公开了一种基于软启的控制电路及应用其的LED驱动电路，其中，LED驱动电路包括功率级电路。所述控制电路包括补偿电压产生电路，其根据调光基准电压以及表征输出电流的采样电压生成补偿电压；休眠控制电路，其根据所述补偿电压以及软启指示信号控制所...

依据本实用新型的实施例揭露了一种压电驱动电路，所述压电驱动电路包括功率级电路和全桥电路，所述功率级电路接收输入电压用以在其输出端产生输出电压；所述全桥电路耦接在所述功率级电路的输出端，用以对所述压电负载进行充放电；控制所述全桥电路的工作...

本实用新型公开了一种半导体器件，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所述通孔的...

本实用新型公开了一种固晶结构，包括：基板，位于所述基板第一表面上的晶片，位于所述晶片背面的第一层胶，以及至少覆盖所述晶片侧壁的第二层胶，其中，所述晶片至少通过所述第一层胶粘贴在所述基板的第一表面。本实用新型提供的固晶结构使得晶片在工作中...

本申请公开了一种控制电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案能够响应输出功率变化时动态调节所述开关周期的截止时间，以改变开关周期的长度，从而在转换比较大或者较小时，自动降低开关的工作频率，以便拓宽转换比的范围，使得开关变换器能...

公开了一种LDMOS晶体管及其制造方法，所述方法包括：在第一掺杂类型的衬底上形成外延层；在所述外延层的上表面形成栅极结构；在所述外延层内形成第二掺杂类型的源区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述外延层上表面以及所述栅极结构上...

本实用新型公开了一种缓冲电路，应用于反激变换器中，所述缓冲电路与所述反激变换器副边的整流电路并联连接，其特征在于，所述缓冲电路包括：电容器件，被配置为在所述反激变换器的原边功率管导通时，输出电容为其充电，在所述原边功率管关断时，所述电容...

公开了一种控制电路，开关变换器及集成电路。所述控制电路包括微分电路以及谷底检测电路，其中所述微分电路通过一复用引脚与所述开关变换器中的主功率管连接，接收所述主功率管漏源电压并微分后获得一微分电压，所述谷底检测电路通过比较所述微分电压和所...

依据本发明的实施例揭露了一种交流

本发明提供了一种金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：基底；从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的源区；位于所述基底上表面的栅极结构，所述栅极结构至少裸露所述源区，以及位于所述基底上表面的具有第一掺杂类型的半导体层，...

本发明揭露了一种开关电源电路，所述开关电源电路包括储能电容；高频开关网络，耦接所述储能电容，接收低频交流输入电压，对所述储能电容进行充电，并对所述低频交流输入电压和/或所述储能电容的电压进行高频斩波，输出高频交流信号；整流模块，耦接所述...

本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括：提供一具有第一掺杂类型的基底；在所述基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡层作为掩膜，采用第一次离子注入工艺倾斜注入形成从所述基底上表面延伸至其内部的基区，所...

依据本发明的实施例揭露了一种驱动电路和驱动方法，本发明的驱动电路包括储能电容、第一功率变换器和双向变换器，所述第一功率变换器输出端耦接相互并联的负载和所述储能电容，所述双向变换器耦接在所述负载和所述储能电容之间；在轻载区间，所述第一功率...

公开了一种SiC MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括提供一具有第一掺杂类型的半导体基底；在所述半导体基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡层为掩膜，形成从所述半导体基底的上表面延伸至其内部的源区，所述源区为第一掺杂类...

本申请公开了一种控制芯片以及应用其的开关电源。本发明实施例控制芯片通过对高压引脚上的电压进行检测判断高压引脚耦接至所述交流输入电压还是所述整流电压以产生检测信号，根据所述检测信号适应性调整所述控制芯片对安规电容的放电功能，从而仅需要一颗...

本发明公开了一种间歇省电模式控制电路及控制方法，包括：模式指示信号生成电路，用以根据输出电压补偿信号、第一参考电压以及第二参考电压生成模式指示信号，所述模式指示信号用以指示所述开关电源工作在工作模式或者睡眠模式；其中，所述第二参考电压根...

依据本发明的实施例揭露了一种充电电路及其集成电路，本发明的充电电路包括第一输入端、第一开关电路、第二开关电路和双向buck‑boost电路，第一输入端接收输入信号，第一开关电路耦接在所述第一输入端和第一电池之间，第二开关电路耦接在第一输...

公开了一种具有多个Type‑C接口的系统。外部设备通过其中一个Type‑C接口为系统提供所需的供电电压，同时可以通过其他Type‑C接口向相应的外部设备传送能量，且在系统和每个外部设备之间用于电压变换的电源转换器可受控工作于降压、升压或...

本实用新型公开了一种光电集成器件，包括半导体基底，在所述半导体基底中至少包括一光电器件；覆盖所述半导体基底的第一表面的第一介电层；覆盖所述第一介电层的绝缘层；位于所述绝缘层中的第一开口，所述第一开口裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电...

本发明公开了一种功率因数校正电路及输入电容的电流补偿方法，通过根据输入电压生成一表征流过所述输入电容的电流的补偿信号，将所述补偿信号叠加至所述电流反馈信号或者所述电流参考信号中，以减小流过所述输入电容的电流对功率因数的影响。