公开了一种积分器和模数转换器。通过控制可控开关的导通或关断，以选择性的将输入电容和积分电容接入运算放大器，以控制积分器的工作在不同的工作模式，控制第一失调电容和第二失调电容在一个工作周期中第一相位和第二相位的工作状态。由此，可以消除积分...

公开了一种开关型变换器及其控制电路和控制方法，根据开关型变换器的输入电压的大小来控制该开关型变换器在轻载下的工作模式，使其在强制连续导通模式和断续导通模式之间切换，从而避免长时间工作在强制连续导通模式下由于输出电容上的能量倒灌入输入电压...

依据本发明的实施例揭露了一种压电驱动电路和压电驱动方法，所述压电驱动电路包括功率级电路和全桥电路，所述功率级电路接收输入电压用以在其输出端产生输出电压；所述全桥电路耦接在所述功率级电路的输出端，用以对所述压电负载进行充放电；控制所述全桥...

公开了一种多相功率变换器及其控制电路和控制方法。所述多相功率变换器具有多个功率级电路，且每个功率级电路均有一个控制电路与之对应，每个控制电路包括第一端口和第二端口，其中每个第一端口相互连接在一起以接收集中控制信号，第二端口用于识别各相的...

公开了一种控制模块及应用其的多相功率变换器。所述控制模块包括第一端口以及第二端口，其中第一端口与上一个所述控制模块的第二端口连接，用以接收当前模块的传递信号，第二端口与下一个所述控制模块的第一端口连接，用以输出下一个所述控制模块的传递信...

本申请公开了一种控制电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案能够响应输出电压变化动态调节所述开关周期的第二时间区间，以改变开关周期的长度，使得开关周期的长度与输出电压具有相反的变化趋势，以在输出电压跳变时保证输出电流不发生突变...

本实用新型提供了一种光学感测装置，包括：至少一个具有感光区域的半导体，一光学结构；以及波长带通层，其中，所述光学感测装置外部的光通过叠放至所述感光区域上的所述光学结构和所述波长带通层到达所述感光区域，所述波长带通层仅使得在特定波长范围内...

本实用新型提供了一种光学感测装置，包括：至少一个具有感光区域的半导体，以及光学结构，所述光学结构位于所述感光区域的上方；其中，所述光学结构包括交替层叠的滤光层和透光层，以阻挡大角度的入射光入射至所述感光区域，以减小光学串扰。

本实用新型提供了一种应用于功率变换器的封装结构，第一功率晶体管和控制和驱动电路集成于同一颗晶片，可以更好地实现第一功率晶体管的高频开关动作，提高第一功率晶体管的工作频率，降低开关损耗。第二功率晶体管集成于独立的第二晶片中，第一晶片和第二...

本实用新型揭露了一种开关电源电路，所述开关电源电路包括高频开关网络，接收低频交流输入信号，并对所述低频交流输入信号进行高频斩波，输出高频交流信号；变压器，所述变压器的原边绕组接收高频交流信号，并对所述高频交流信号进行电压变换后从所述变压...

本发明公开了一种储能电容装置及其状态监测电路，储能电容装置可以使用多个储能电容,并且能对所有的储能电容分别进行健康状态检测，精确定位异常电容的位置。通过状态监测电路可编程设定一定的循环检测周期，在检测周期内，逐一将N路储能电容的通道关闭...

依据本发明的实施例揭露了一种压电驱动电路和压电驱动方法，本发明的压电驱动电路利用两级功率级电路和放电电路对压电负载进行充放电，从而使得所述供电电压信号在一工作周期的第一工作区间与参考电压的第一区间相对应，在所述工作周期的第二工作区间与所...

本发明公开了一种功率变换器，包括：N个开关型功率级电路，其输出端并联连接，N大于等于1；至少一个储能元件，串联耦接在所述功率变换器的输入端和输出端之间，所述储能元件用以周期性地存储能量以输送至所述功率变换器的输出端；其中，在第M个所述开...

公开了一种沟槽MOSFET及其制造方法，所述方法包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽，所述半导体基底为第一掺杂类型；在所述沟槽内形成绝缘层和电极导体；在所述电极导体和半导体基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡...

公开了一种AC/DC电源及整流电路。通过整流电路中的滤波电路产生一供电电压，其在第一时间区间内跟随滤波电路接收的直流脉动电压，在第二时间区间内，供电电压的数值大于第一时间区间结束时刻的供电电压的数值，从而减小滤波电路的体积，进而减小整流...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所...

本发明公开了一种固晶结构及其制造方法，包括：基板，位于所述基板第一表面上的晶片，位于所述晶片背面的第一层胶，以及至少覆盖所述晶片侧壁的第二层胶，其中，所述晶片至少通过所述第一层胶粘贴在所述基板的第一表面。本发明提供的固晶结构使得晶片在工...

依据本发明的实施例揭露了一种压电驱动电路和压电驱动方法，本发明压电驱动电路包括可充电电源和功率级电路，所述功率级电路耦接至所述可充电电源和压电负载之间；在一工作周期的第一工作区间，所述可充电电源利用所述功率级电路对所述压电负载进行充电，...

本发明公开了一种集成驱动器以及一种电压转换器，所述集成驱动器应用于包括开关电容变换电路的所述电压转换器，当所述电压转换器刚启动时，所述第一类型的功率晶体管承受的电压为输入电压，通过将所述第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述...

本发明公开了一种缓冲电路，应用于反激变换器中，所述缓冲电路与所述反激变换器副边的整流电路并联连接，其特征在于，所述缓冲电路包括：电容器件，被配置为在所述反激变换器的原边功率管导通时，输出电容为其充电，在所述原边功率管关断时，所述电容器件...