断开但又不会重新点火，从而避免了由于PWM调光信号...

公开了一种同步整流电路及其控制电路和控制方法。通过动态调节同步整流管的驱动电压和关断屏蔽时间，使得同步整流管在合适的关断点关断，同时具有较快的关断速度，且避免负电流关断，从而提高同步整流的效率。并且，该方案的适用性更广，可靠性更高。

本申请公开了一种检测电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案通过将检测电路耦接至开关变换器输出电容，以在开关周期的第一时间段内检测所述开关变换器的输出电压，并在所述开关周期的第二时间段内根据检测到的所述输出电压产生输出电压检测...

本发明揭露了一种功率变换器，通过在第二输出电路上串联副边开关管，同时使得所述第二副边绕组的输出电压反射到所述第一副边绕组上的电压小于所述第一副边绕组的输出电压，使得原边开关管关断且副边开关管导通时续流电流全部流过第二输出电路的副边绕组，...

本发明揭露了一种功率变换器，通过在恒流输出电路上串联副边开关管，同时使得原边开关管关断且副边开关管导通时续流电流全部流过恒流输出电路的副边绕组，在副边开关管关断时续流电流流过其它输出电路的副边绕组，从而实现了对于恒流输出电路和恒压输出电...

公开了一种制造沟槽MOSFET结构及其制造方法。包括：第一掺杂类型的半导体层；从半导体层的上表面延伸至其内部的沟槽；位于所述沟槽内的绝缘层和电极导体；位于所述半导体层邻近所述沟槽的上部区域，并与所述沟槽相邻的第二掺杂类型的体区；以及位于...

本发明揭露了一种开关电源电路，所述开关电源电路包括高频开关网络，接收低频交流输入信号，并对所述低频交流输入信号进行高频斩波，输出高频交流信号；变压器，所述变压器的原边绕组接收高频交流信号，并对所述高频交流信号进行电压变换后从所述变压器的...

本发明揭露了一种控制电路和方法以及谐振变换模块，所述控制电路被配置为从第一时刻开始延迟第一时间后，当电压检测模块检测到所述同步整流管的漏源电压达到第一阈值时，开通所述同步整流管；其中，所述第一时间根据上一开关周期所述同步整流管的工作状态...

本发明揭露了一种开关电源电路，包括高开关网络、变压器、整流模块、直流‑直流变换器和控制电路，高频开关网络直接将低频交流输入电压转换为高频交流信号，再通过变压器和整流模块将高频交流信号转化成直流信号并输出到直流‑直流变换器，直流‑直流变换...

本实用新型公开了一种宽范围输入输出AC‑DC变换器，包括：整流电路，用以接收输入交流电压并将其转换成直流电压，且被配置为在至少一个导电回路中，包括一个有源开关器件；控制电路，用以根据输出电压的变化控制所述有源开关器件的开关状态，以来调节...

本实用新型提供的PCB板和组合结构，通过将现有技术的大尺寸框架散热焊盘分割成多个小尺寸的框架散热焊盘，且多个小尺寸的框架散热焊盘的总面积小于大尺寸框架散热焊盘的面积，当完成表面贴装技术后，在保证封装散热能力的前提下，减小了工作环境温度对...

公开了一种直流‑直流转换器，本发明实施例的技术方案通过将开关电容变换器和至少一个开关变换器级联，利用开关电容变换器包括多个开关组的特点，配置每个开关变换器复用开关电容变换器的至少一个开关组，可以有效减小电路器件数量，提高器件利用率。同时...

本发明公开了一种零电压开通控制电路、方法及应用其的开关电源，通过在主功率开关下个周期导通前,提前一段时间或者提前一定个数的谐振周期,开通同步整流开关一段时间以实现主功率开关的零电压开通。

公开了一种制造沟槽MOSFET的方法。包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；形成覆盖所述沟槽的侧壁、所述沟槽的底部以及所述半导体基底的上表面的第一绝缘层；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体，所述第一绝缘...

本发明实施例公开了一种封装结构及其制造方法，包括：第一电气连接层，所述封装结构的外引脚位于所述第一电气连接层的下表面；芯片，位于所述第一电气连接层的上表面上，所述第一电气连接层上表面与下表面相对；第一类电子元件，位于所述芯片的上方；金属...

本申请公开了一种控制电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案通过在主功率管关断后控制续流开关管导通第一时间段，并在第一时间段结束后在预设时间内控制续流开关管导通第二时间段，使得主功率管在导通之前通过一放电电流将自身的寄生电容放...

本发明公开了一种变压器磁芯，通过由外柱体以及设置在所述外柱体内部的内柱体构成，并在所述内柱体的外侧面设置有一圈用于绕制变压器的绕组凹槽，且所述外柱体与所述内柱体的部分外侧面具有等距离的间隙，所述间隙用以形成所述变压器磁芯的气隙。以使得变...

本发明公开了一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括：第一电气连接层；芯片，位于所述第一电气连接层上；至少一层第二电气连接层，位于所述芯片之上，所述第一电气连接层和第一层所述第二电气连接层之间通过导电柱实现电连接；第一类电子元件，位于...

本发明公开了一种控制电路及控制方法，通过根据功率级电路的输入电压和输出电压两者中的至少一个生成一基准电压，并且，根据基准电压以及表征电感电流峰值的电流采样信号生成PWM信号，通过PWM信号控制主功率开关管的导通状态，从而使得所述电感电流...

本发明提供了一种封装组件及其制造方法，以及一种降压变换器的封装组件，所述封装组件包括：引线框架；安装于所述引线框架上的晶片，所述晶片的第一表面朝向所述引线框架；电子元件，位于所述晶片第二表面的上方，所述电子元件的通过导电柱连接至所述引线...